“新基建”或?qū)⒊蔀橐吆笾亟ㄗ畲髣?dòng)力，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來新機(jī)遇（下）

如果我們把前互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代稱之為互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的話，那么當(dāng)前則從以軟件服務(wù)為核心的互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代向以硬件服務(wù)為核心的工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代轉(zhuǎn)變。特別是在疫情期間14億人宅在家的流量井噴讓我們所有人都意識(shí)到了通信網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心的重要意義。

在當(dāng)前的節(jié)點(diǎn)之上，幾乎上至國家，下至企業(yè)，所有人都認(rèn)識(shí)到了硬科技生態(tài)體系對(duì)于中國經(jīng)濟(jì)的重要意義，這也是為什么國家提出了新基建，而資本市場(chǎng)也把所有的目光都聚焦到了新基建上面的根本原因。

從中長期看， 中國企業(yè)上“云”、數(shù)字化的趨勢(shì)不可逆轉(zhuǎn)，經(jīng)過此次疫情，預(yù)計(jì)進(jìn)度還將加快，數(shù)字經(jīng)濟(jì)的趨勢(shì)已經(jīng)勢(shì)不可擋，在這個(gè)時(shí)候其實(shí)對(duì)于數(shù)字經(jīng)濟(jì)的基礎(chǔ)設(shè)施要求反而更高。

截至3月1日，包括北京、上海、江蘇、福建、河南、重慶等在內(nèi)的 13 個(gè)省市區(qū)發(fā)布了 2020 年重點(diǎn)項(xiàng)目投資計(jì)劃清單，包括 10326 個(gè)項(xiàng)目，其中 8 個(gè)省份公布了計(jì)劃總投資額，共計(jì) 33.83 萬億元。如此高的新基建投入，讓所有人不得不相信，這個(gè)大風(fēng)口正在全面到來。

5G、大數(shù)據(jù)中心、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等多個(gè)領(lǐng)域加速崛起，為半導(dǎo)體行業(yè)帶來了新的增長動(dòng)力。

“新基建”助力第三代半導(dǎo)體發(fā)展

以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子遷移率高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。以第三代半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)制備的電子器件是支撐“新基建”5G基建、特高壓、城際高速鐵路和城際軌道交通、新能源汽車充電樁等領(lǐng)域的關(guān)鍵核心器件。

隨著“新基建”政策的進(jìn)一步推進(jìn)，以碳化硅和氮化鎵為核心的第三代半導(dǎo)體必然會(huì)是受益者。貫穿于“新基建”中的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品包括：

?以碳化硅以及IGBT為核心的功率半導(dǎo)體：主要支撐了新能源汽車、充電樁、基站/數(shù)據(jù)中心電源、特高壓以及軌道交通系統(tǒng)；SiC基SBD、MOSFET及GaN基HEMT功率器件是特高壓輸電、軌道交通和新能源汽車的核心器件。

?以氮化鎵為核心的射頻半導(dǎo)體：主要支撐的是5G基站以及工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)建設(shè)；GaN基射頻器件是5G基站核心器件之一， GaN基LED可見光通信是5G 通信的重要組成部分，5G基建將直接促進(jìn)Mini/Micro-LED 4K/8K高清顯示及VR/AR等數(shù)據(jù)高容量存儲(chǔ)、大流量傳輸和快速度響應(yīng)有強(qiáng)烈需求的相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

?以AI芯片為核心的SOC芯片、人工智能芯片：主要支撐的是數(shù)據(jù)中心、人工智能系統(tǒng)建設(shè)；在人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中，基于第三代半導(dǎo)體的傳感器產(chǎn)品在市場(chǎng)上還相對(duì)較少，這些產(chǎn)品目前仍處于實(shí)驗(yàn)室研發(fā)階段。

目前碳化硅和氮化鎵發(fā)展的比較成熟，所以，其生產(chǎn)成本也在不斷的降低，此后，它將會(huì)憑借著自身出色的性能突破硅基材料的瓶頸，從而有望引領(lǐng)新一輪的產(chǎn)業(yè)革命。而憑借著“新基建”政策，我國第三代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展也將得到保證，這樣在全球化市場(chǎng)上，也會(huì)有一席之地。

另外，以上是從“新基建”的角度說寬禁帶/第三代半導(dǎo)體，實(shí)際上寬禁帶/第三代半導(dǎo)體的核心應(yīng)用還有在光電領(lǐng)域，比如2014年獲得諾貝爾獎(jiǎng)的中村修二就是做氮化鎵藍(lán)光器件。

產(chǎn)業(yè)界的布局實(shí)際上比較早，比如以下幾個(gè)廠商：

?小米是全球氮化鎵功率器件領(lǐng)導(dǎo)生產(chǎn)商N(yùn)avitas的股東，拆解小米氮化鎵充電器，其中NV6115_NV6117器件應(yīng)用其中。

?華為參股了山東天岳，天岳作為中國為數(shù)不多的碳化硅襯底企業(yè)，碳化硅對(duì)于功率和射頻的重要意義不言而喻。

?2016年，大陸收購AIXTRON被否，然后中微半導(dǎo)體熱炒的原因，都是與第三代半導(dǎo)體有關(guān)。

?疫情以來，紫外LED消毒技術(shù)也將氮化鎵推上一個(gè)風(fēng)口，可以看看中科院半導(dǎo)體所在山西的公司布局。

面上是大家看到的，面下是以碳化硅與氮化鎵為核心的第三代半導(dǎo)體的暗潮洶涌。在這一輪“新基建”的催化下，資本的嗅覺已經(jīng)開始發(fā)動(dòng)。

“新基建”釋放新動(dòng)能 國產(chǎn)芯片趁勢(shì)崛起

2020年，國產(chǎn)替代還將會(huì)是國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主線，在國家政策的扶持下，國產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)正在加速突圍，積極打造完整的芯片代工、封裝、測(cè)試以及配套設(shè)備和材料等產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展格局，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵裝備、材料的全面國產(chǎn)化。

與此同時(shí)，“新基建”的航行恰逢國產(chǎn)替代正成為國內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的主線，兩者交匯將會(huì)釋放新動(dòng)能。在“新基建”動(dòng)能的釋放下，芯片產(chǎn)業(yè)將迎發(fā)展“春天”，有望引導(dǎo)我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入新一輪發(fā)展周期。

新基建大量新增的需求，諸多重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目將尋求經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型、數(shù)字化轉(zhuǎn)型、節(jié)能環(huán)保轉(zhuǎn)型，進(jìn)行顛覆式行業(yè)創(chuàng)新。這會(huì)為國內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展帶來新的機(jī)遇，特別是在國產(chǎn)替代方面也留足了充分的發(fā)展空間。同時(shí)，通過參與新基建建設(shè)，國內(nèi)廠商也得以掌握核心技術(shù)，進(jìn)入供應(yīng)鏈的核心環(huán)節(jié)，加速實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化替代。

目前，我國已有四條4/6英寸SiC生產(chǎn)/中試線和三條GaN生產(chǎn)/中試線相繼投入使用，并在建多個(gè)與第三代半導(dǎo)體相關(guān)的研發(fā)中試平臺(tái)。國產(chǎn)化的單晶襯底、外延片所占市場(chǎng)份額不斷擴(kuò)大，國產(chǎn)化的SiC二極管和MOSFET開始進(jìn)入市場(chǎng)。

不過，在頭部廠商取得成績的背后，我國整體實(shí)力和產(chǎn)業(yè)化能力的提升，還有待進(jìn)一步加強(qiáng)。國內(nèi)半導(dǎo)體廠商在處理器、傳感器、微控制器、通信芯片和功率半導(dǎo)體等核心器件方面仍主要集中在中低端市場(chǎng)，模擬芯片方面幾乎被國際巨頭壟斷，這是既須正視的現(xiàn)實(shí)，也是努力的方向。

除了海思、紫光展銳、中星微這些資深玩家，造芯新勢(shì)力也在迅速崛起，甚至不乏阿里、百度、格力、比亞迪這樣的跨界選手。相信隨著國內(nèi)互聯(lián)網(wǎng)巨頭進(jìn)軍芯片產(chǎn)業(yè)，國產(chǎn)自研芯片熱潮已經(jīng)到來，中國芯正在崛起。

綜合來看，擺脫國外依賴，掌握核心技術(shù)已經(jīng)成為共識(shí)，國產(chǎn)芯片的加速發(fā)展，使我國逐漸掌握半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心話語權(quán)，然而在中高端領(lǐng)域的發(fā)力，才是國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要角力點(diǎn)，讓我們拭目以待。

“新基建”中半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要注意的問題

新基建領(lǐng)域涉及的半導(dǎo)體領(lǐng)域眾多，反映國家對(duì)半導(dǎo)體業(yè)的重視，從立意上一定要攻克難關(guān)，但目前困難仍然重重，主要是缺領(lǐng)軍人才和先進(jìn)制程技術(shù)，包括前后道、設(shè)計(jì)及設(shè)備與材料，以及外部的一些阻力等。

目前，最大的問題在于如何推進(jìn)市場(chǎng)化，這樣才能避免出現(xiàn)許多地方政府雷同的項(xiàng)目上馬，缺乏可行性分析，導(dǎo)致同質(zhì)化厲害，力量難以集中。如果能集中力量辦大事，將會(huì)取得更為扎實(shí)的進(jìn)步。

半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)是一個(gè)成熟行業(yè)，屬于高資本長周期，并要不斷地迭代，其實(shí)是很辛苦的行業(yè)。刺激性的政策最大的問題就是它會(huì)促進(jìn)需求形成一個(gè)波峰，但在波峰之后就會(huì)迎來一個(gè)波谷，導(dǎo)致產(chǎn)能過剩，心態(tài)能否及時(shí)調(diào)整、風(fēng)險(xiǎn)能否擔(dān)當(dāng)都要加以考量。

雖然新基建的更新?lián)Q代將拉動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，但理想與現(xiàn)實(shí)總有“差距”：國內(nèi)具備創(chuàng)新性并實(shí)現(xiàn)盈利的IC設(shè)計(jì)公司仍然較少，晶圓制造和封測(cè)產(chǎn)能仍有較大的缺口，特別是在先進(jìn)工藝、先進(jìn)材料和關(guān)鍵產(chǎn)能等方面還較多依賴于國外。

在國產(chǎn)替代和新基建的背景下，還應(yīng)著力尋求技術(shù)突破、產(chǎn)能擴(kuò)充和加強(qiáng)人才培養(yǎng)。同時(shí)，防止結(jié)構(gòu)性產(chǎn)能過剩也要注重產(chǎn)品類型的全面布局和長期發(fā)展，避免扎堆于單一的短平快的中低端產(chǎn)品及市場(chǎng)，造成惡性競(jìng)爭(zhēng)。

政府政策的驅(qū)動(dòng)難以是普惠型的，國家對(duì)新基建項(xiàng)目雖然都會(huì)加大投入力度，但如何投入還沒有細(xì)化。以往的基建基本上都以國有企業(yè)為主導(dǎo)，效果也是立竿見影的。但新基建等行業(yè)上游涉及大量的民營企業(yè)，如何銜接還存在諸多障礙。只有充分發(fā)揮“新基建”對(duì)七大領(lǐng)域的政策落實(shí)，才能讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)真正的站在風(fēng)口上，最后的結(jié)果才能事半功倍。