長(zhǎng)江存儲(chǔ)年底量產(chǎn)64層3D NAND產(chǎn)品，2020年擴(kuò)產(chǎn)恐沖擊NAND Flash價(jià)格

May 14, 2019 ---- 作為NAND Flash發(fā)展主力的長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年底前將依照進(jìn)程正式量產(chǎn)64層X(jué)tacking 3D NAND產(chǎn)品。對(duì)此，集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）指出，隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)2020年產(chǎn)能逐步擴(kuò)大，全球NAND Flash市場(chǎng)供給與價(jià)格將受到?jīng)_擊。

集邦咨詢還指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)初期著重國(guó)內(nèi)市場(chǎng)銷售，已于第一季送交樣品給部分客戶及控制器廠商。此外，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已完成武漢廠的建設(shè)，并有限投產(chǎn)32層產(chǎn)品。待64層正式量產(chǎn)后，產(chǎn)能擴(kuò)張將轉(zhuǎn)趨積極。2020年后其產(chǎn)能規(guī)劃將逐步放大，預(yù)計(jì)到年底擴(kuò)張達(dá)至少60K/m的投片量。盡管相對(duì)其他競(jìng)爭(zhēng)者動(dòng)輒200K/m以上的產(chǎn)能并不算大，但預(yù)估NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格仍會(huì)受到一定沖擊，進(jìn)而導(dǎo)致跌價(jià)趨勢(shì)持續(xù)。

集邦咨詢分析，一方面，中國(guó)新開產(chǎn)能以達(dá)成自給的目標(biāo)相當(dāng)明確，另一方面，國(guó)際廠商為適應(yīng)2020年后的競(jìng)爭(zhēng)提升產(chǎn)能（包含三星西安二期、東芝巖手縣新廠、美光新加坡三廠、SK Hynix M15廠的剩余空間加上后續(xù)的M16廠房等），預(yù)期未來(lái)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)恐將更為激烈。

為縮短與一線廠1-2年的技術(shù)差距，長(zhǎng)江存儲(chǔ)明年直攻128層產(chǎn)品

觀察六大供應(yīng)商發(fā)展?fàn)顩r，目前主流出貨多在64/72層產(chǎn)品，并已量產(chǎn)92/96層的產(chǎn)品，目前正提供客戶UFS、SSD等產(chǎn)品樣品導(dǎo)入，然而新制程的擴(kuò)產(chǎn)受到今年市況影響，供應(yīng)商自去年年底以來(lái)逐步調(diào)降資本支出并減緩擴(kuò)產(chǎn)時(shí)程，甚至有部分供應(yīng)商決定減產(chǎn)，導(dǎo)致新制程比重成長(zhǎng)較為緩慢。

反觀長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展規(guī)劃，在推出64層產(chǎn)品后，相較于其他供應(yīng)商先發(fā)展9x層的步調(diào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將直攻128層以縮減與其他供應(yīng)商的差距，主要供應(yīng)商則規(guī)劃在2020年量產(chǎn)128層產(chǎn)品。盡管長(zhǎng)江存儲(chǔ)在技術(shù)發(fā)展上仍與主要供應(yīng)商有相當(dāng)差距，但未來(lái)對(duì)市場(chǎng)的影響恐怕勢(shì)難抵擋。

全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢（TrendForce）將在2019年5月31日（周五）COMPUTEX期間，于臺(tái)北國(guó)際會(huì)議中心舉辦“Compuforum 2019：資料經(jīng)濟(jì)大未來(lái)”研討會(huì)。