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X-FAB與萊布尼茨IHP研究所達(dá)成許可協(xié)議

—— 推出創(chuàng)新的130納米SiGe BiCMOS平臺
作者: 時(shí)間:2022-09-13 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠 Silicon Foundries(“”)與研究所今日共同宣布,將推出創(chuàng)新的130納米SiGe BiCMOS平臺,進(jìn)一步擴(kuò)大與萊布尼茨高性能微電子研究所(IHP)的長期合作關(guān)系。作為新協(xié)議的一部分,將獲得IHP的尖端SiGe技術(shù)授權(quán),將這一技術(shù)的性能優(yōu)勢帶給大批量市場的客戶群體。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202209/438129.htm

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130納米SiGe BiCMOS平臺

新創(chuàng)建的130納米平臺顯著加強(qiáng)了X-FAB的技術(shù)組合,提供了獨(dú)特的解決方案,達(dá)到滿足下一代通信要求所需的更高性能參數(shù)。受益于這項(xiàng)技術(shù)的領(lǐng)域包括Wi-Fi 6(和未來的Wi-Fi 7)接入點(diǎn),以及下一代蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施(特別是5G 毫米波與新興6G標(biāo)準(zhǔn))和車對車(V2V)通信;該技術(shù)還將在+100GHz雷達(dá)系統(tǒng)的開發(fā)中發(fā)揮關(guān)鍵作用,適用于汽車和消費(fèi)類應(yīng)用。

這項(xiàng)許可協(xié)議延續(xù)了2021年啟動(dòng)的合作,當(dāng)時(shí)X-FAB的銅后道工藝被添加至IHP的SG13S和SG13G2前端技術(shù)中,以提高可支持的帶寬數(shù)據(jù)。關(guān)于這一創(chuàng)新的SiGe平臺,X-FAB將于2022年第四季度開始與選定的早期合作廠商開展原型開發(fā)項(xiàng)目。早期準(zhǔn)入的PDK可實(shí)現(xiàn)原型設(shè)計(jì),而量產(chǎn)將在X-FAB法國位于巴黎附近的工廠進(jìn)行。

IHP科學(xué)總監(jiān)Gerhard Kahmen教授表示:“將IHP的HBTs整合至X-FAB的RF平臺,將為客戶打造真正與眾不同的SiGe BiCMOS技術(shù),這肯定會(huì)帶來切實(shí)的性能優(yōu)勢。我們雙方之間的技術(shù)轉(zhuǎn)讓,已成為工業(yè)與研究機(jī)構(gòu)攜手取得卓越成果的完美范例?!?/p>

“X-FAB和IHP在融合我們各自優(yōu)勢資源開發(fā)前沿半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)域擁有杰出的成績;雙方針對SiGe技術(shù)的最新協(xié)議將這一實(shí)踐帶入令人興奮的全新階段?!盭-FAB RF技術(shù)總監(jiān)Greg U'Ren博士表示,“這是雙方進(jìn)一步推進(jìn)SiGe BiCMOS相關(guān)創(chuàng)新的起點(diǎn),涵蓋了工業(yè)自動(dòng)化、消費(fèi)電子和車載等使用案例,將推動(dòng)在未來幾年內(nèi)對通信領(lǐng)域的重新定義?!?/p>


縮略語:

BiCMOS   雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體

HBT   異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管

mmW   毫米波

PDK   工藝設(shè)計(jì)套件

RF   射頻

SiGe   鍺硅



關(guān)鍵詞: X-FAB 萊布尼茨IHP

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