常用電子元器件分類及選型(正激)
一、保險絲
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201808/386118.htm分類:從封裝上分為直插式和貼片式,其中直插式的又分徑向引線和縱向引線式。
從時間上分為速斷、中等慢斷、慢斷等。
從材質(zhì)上分為陶瓷、玻璃、塑料等。
選型:作為保險絲除了選擇其封裝、時間、以及材質(zhì),額定電壓、電流等,最主要的是看I平方/T,即A平方/S,這是選擇保險絲的關(guān)鍵點,一般都是用示波器捕捉浪涌電流,然后積分(可以近似計算),得出A平方/S。
舉例:
以上是給青島某客戶做的一適配器電源白盒測試的截圖,得到A平方/S為3.912,那么我們就的去查保險絲的規(guī)格書,對應(yīng)的參數(shù)必須比3.912要大一個級別,查表得到比3.912大一個級別的為5.87,對應(yīng)保險絲為1.6A,250V。一般電路中整流橋后面有電解電容的,選擇慢斷型的。
二、壓敏電阻
分類:從材質(zhì)上分一般分為SrTiO3(鈦酸鍶)陶瓷和ZnO(氧化鋅)陶瓷,雖然SrTiO3(鈦酸鍶)陶瓷這種材質(zhì)的好,性能優(yōu)良,但價格高,所以目前作為電源鎮(zhèn)流器類用ZnO的還是居多。
從用途上分一般分為保護型、浪涌抑制型、功率型,目前我們用的都是浪涌抑制型。
選型:除了外觀尺寸,材質(zhì),封裝等最主要的選型還是看以下。
不同廠家都有自己的命名,而且有的是根據(jù)dc電壓分的,有的是根據(jù)ac電壓分的,如我司目前的CNR、EPCOS。無論是哪種命名方式,但選擇的原理都是一樣的。
根據(jù)不同的資料,原理有兩種:
一種是最高輸入電壓*1.414*1.2~1.4,來選擇(dc電壓法)。
舉例:輸入電壓為85-264Vac,則264*1.414*1.2~1.4=447.9~522.6dc,也就是選擇471-511的范圍,如果廠家命名的是ac的,則把*1.414去掉,即264*1.2~1.4=316.8~369.6ac,也就是選擇321~381ac。(321上一個檔是381,以EPCOS為例
另一種是根據(jù)在1mA時轉(zhuǎn)折電壓來選取。
見下面截圖,以EPCOS為例:
三、熱敏電阻
分類:按溫度分:負溫度系數(shù)/正溫度系數(shù)/臨界溫度熱敏電阻,英文字母表示為NTC/PTC/CTR.
按封裝分:直插式和貼片式。
其材料一般都是半導(dǎo)體陶瓷。
選型:除基本參數(shù)尺寸,25°C的阻值 零功率R25,B值,另外有兩點需要注意:
1. 耗散系數(shù)δ
δ=ΔP/ΔT (mW/℃)
即:在規(guī)定的環(huán)境溫度下,熱敏電阻器耗散功率變化率與其相應(yīng)溫度變化之比。它表示使熱能電阻體升高1℃溫度所需消耗的功率。在工作溫度范圍內(nèi),δ隨環(huán)境溫度變化而有所變化。
2. 額定功率Pr
額定功率=耗散系數(shù)δ×(最高使用溫度Tmax-25℃)
比較興勤和時恒家的熱敏電阻:
時恒家的為:熱耗散系數(shù)(mw/℃): 20
興勤家的為:熱耗散系數(shù)(mw/℃): 21
大家根據(jù)上面的公式算一下額定功率:
比如Tmax溫度為200°C,則額定功率為耗散系數(shù)δ×(最高使用溫度Tmax-25℃),時恒家的為:3.5W,興勤家的為:3.675W。
這個只是個參考值。
四、X電容、Y電容(安規(guī)電容)
X電容分類:按照耐壓不同分為X1 X2 X3三種。
1. X1耐高壓大于2.5 kV, 小于等于4 kV,
2. X2耐高壓小于等于2.5 kV,
3. X3耐高壓小于等于1.2 kV
目前我們家都用X2電容,性價比高。
X電容主要用于跨接L/N之間,濾去差模噪聲。
Y電容分類:按照耐壓不同分為Y1 Y2 Y3 Y4四種。
1. Y1耐高壓大于8 kV,
2. Y2耐高壓大于等于5 kV,
3. Y3 NA
4. Y4耐高壓大于等于2.5kV
需要注意的是:Y1屬于雙絕緣Y電容,用于跨接一二次側(cè).Y2則屬于基本單絕緣Y電容,用于跨接一次側(cè)對地保護即FG線。
目前X電容常用的是金屬化聚丙烯薄膜,繞制完畢,兩邊銅包鋼引線,然后放入盒子中,環(huán)氧樹脂灌封而成,這個工藝中關(guān)鍵還是鋁粉蒸發(fā)到薄膜。
國外大部分都是壓制而非繞制,所以我們國產(chǎn)的一般都比不上國外的品質(zhì)。
選型:只要注意了額定溫度,電壓,尺寸,容量等基本參數(shù),沒有什么可難選型的。
目前Y電容常用的是陶瓷介質(zhì),通過焊料和鍍錫銅包鋼引線焊接,然后環(huán)氧樹脂封裝而成。
選型:注意額定溫度,電壓,尺寸,容量等基本參數(shù),主要看其溫度特性是什么,如B(Bn) E R F等,目前比較好的是B(Bn)溫度特性的,以及損耗角的正切值以及漏電流(一般從1-10mA之間)。
溫度特性曲線如下:
五、 MOS 管
分類:按溝道分 N溝道和P溝道。
按材料分 結(jié)型和絕緣柵型。
按功率分 大中小三種。
其中注意所用MOS是增強型還是耗盡型。
目前我們都是用的絕緣柵-增強型-N溝道MOS。
選型:MOS管的選型比較復(fù)雜,講起來比較費唾沫。
現(xiàn)以N溝道增強型MOS管STW9NB90為例講解:
絕對最大額定值
從上而下依次為:
漏源電壓 MOS管的實際最大的電壓必須為此電壓的88%降額。(因為-40時MOS管的反壓是原來反壓的92%左右,當(dāng)然如果低溫不是-40就另當(dāng)別論)
漏柵電壓
柵源電壓 柵極驅(qū)動脈沖電壓幅值一般在最大不要超過25V,這是對于+/-30V的而言,如果是+/-25的話,一般不要超過20V,當(dāng)然以上說的是極限值,一般都不會用到極限值,MOS管最佳開通電壓幅值為10V,低驅(qū)動電壓MOS除外)
漏極電流(25°C時)
漏極電流(100°C時) MOS管在極限條件(空氣對流的情況除外)下一般都會到達這個溫度,所以選型時看此時的電流,不要看25°C,沒有意義)
脈沖漏極電流
總功耗 這個功耗就是N溝道所能允許的功耗,一般為保險起見,電源或鎮(zhèn)流器是多大功率的,要選的此值接近于其功率,當(dāng)然最終以測試溫升為評判依據(jù)。
額定值降低因子
二極管反向峰值電壓(好像只有ST廠家的有此項)
儲存溫度
最大工作結(jié)溫
熱阻
雪崩能量
電氣特性
因項目多,所以選幾個重點項目講解:
溝道電阻Rdson 除了開關(guān)損耗,另一個重要損耗就是溝道電阻的損耗。
米勒電容充電電荷量Qgd 這個主要以示波器測試米勒平臺波形為準(zhǔn)。
反向恢復(fù)時間trr 寄生二極管反向恢復(fù)時間(有的芯片如半橋的,死區(qū)時間選的理論可以,為什么還會出現(xiàn)上下橋臂同時通的情況,原因就在于此,trr太長,國外品牌的一般都不會出問題,國產(chǎn)的標(biāo)的很好,時間根本就達不到,很是不靠譜)
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