意法半導(dǎo)體與Soitec合作開發(fā)碳化硅襯底制造技術(shù)

·       雙方同意對(duì)Soitec技術(shù)進(jìn)行產(chǎn)前驗(yàn)證， 以面向未來的8寸碳化硅襯底制造

·       提供關(guān)鍵半導(dǎo)體賦能技術(shù)，支持汽車電動(dòng)化和工業(yè)系統(tǒng)能效提升等轉(zhuǎn)型目標(biāo)

2022年12月8日，中國(guó)---- 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界先驅(qū)的創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)制造公司Soitec (巴黎泛歐證券交易所上市公司) 宣布了下一階段的碳化硅 (SiC)襯底合作計(jì)劃，由意法半導(dǎo)體在今后18 個(gè)月內(nèi)完成對(duì)Soitec碳化硅襯底技術(shù)的產(chǎn)前認(rèn)證測(cè)試。此次合作的目標(biāo)是意法半導(dǎo)體采用 Soitec 的 SmartSiC? 技術(shù)制造未來的8寸碳化硅襯底，促進(jìn)公司的碳化硅器件和模塊制造業(yè)務(wù)，并在中期實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部總裁 Marco Monti表示：“汽車和工業(yè)客戶正在加快推進(jìn)系統(tǒng)和產(chǎn)品的電動(dòng)化，升級(jí)到8寸 SiC 晶圓將為他們帶來巨大好處，因?yàn)?/span>產(chǎn)品產(chǎn)量提高對(duì)于推動(dòng)規(guī)模經(jīng)濟(jì)非常重要。ST選擇了一種垂直整合的制造模式，從高質(zhì)量的襯底，到大規(guī)模的前工序制造和后工序封測(cè)，在整個(gè)制造鏈中充分利用我們多年積累的專業(yè)技術(shù)專長(zhǎng)。我們希望通過與 Soitec 技術(shù)的合作，不斷提高良率和質(zhì)量。”

“隨著電動(dòng)汽車的到來，汽車行業(yè)正面臨巨變。Soitec通過尖端的 SmartSiC? 技術(shù)，將獨(dú)特的 SmartCut? 工藝用于碳化硅半導(dǎo)體材料，將在推進(jìn)電動(dòng)汽車普及方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。” Soitec 首席運(yùn)營(yíng)官 Bernard Aspar 表示：“將Soitec 的 SmartSiC? 襯底與ST行業(yè)率先的碳化硅技術(shù)和專長(zhǎng)整合，將改變汽車芯片制造的游戲規(guī)則，并樹立新的標(biāo)準(zhǔn)。”

碳化硅 (SiC) 是一種顛覆性的化合物半導(dǎo)體材料，在電動(dòng)汽車和工業(yè)制程領(lǐng)域重要的高增長(zhǎng)功率應(yīng)用中，碳化硅材料的固有性質(zhì)令碳化硅器件的性能和能效優(yōu)于硅基半導(dǎo)體。碳化硅可以實(shí)現(xiàn)更高效的電源轉(zhuǎn)換、更緊湊的輕量化設(shè)計(jì)，并節(jié)省整體系統(tǒng)設(shè)計(jì)成本——所有這些都是汽車和工業(yè)系統(tǒng)成功的關(guān)鍵參數(shù)和要素。從 6寸 晶圓升級(jí)到 8寸 晶圓，可以使制造集成電路的可用面積增加幾乎一倍，每個(gè)晶圓上的有效出片量達(dá)到升級(jí)前的1.8-1.9 倍，因此大幅增加產(chǎn)能。

SmartSiC? 是 Soitec 的專有技術(shù)，基于Soitec 專有的 SmartCut? 技術(shù)，從高質(zhì)量碳化硅供體晶圓上切下一個(gè)薄層，將其粘合到待處理的低電阻多晶硅晶圓片表面。如此加工后的襯底可有效提高芯片的性能和制造良率。此外，優(yōu)質(zhì)的碳化硅供體晶圓可以多次重復(fù)使用，因此可以大幅降低供體加工的總能耗。