砷化鋁鎵 (AlGaAs)技術(shù)簡(jiǎn)介

AlGaAs技術(shù)在微波行業(yè)采用能隙工程生產(chǎn)新型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)已有二十多年的歷史。利用多量子阱、超晶格和異質(zhì)結(jié)的各種性質(zhì)，已制造出由分子束外延法和有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)的新型半導(dǎo)體。這些帶隙原理已應(yīng)用于MACOM AlGaAs技術(shù)的開發(fā)，因此推動(dòng)了PIN二極管射頻性能的大幅提升。

主要優(yōu)勢(shì)

與等效的GaAs PIN結(jié)構(gòu)相比，改善了回波損耗、插入損耗和P-1dB指標(biāo)

分立式異質(zhì)結(jié)AlGaAs PIN二極管在10 mA偏流條件下展現(xiàn)了將高頻插入損耗降低兩倍的性能

主要應(yīng)用

工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療

測(cè)試和測(cè)量

無線回傳

航空航天與國(guó)防

AlGaAs PIN開關(guān)

優(yōu)勢(shì)：

超波段帶寬容量

低電流消耗

緊湊芯片尺寸

提供集成偏壓網(wǎng)絡(luò)

BCB刮擦保護(hù)特性：

工作頻率超過100 GHz

高隔離度

低插入損耗

提供最高40 W CW的功率處理能力

提供反射和終端版本

MACOM獨(dú)一無二的AlGaAs技術(shù)

氮化硅鈍化

AlGaAs PIN開關(guān)產(chǎn)品

MACOM致力于發(fā)展AlGaAs技術(shù)

借助MACOM在GaAs技術(shù)方面的專業(yè)知識(shí)，我們研發(fā)出了諸如AlGaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)這類更復(fù)雜的高性能技術(shù)。依托我們Lowell Massachusetts晶圓廠研發(fā)的這項(xiàng)技術(shù)，我們進(jìn)一步鞏固了適合多重市場(chǎng)應(yīng)用的PIN二極管和開關(guān)產(chǎn)品的市場(chǎng)領(lǐng)先地位。

—Doug Carlson MACOM 技術(shù)開發(fā)副總裁