GaN材料的優(yōu)勢和EPC的技術(shù)產(chǎn)品

EPC（宜普電源轉(zhuǎn)換公司）是基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，率先推出替代功率MOSFET器件的硅基增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管。近日，電子產(chǎn)品世界的記者訪問了EPC公司的相關負責人，請他們介紹了GaN材料的優(yōu)勢及EPC產(chǎn)品。

問：與當下常用的Si MOSFET功率器件相比，GaN器件具有哪些優(yōu)于MOSFET 的特殊材料特點？

答：與MOSFET和IGBT相比，硅基氮化鎵（GaN）晶體管具更快速的開關速度，約比前者快10倍，比后者快約100倍。這種高頻特性，使其可用于許多新的應用中，如4G/LTE基站的RF包絡跟蹤技術(shù)、自功駕駛汽車、機器人、無人機、安保系統(tǒng)及無線電源應用的激光雷達系統(tǒng)。

此外，與硅MOSFET相比，氮化鎵晶體管在體積上要小得多，約比硅MOSFET小5至10倍。這樣，設計人員就可以顯著地提高其設計的功率密度。

使用氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）和集成電路，設計人員可降低傳導損耗、開關損耗、電容損耗，還可降低驅(qū)動功率，減小器件的體積和降低成本。采用基于氮化鎵材料的器件，可提高產(chǎn)品的性能及降低成本，這一切都意味現(xiàn)在該是創(chuàng)新功率設計師采用GaN器件的時候了。

問：貴司的GaN器件及技術(shù)的市場前景如何？

答：利用GaN優(yōu)異性能的應用繼續(xù)擴展，同時，GaN用戶的知識基礎不斷拓寬。目前，全球我們已經(jīng)可以看到，GaN使能的自動駕駛汽車行駛在路上。氮化鎵場效應晶體管和集成電路大大改善了面向高速、節(jié)能的包絡跟蹤供電的數(shù)字通信。此外，大面積無線電源的出現(xiàn)，無線世界的夢想可進一步得以實現(xiàn)。

此外，在EPC最新一代場效應晶體管和新型集成電路跑贏大市的背景下，GaN技術(shù)繼續(xù)發(fā)展，同時，該技術(shù)在成本上與硅基產(chǎn)品相約。產(chǎn)品具備優(yōu)異的性能并加上其極具競爭能力的定價，激勵傳統(tǒng)上保守的設計工程師開始在不同的應用中使用GaN器件，包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC轉(zhuǎn)換器及自動駕駛汽車等應用。目前的趨勢已經(jīng)看到，新型48 VIN  DC/DC供電（隔離型和非隔離型）在高端計算和自動駕駛汽車應用采用了EPC最新的氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）。

氮化鎵器件可以大大提升電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的性能，是基于它的優(yōu)勢——它在相同的襯底上可以同時集成功率級和信號級器件。在過去的數(shù)年間，EPC（宜普公司）努力不懈地開發(fā)出客戶專用的GaN集成電路。當推出更復雜的基于單片GaN集成電路的解決方案后，其電路性能比硅基解決方案更為優(yōu)越，而且對于電源系統(tǒng)工程師來說，采用氮化鎵場效應晶體管，更容易完善其設計。