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意法半導(dǎo)體(ST)完整全橋系統(tǒng)封裝內(nèi)置MOSFET、柵驅(qū)動器和保護(hù)技術(shù)以節(jié)省空間,簡化設(shè)計,精簡組裝

作者: 時間:2017-12-06 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  的 系統(tǒng)封裝(SiP)產(chǎn)品在一個13mm x 11mm的封裝內(nèi)集成一個完整的600V/8A單相MOSFET全橋電路,能夠為工業(yè)電機(jī)驅(qū)控制器、燈具鎮(zhèn)流器、電源、功率轉(zhuǎn)換器和逆變器廠家節(jié)省物料成本和電路板空間。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201712/372603.htm

  不僅比采用分立器件設(shè)計的類似全橋電路節(jié)省電路板空間60%,還能提升最終應(yīng)用的功率密度。市場上在售的全橋模塊通常是雙FET半橋或六顆FET三相產(chǎn)品,而則集成四顆功率MOSFET,是一個能效特別高的替代方案。與這些產(chǎn)品不同,只用一個PWD13F60即可完成一個單相全橋設(shè)計,這讓內(nèi)部MOSFET管沒有一個被閑置。新全橋模塊可靈活地配置成一個全橋或兩個半橋。

  利用的高壓 BCD6s-Offline制造工藝,PWD13F60集成了功率 MOSFET柵驅(qū)動器和上橋臂驅(qū)動自舉二極管,這樣設(shè)計的好處是簡化電路板設(shè)計,精簡組裝過程,節(jié)省外部元器件。柵驅(qū)動器經(jīng)過優(yōu)化改進(jìn),取得了高開關(guān)可靠性和低EMI(電磁干擾)。該系統(tǒng)封裝還有交叉導(dǎo)通防護(hù)和欠壓鎖保護(hù)功能,有助于進(jìn)一步降低占位面積,同時確保系統(tǒng)安全。

  PWD13F60的其它特性包括低至6.5V的寬工作電壓,配置靈活性和設(shè)計簡易性得到最大限度提升。此外,新系統(tǒng)封裝輸入引腳還接受 3.3V-15V邏輯信號,連接微控制器(MCU)、數(shù)字處理器(DSP)或霍爾傳感器十分容易。

  PWD13F60即日上市,采用高散熱效率的多基島VFQFPN封裝。

  產(chǎn)品詳情訪問www.st.com/pwd13f60-pr



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