EPC新推150V封裝兼容的氮化鎵器件，讓高功率密度應(yīng)用實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET，讓高功率密度應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高的性能和更小的解決方案，包括DC/DC轉(zhuǎn)換、AC/DC SMPS和充電器、太陽(yáng)能優(yōu)化器和微型逆變器，以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。

EPC 是增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN?)功率FET和 IC 領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者，新推采用更耐熱的QFN封裝且可立即發(fā)貨的150 V EPC2308氮化鎵器件，用于電動(dòng)工具和機(jī)器人的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、用于工業(yè)應(yīng)用的80 V/100 V高功率密度DC/DC轉(zhuǎn)換器、用于充電器、適配器和電源供電的28V~54V同步整流器、智能手機(jī)USB快速充電器，以及太陽(yáng)能優(yōu)化器和微型逆變器。

EPC2308 GaN FET具有超小的導(dǎo)通電阻（R_DS(on)），典型值僅為4.9 mOhm，而且Q_G、Q_GD和Q_OSS的參數(shù)非常小，可實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通和開關(guān)損耗。它采用耐熱增強(qiáng)型QFN封裝，占板面積僅為3 mm x 5 mm，為最高功率密度應(yīng)用提供極小型化的解決方案。該封裝提供可濕潤(rùn)側(cè)面以簡(jiǎn)化組裝和檢查，而且頂部外露和具超低熱阻，從而可以通過(guò)散熱器實(shí)現(xiàn)高效散熱和更低的操作溫度。

EPC2308與之前發(fā)布的100 V、1.8 mOhm EPC2302和100 V、3.8 mOhm EPC2306的封裝兼容。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Alex Lidow說(shuō)：“EPC2308結(jié)合了150 V GaN FET的優(yōu)勢(shì)和易于組裝、更耐熱的QFN封裝。設(shè)計(jì)人員可以利用封裝GaN FET系列，實(shí)現(xiàn)用于電動(dòng)汽車和無(wú)人機(jī)的更小、更輕并以電池供電的BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、更高效的80 V輸入DC/DC轉(zhuǎn)換器、更高效的USB充電器和電源供電等應(yīng)用。”

EPC90148開發(fā)板采用最大器件電壓為 150 V、最大輸出電流為12 A的半橋器件EPC2308 GaN FET，旨在簡(jiǎn)化評(píng)估過(guò)程以加快產(chǎn)品推出市場(chǎng)時(shí)間。這款 2”x 2”（50.8 mm x 50.8 mm）開發(fā)板專為實(shí)現(xiàn)最佳開關(guān)性能而設(shè)計(jì)和包含了所有關(guān)鍵組件，便于評(píng)估。

EPC2308以1000片為單位批量購(gòu)買，每片價(jià)格為3.75美元。EPC90148開發(fā)板的單價(jià)為200美元。所有器件和開發(fā)板都可從Digi-Key立即發(fā)貨。

有興趣用GaN解決方案替換其硅MOSFET的設(shè)計(jì)人員可使用EPC GaN Power Bench的交叉參考工具，根據(jù)您所需的特定工作條件，我們將推薦合適的替代方案。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）是基于增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN^?）的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商，氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目標(biāo)應(yīng)用包括 直流-直流轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)（LiDAR）、用于電動(dòng)運(yùn)輸、機(jī)器人和無(wú)人機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，以及低成本衛(wèi)星等應(yīng)用。此外，宜普電源轉(zhuǎn)換公司繼續(xù)擴(kuò)大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列，為客戶提供進(jìn)一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。eGaN^? 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉(zhuǎn)換公司的注冊(cè)商標(biāo)。關(guān)注EPC公司優(yōu)酷。