意法半導(dǎo)體650V高頻IGBT利用最新高速開關(guān)技術(shù)提升應(yīng)用性能

中國(guó)，2019年4月30日——意法半導(dǎo)體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場(chǎng)截止（TFS）技術(shù)，可提高PFC轉(zhuǎn)換器、電焊機(jī)、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器等中高速應(yīng)用設(shè)計(jì)的能效和性能。該系列還包括符合AEC-Q101 Rev. D標(biāo)準(zhǔn)的汽車級(jí)產(chǎn)品。

新HB2系列屬于STPOWER?產(chǎn)品家族，更低(1.55V)的 VCEsat 飽和電壓確保導(dǎo)通性能極其出色；更低的柵極電荷使其能夠在低柵極電流條件下快速開關(guān)，提高動(dòng)態(tài)開關(guān)性能；出色的熱性能有助于最大限度地提高可靠性和功率密度，同時(shí)新系列還是市場(chǎng)上極具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品。

HB2系列IGBT提供三個(gè)內(nèi)部二極管選項(xiàng)：全額定二極管、半額定二極管或防止意外反向偏置的保護(hù)二極管，從而為開發(fā)者提供更多的自由設(shè)計(jì)權(quán)，根據(jù)特定應(yīng)用需求優(yōu)化動(dòng)態(tài)性能。

新650V器件的首款產(chǎn)品40A STGWA40HP65FB2現(xiàn)已上市，采用TO-247長(zhǎng)引腳封裝。