安森美半導(dǎo)體發(fā)布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET

推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor)，近日發(fā)布 一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件 ，適用于功率密度、能效和可靠性攸關(guān)的高要求應(yīng)用。設(shè)計人員用新的SiC器件取代現(xiàn)有的硅開關(guān)技術(shù)，將在 電動汽車(EV)車載充電器(OBC) 、 太陽能逆變器 、 服務(wù)器電源(PSU) 、電信和 不間斷電源(UPS) 等應(yīng)用中實現(xiàn)顯著更好的性能。

安森美半導(dǎo)體新的車規(guī)AECQ101和工業(yè)級合格的650伏(V) SiC MOSFET基于一種新的寬禁帶材料，提供比硅更勝一籌的開關(guān)性能和更好的熱性能，因而提高系統(tǒng)級能效、功率密度，及減小電磁干擾(EMI)、系統(tǒng)尺寸和重量。

新一代SiC MOSFET采用新穎的有源單元設(shè)計，結(jié)合先進(jìn)的薄晶圓技術(shù)，可在650 V擊穿電壓實現(xiàn)同類最佳的品質(zhì)因數(shù)Rsp (Rdson * area)。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1采用D2PAK7L和To247封裝，具有市場最低的Rdson (12 mOhm)。 這技術(shù)還優(yōu)化能量損失品質(zhì)因數(shù)，從而優(yōu)化了汽車和工業(yè)應(yīng)用中的性能。 內(nèi)置門極電阻 (Rg)為設(shè)計人員提供更大的靈活性，而無需使用外部門極電阻人為地降低器件的速度。 更高的浪涌、雪崩能力和短路魯棒性都有助于增強耐用性，從而提供更高的可靠性和更長的器件使用壽命。

安森美半導(dǎo)體先進(jìn)電源分部高級副總裁Asif Jakwani在發(fā)布新品時說：“在現(xiàn)代電源應(yīng)用中，如電動汽車(EV)車載充電器(OBC)和可再生能源、企業(yè)計算及電信等其他應(yīng)用， 高能效、可靠性和功率密度是設(shè)計人員一直面臨的挑戰(zhàn)。這些新的SiC MOSFET比同等的硅開關(guān)技術(shù)顯著提高性能，使工程師能夠滿足這些具有挑戰(zhàn)性的設(shè)計目標(biāo)。 增強的性能降低損耗，從而提高能效，減少熱管理需求，并降低電磁干擾(EMI)。使用這些新的SiC MOSFET的最終結(jié)果是更小、更輕、更高效和更可靠的電源方案。”

新器件均為表面貼裝，并提供行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝類型，包括TO247和D2PAK。

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