意法半導(dǎo)體制造首批8吋碳化硅晶圓

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典Norrkoping工廠制造出首批8吋（200mm）碳化硅（SiC）晶圓，這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代功率電子芯片產(chǎn)品原型。將SiC晶圓升級(jí)到8吋代表著ST針對(duì)汽車和工業(yè)客戶的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃獲得重要階段性的成功，其鞏固了ST在此一開創(chuàng)性技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，且提升了功率電子芯片的輕量化和效能，降低客戶獲取這些產(chǎn)品的擁有總成本。
 

意法半導(dǎo)體制造首批8吋碳化硅晶圓

意法半導(dǎo)體首批8吋SiC晶圓質(zhì)量十分優(yōu)良，對(duì)于芯片良率和晶體位錯(cuò)誤之缺陷非常低。其低缺陷率歸功于意法半導(dǎo)體碳化硅公司（前身為Norstel，2019年被ST收購(gòu)）在SiC硅錠生長(zhǎng)技術(shù)深厚積累的研發(fā)技術(shù)。除了晶圓能滿足嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)之外，升級(jí)到8吋SiC晶圓還需要對(duì)制造設(shè)備和支持生態(tài)系統(tǒng)的升級(jí)。意法半導(dǎo)體正在與供應(yīng)鏈上下游技術(shù)廠商合作研發(fā)專屬的制造設(shè)備和生產(chǎn)制程。
意法半導(dǎo)體先進(jìn)的量產(chǎn)碳化硅STPOWER SiC目前由意大利卡塔尼亞和新加坡宏茂橋兩家6吋晶圓廠完成前段制程制造，后段制程制造則在中國(guó)深圳和摩洛哥布斯庫(kù)拉的兩家封測(cè)廠進(jìn)行。這個(gè)階段性的成功是意法半導(dǎo)體布局更先進(jìn)的、高成本效益之8吋SiC量產(chǎn)計(jì)劃的一部分。到2024年，升級(jí)到8吋SiC晶圓屬于公司正在執(zhí)行之新建碳化硅基板廠和內(nèi)部采購(gòu)碳化硅基板比重超過(guò)40%的計(jì)劃。
意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部總裁Marco Monti表示，汽車和工業(yè)市場(chǎng)正在加速推動(dòng)系統(tǒng)和產(chǎn)品電氣化的進(jìn)程，升級(jí)到8吋SiC晶圓將為我們的汽車和工業(yè)客戶帶來(lái)巨大優(yōu)勢(shì)。隨著擴(kuò)大產(chǎn)能，提升規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益至關(guān)重要。在覆蓋整個(gè)制造鏈的內(nèi)部SiC生態(tài)系統(tǒng)領(lǐng)域累積之深厚的專業(yè)知識(shí)，可提升我們的制造彈性，還能更有效地控制晶圓良率和改善質(zhì)量。
碳化硅是一種化合物半導(dǎo)體材料，在電動(dòng)汽車和工業(yè)制造過(guò)程等重要的高成長(zhǎng)之功率應(yīng)用領(lǐng)域，相較于與硅材料，碳化硅可提供更高的性能和效能。ST在SiC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位歸功于 25 年的專注和研發(fā)投入，其擁有 70 多項(xiàng)專利。這項(xiàng)顛覆性技術(shù)可達(dá)到更高效的電力轉(zhuǎn)換，更小且更輕量化的設(shè)計(jì)，同時(shí)節(jié)省更多系統(tǒng)設(shè)計(jì)的整體成本，這些都是決定車用和工業(yè)系統(tǒng)成功的關(guān)鍵參數(shù)和因素。相較于6吋晶圓，8吋晶圓更可以增加產(chǎn)能，將制造集成電路可用面積擴(kuò)大近一倍，合格芯片產(chǎn)能則為6吋晶圓的1.8~1.9 倍。