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安森美半導(dǎo)體的電動/混動汽車方案助力推動能效、節(jié)能、環(huán)保

作者: 時間:2019-04-12 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

智能化、汽車、48 V汽車功能電子化是當(dāng)今汽車市場的重要趨勢,配合著節(jié)能減排的目標(biāo)前進(jìn)發(fā)展。是唯一提供全面的電動動力總成方案、和少數(shù)同時具備硅、碳化硅(SiC)技術(shù)的供應(yīng)商,并不斷投資于先進(jìn)的封裝,應(yīng)用于汽車的主要電力系統(tǒng)如牽引逆變、車載充電(OBC)、電池管理、48 V、和高壓輔助電源(如空調(diào)壓縮機(jī)、油泵等)等。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201904/399452.htm

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圖1:汽車功能電子化方案陣容

典型的汽車高壓PD IGBT/FRD方案

如圖2所示,一臺典型的電動/混動汽車主要包含的電力系統(tǒng)有主逆變、OBC、高壓到低壓DC-DC、輔助電源高壓逆變(風(fēng)機(jī)、泵及壓縮機(jī))、PTC加熱器和電池管理(BMS)。主牽引逆變器將汽車高壓電池提供的直流電流轉(zhuǎn)換為負(fù)責(zé)產(chǎn)生驅(qū)動車輛前進(jìn)所需的轉(zhuǎn)矩的感應(yīng)電動機(jī)所需的交流電流。OBC負(fù)責(zé)對車內(nèi)的高壓電池子系統(tǒng)充電。而許多執(zhí)行各種輔助任務(wù)的車輛子系統(tǒng),過去由12 V電池供電,現(xiàn)在正轉(zhuǎn)向高壓電池母線(通常是48V、400 V或800 V),主要由三相電機(jī)驅(qū)動,可以在更高的電壓水平下更高效地運行。電池管理確保系統(tǒng)安全。  

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圖2:典型的電動/混動汽車高壓PD IGBT/FRD方案

牽引逆變器方案

電動汽車逆變器通常包含400 V或日漸流行的800 V 高壓電池系統(tǒng),要求功率半導(dǎo)體器件在600 V至750 V范圍內(nèi),或900 V至1200 V范圍,其性能影響到車輛的整體能效,包括加速和駕駛里程。在選擇逆變模塊所需的電力電子器件時,必須仔細(xì)評估導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,以實現(xiàn)車輛的目標(biāo)傳動系統(tǒng)性能。提供廣泛的選擇,包括分立IGBT、單面直接散熱(SSDC)模塊、雙面散熱(DSC)模塊、SiC MOSFET、隔離門極驅(qū)動器、電流檢測放大器、CAN收發(fā)器、低壓降穩(wěn)壓器(LDO)、保護(hù)等。

1. IGBT分立方案

針對20至100 kW的逆變器,安森美半導(dǎo)體提供分立IGBT,如650 V/120 A的 FGY120T65SPD-F085和650 V/160 A的FGY160T65SPD-F085,采用TP247封裝,具有同類最佳的電氣性、熱性能、強(qiáng)固性、可靠性,符合AEC-Q101 Rev. D,100% BVces HTRB,在100% 器件動態(tài)測試中具備強(qiáng)固的瞬態(tài)可靠性,導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗極低,已被美國、中國、歐洲和韓國電動/混動汽車客戶廣泛使用。與模塊相比,分立方案具有成本、靈活設(shè)計和多源可用的優(yōu)勢??赏ㄟ^并聯(lián)不同數(shù)量的IGBT擴(kuò)展輸出功率,實現(xiàn)緊湊、極具成本優(yōu)勢的方案,非常適用于A0/A00汽車,功率等級<40kW,總線電壓<200 V。制造工藝方面,參數(shù)分布嚴(yán)格,從而帶來出色的并聯(lián)工作性能。這些器件都在超過3倍額定電流(分別為380A 和500A)的條件下測試,開關(guān)速度快(dV/dt >10V/ns),從而實現(xiàn)在各種應(yīng)用條件下強(qiáng)固的抗閂鎖能力。

2. 模塊

模塊在逆變器中非常重要,可提高集成度和降低失效的可能性。針對40至200 kW,安森美半導(dǎo)體提供IGBT晶圓用于模塊裝配;針對100至190 kW,提供SSDC模塊;針對60至200 kW,提供DSC模塊。

3. SiC方案

如果有小型化,并且增加功率的需求,SiC是一個非常不錯的技術(shù),用于400 V和800 V電池時,逆變器的能效可分別增加65%和80%。推薦方案如安森美半導(dǎo)體的SiC MOSFET NVHL020N120。

4. 門極驅(qū)動

高壓門極驅(qū)動器通常用以實現(xiàn)電氣隔離和提供更多保護(hù)功能和先進(jìn)的開關(guān)能力。如安森美半導(dǎo)體的NCV57000/001,在米勒平臺電壓下的源/汲電流達(dá)4 A/6 A,Galvanic Isolation 超過5 kV,可保持在1400 V 的工作電壓,在1500 V的工作條件下抗共模干擾>100 kV/us,典型傳輸延遲80 ns, 有軟關(guān)斷功能以抑制尖峰電壓,通過可編程延遲可去飽和檢測,短路期間有IGBT門極鉗位功能,米勒鉗位汲電流高,提供欠壓鎖定(UVLO)保護(hù),可有效地降低導(dǎo)通損耗,并提供更優(yōu)的抗輻射干擾。

OBC及DC-DC方案

典型的OBC由多個級聯(lián)級組成,即輸入整流、功率因數(shù)校正(PFC)、DC-DC轉(zhuǎn)換、隔離、輸出整流和輸出濾波。推薦超結(jié)MOSFET、APM16模塊和SiC方案。

1. 超結(jié)MOSFET (SuperFet)

SuperFet有3個版本:快速驅(qū)動(FAST)、易驅(qū)動(Easy Drive)和快恢復(fù)(FRFET)。FAST版本適用于硬開關(guān)拓?fù)?,小Qg和Eoss有助于實現(xiàn)高能效。易驅(qū)動版本適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)洌瑑?nèi)置門極電阻(Rg)和優(yōu)化的電容,EMI低。FRFET版本適用于軟開關(guān)拓?fù)?,Qrr和Trr較小,提供更好的系統(tǒng)可靠性和強(qiáng)固性。

表1為安森美半導(dǎo)體的一些汽車級SuperFet III MOSFET,具有出色的體二極管反向恢復(fù)特性。

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表1:安森美半導(dǎo)體的汽車SuperFet III MOSFET

2. 模塊

相較分立方案,MOSFET模塊在PCB布板設(shè)計、制造工藝、尺寸/重量、抗噪性能、散熱效率等方面都有顯著的優(yōu)勢。如安森美半導(dǎo)體的APM16模塊,采用同1個封裝外形,可兼容不同的拓?fù)?,從系統(tǒng)散熱性和布局等方面優(yōu)化設(shè)計。

3. SiC方案

隨著電動汽車兩次充電間更多的里程和更快的充電時間,對更高能效和更高功率密度的需求也隨之增加。寬禁帶技術(shù)滿足這些要求,提供更快開關(guān)、更低功耗、更高功率密度、更高工作溫度,從而實現(xiàn)更高能效、緊湊、更佳散熱性和更高可靠性的方案。

SiC二極管比硅二極管提供更強(qiáng)固的抗浪涌及雪崩能力。安森美半導(dǎo)體的汽車級1200 V SiC二極管的電流規(guī)格主要有10 A、20 A、40 A,采用TO247-3L、TO247-2L或D2pak封裝,汽車級650 V SiC二極管有6 A、8 A、10 A、20 A、30 A、50 A、集成兩個獨立的10 A或兩個獨立的20 A等電流規(guī)格,提供TO247-3L、TO247-2L、TO220-2L、TO220-3L、D2pak或Dpak封裝。

從應(yīng)用角度看,對于給定的裸芯尺寸,SiC MOSFET比超結(jié)MOSFET或IGBT有更低的導(dǎo)通電阻,Rds-on 對溫度的依賴比超結(jié)MOSFET少一半,提供更好的熱導(dǎo)率,適用于高溫環(huán)境,更高的開關(guān)速度支持高頻工作和減少無源器件數(shù),體二極管的反向恢復(fù)幾乎為零(低結(jié)電容),但Vf較高。SiC MOSFET可硬開關(guān)。適當(dāng)?shù)拈T極驅(qū)動選擇是個關(guān)鍵要求。關(guān)態(tài)下建議使用負(fù)電壓以防止橋拓?fù)渲械募纳鷮?dǎo)通(或擊穿)效應(yīng)。安森美半導(dǎo)體的汽車900 V SiC MOSFET的門極驅(qū)動電平提供+15 V/-5 V的驅(qū)動電源,RDS(on)有20 m?、30 m?、60 m?和80 m?的規(guī)格,采用TO247-3L、D2pak7L封裝或裸芯;1200 V SiC MOSFET的門極驅(qū)動電平則提供+20 V/-5 V的驅(qū)動電源,RDS(on)有20 m?、40 m?和80 m?的規(guī)格,采用TO247-3L、D2pak7L封裝或裸芯。

高壓輔助電源方案

電動/混動汽車高壓輔助電源方案用于如電動增壓器、交流壓縮機(jī)、EPS、減搖、散熱風(fēng)扇、液壓泵、空調(diào)壓縮機(jī)和PTC加熱器等車輛子系統(tǒng)。推薦用安森美半導(dǎo)體的汽車高壓ASPM模塊,其優(yōu)勢有:集成度高、外形緊湊、超低熱阻(<0.37 K/W)、確保175°C的結(jié)溫、出色的強(qiáng)固性、超長的使用壽命、設(shè)計周期及裝配流程短、通過汽車認(rèn)證。

如圖3所示,針對空調(diào)電動壓縮機(jī),采用ASPM模塊的方案比分立方案更緊湊,且散熱性更好,并提供強(qiáng)大的隔離電壓,整體性價比也得以提升。

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圖3:分立方案 vs. ASPM模塊方案用于電動/混動汽車空調(diào)電動壓縮機(jī)

ASPM模塊采用的封裝技術(shù)是直接覆銅(DBC)。DBC基板有兩種材料可選:AI2O3和氮化鋁(AIN)。AIN的熱導(dǎo)率約為AI2O3的7倍,適用于更高功率的應(yīng)用場合。

安森美半導(dǎo)體提供650 V ASPM@27系列和1200 V ASPM@34系列,分別針對400 V以下的電池系統(tǒng)和電池電壓略高但低于800 V的場合。這些ASPM集成IGBT(具有優(yōu)化的門極驅(qū)動)、高速HVIC和豐富的保護(hù)特性,規(guī)格如表2所示。

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表2:650 V ASPM@27系列(左)和1200 V ASPM@34系列(右)

48 V方案

48 V雙電壓結(jié)構(gòu)是在汽車邁向純電動的進(jìn)程中衍生出的一種新興技術(shù),能比12 V電池驅(qū)動更高的功率負(fù)載,實現(xiàn)更高的能效和降低排放。

針對48 V皮帶起動機(jī)(BSG),關(guān)鍵器件有80 V至100 V  分立MOSFET、APM17/15 半橋模塊、半橋門極驅(qū)動器、電流檢測放大器和運放。針對48 V-12 V DC-DC轉(zhuǎn)換器,關(guān)鍵器件有80 V/ 100V MOSFET用于buck-boost 開關(guān)、30V/40V MOSFET 用于OR-ing 和安全關(guān)斷、半橋 MOSFET驅(qū)動器和電流檢測運放。采用48 V電機(jī)的輔助負(fù)載主要有增壓器、減搖系統(tǒng)、EPS、發(fā)動機(jī)散熱風(fēng)扇、水泵、空調(diào)壓縮機(jī)等,關(guān)鍵器件有80 V/100 V MOSFET、MOSFET 模塊、門極驅(qū)動器、電流檢測放大器、LDO、DC-DC、系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片(SBC)、CAN 接口。

安森美半導(dǎo)體提供廣泛的中低壓MOSFET陣容,并具有世界最好性能的內(nèi)核封裝技術(shù),如TOLL、Power88、SO-8FL、u8FL,比傳統(tǒng)的封裝如D2PAK、DPAK、SOT-223等實現(xiàn)更低阻抗、更低電感和更小占位,可充分發(fā)揮大電流密度能力,改善散熱性,提高功率密度。公司廣泛的封裝陣容確保在40 V至100 V的中低壓MOSFET每一擊穿電壓都有全球最低的導(dǎo)通電阻率。

采用模塊方案可減少整體系統(tǒng)尺寸和成本,簡化熱設(shè)計。安森美半導(dǎo)體用于48 V中度混動汽車的APM方案陣容主要有APM20、APM17、APM15、APM19和APM11,基于DBC的結(jié)構(gòu),根據(jù)電動壓縮機(jī)、電動增壓器、起動發(fā)電一體機(jī)(ISG)、BSG、EPS等不同系統(tǒng)的不同功率需求和電壓等級,用于不同的拓?fù)洹?/p>

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圖4:APM 方案用于48 V 中度混動汽車

電流檢測方案

電流檢測很重要。安森美半導(dǎo)體提供廣泛的低邊及高邊檢測的單、雙向電流檢測放大器陣容,具有領(lǐng)先的高集成度和高精度,如NCV21xR 26 V電流檢測放大器特別適用于車載充電器、動力總成、車身控制和安全的電機(jī)控制系統(tǒng)、信息娛樂、照明等電動/混動汽車應(yīng)用。

汽車照明

車燈有助于打造汽車個性化外型,和在主動安全發(fā)揮重要作用,如某個牌子的車,車燈轉(zhuǎn)向時,有亮麗、酷炫的效果,帶給用戶不一樣的用戶體驗。這些都是通過智能的車燈控制系統(tǒng)實現(xiàn)的。安森美半導(dǎo)體在車燈控制方面有非常豐富的產(chǎn)品,包括LED前大燈、自適應(yīng)前照燈和矩陣光束大燈、尾燈、防滑系統(tǒng)和迎賓尾燈、內(nèi)部RGB等。比如說前燈,第四代已經(jīng)在開發(fā)當(dāng)中,是高電壓、高功率的產(chǎn)品,可以實現(xiàn)剛才提到帶有控制功能的、做出一些復(fù)雜圖案的燈光控制。

電子保險絲(eFuse)

隨著汽車增長的功能電子化,設(shè)計中還需要考慮使用eFuse和SmartFET實現(xiàn)診斷和保護(hù)功能。eFuse模仿機(jī)械保險絲的行為,通過跳閘,進(jìn)入電流限制模式,并使用可控的熱阻以關(guān)斷,可自復(fù),還包含額外的控制和診斷功能。SmartFETs被優(yōu)化用于車內(nèi)的許多地方,如發(fā)動機(jī)控制模塊(ECM)、車身控制模塊(BCM)等。安森美半導(dǎo)體的SmartFETs和eFuse通過使用先進(jìn)的功能來延長器件使用壽命,且不再需要人工替換繼電器或保險絲,滿足對更高質(zhì)量和可靠性的要求,從而使車廠能夠創(chuàng)建對任何故障事件立即作出響應(yīng)的配電網(wǎng)。

總結(jié)

安森美半導(dǎo)體是唯一能提供全面的電動動力總成方案、和少數(shù)同時具備硅、SiC技術(shù)的供應(yīng)商,提供全面的高性能、高能效、通過汽車認(rèn)證的功率分立半導(dǎo)體和模塊,以及最先進(jìn)的封裝技術(shù),和可根據(jù)客戶需求定制方案,并不斷創(chuàng)新,推進(jìn)汽車智能化、電動/混動汽車、48 V汽車功能電子化進(jìn)程,幫助汽車動力提升能效,促進(jìn)節(jié)能減排。



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