戈登·摩爾離世 —— 斯人已逝,摩爾定律也已是“遲暮英雄” 終將曲終人散
英特爾公司和戈登與貝蒂·摩爾基金會(huì)宣布,英特爾公司聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾先生于當(dāng)?shù)貢r(shí)間2023年3月24日星期五在夏威夷家中,在家人陪伴下平靜離世,享年94歲。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202303/445113.htm1968年7月,戈登·摩爾和他長期合作的同事羅伯特·諾伊斯創(chuàng)立了英特爾。摩爾最初擔(dān)任執(zhí)行副總裁,自1975年起擔(dān)任總裁;1979年,摩爾被任命為董事會(huì)主席兼首席執(zhí)行官,直至1987年卸任首席執(zhí)行官的職位,并繼續(xù)擔(dān)任董事長;1997年,摩爾成為名譽(yù)主席,于2006年卸任。
摩爾定律的提出
除了創(chuàng)立英特爾,戈登·摩爾更為人熟知的成就,當(dāng)屬提出了計(jì)算機(jī)領(lǐng)域著名的定律 —— “摩爾定律”(Moore’s Law)。
1965年戈登·摩爾在《電子學(xué)》(Electronics)雜志35周年專刊上寫了一篇名為“讓集成電路填滿更多的元件”的短文,提出了基于實(shí)踐數(shù)據(jù)觀察的著名預(yù)測(cè)“摩爾定律”,即集成電路芯片上所集成的電路的數(shù)目,每隔12個(gè)月就翻一番,從而以指數(shù)方式提高計(jì)算機(jī)的數(shù)據(jù)處理能力。
后來逐步演化為每隔18-24個(gè)月翻一番,再后來又加上了經(jīng)濟(jì)含義,即單位晶體管的價(jià)格會(huì)每兩年減少一半。無論如何,芯片技術(shù)以指數(shù)級(jí)速度增長,不斷使電子產(chǎn)品變得更快、更小、更便宜,這個(gè)想法成為了半導(dǎo)體行業(yè)的驅(qū)動(dòng)力,使得芯片普遍用于成百上千萬的日常產(chǎn)品成為可能。
AI時(shí)代對(duì)摩爾定律的影響
雖然摩爾定律在歷史上發(fā)揮了舉足輕重的作用,但是隨著進(jìn)入AI時(shí)代,算力需求持續(xù)增加,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的變革也近在咫尺,業(yè)界關(guān)于“摩爾定律是否失效”的討論越來越多。
在黃仁勛看來:“摩爾定律已經(jīng)結(jié)束了”。隨著加速計(jì)算和人工智能時(shí)代的到來,摩爾定律的基本發(fā)展動(dòng)能已經(jīng)走到盡頭,以類似成本實(shí)現(xiàn)兩倍業(yè)績預(yù)期對(duì)于芯片行業(yè)來說已成為過去式。
從定律狹義角度來說,摩爾定律確實(shí)是死了。因?yàn)槟柖傻亩x是集成電路在單位成本及功耗變動(dòng)不大的條件下,晶體管數(shù)目提升一倍。也就是說,摩爾定律的精神在于集成電路性價(jià)比成本提升。但目前的發(fā)展已經(jīng)走到性價(jià)比裹足不前,顯然已經(jīng)不符合該定義了。
根據(jù)美國喬治敦大學(xué)沃爾什外交學(xué)院安全與新興技術(shù)中心(CSET)發(fā)布的研究數(shù)據(jù)顯示,臺(tái)積電一片采用3nm制程的12英寸晶圓,代工制造成本約為3萬美元,約為5nm成本1.7萬美元的1.75倍,也是7nm的3.21倍。在裸片(die)面積不變(即升級(jí)架構(gòu),不增加晶體管數(shù)量)、良率不變的情況下,未來蘋果A17處理器如果采用3nm制程,成本或?qū)⑸蠞q到154美元/顆,是iPhone第一大成本零部件。
隨著芯片架構(gòu)變得更加復(fù)雜,制程工藝越來越先進(jìn),硅晶片變得更加昂貴,而英偉達(dá)GPU和系統(tǒng)體系的發(fā)明,可以克服成本和通貨膨脹問題。黃仁勛想到的破局點(diǎn)之一是借助GPU所帶來的加速計(jì)算,“解決那些摩爾定律無法解決的,或者說在摩爾定律時(shí)代是不可能被解決的問題?!?/p>
黃仁勛將英偉達(dá)類比為臺(tái)積電,最近發(fā)布的“NVIDIA AI Foundations(英偉達(dá)AI基礎(chǔ)大模型)”,客戶甚至不用自己配置超級(jí)計(jì)算機(jī)服務(wù),直接借助英偉達(dá)DGX Cloud的AI超級(jí)計(jì)算云服務(wù),通過一個(gè)Web瀏覽器就能訓(xùn)練、訪問大模型產(chǎn)品。
但重返英特爾出任CEO的帕特·基辛格顯然并不認(rèn)同黃仁勛觀點(diǎn)。在悼念摩爾文章中,基辛格再次重申:“英特爾仍然受到摩爾定律的啟發(fā),并打算追求它,直到元素周期表用盡?!?/p>
無論是基辛格還是黃仁勛的說法,都展現(xiàn)的是企業(yè)自身對(duì)于公司最匹配的戰(zhàn)略方向考量,從系統(tǒng)角度來講,兩者觀點(diǎn)并不矛盾。從英特爾角度來說,它一直引領(lǐng)技術(shù)前進(jìn)方向,摩爾定律并沒有失效;而黃仁勛的說法,是預(yù)測(cè)GPU將推動(dòng)AI性能實(shí)現(xiàn)逐年翻倍,這不僅包含工藝節(jié)點(diǎn),還有系統(tǒng)體系、軟件算法、接口設(shè)計(jì)、數(shù)據(jù)傳輸?shù)葘?shí)現(xiàn)指數(shù)級(jí)提升。
“What Andy gives, Bill takes aways”(Andy指英特爾CEO安迪·格魯夫,Bill指的是微軟創(chuàng)始人比爾·蓋茨)。這句流傳甚廣的諺語大意是說,硬件性能的大幅度提升所帶來的廣闊空間,很快就會(huì)被軟件的發(fā)展消耗殆盡。相比起硬件,軟件的進(jìn)步則要容易得多,也快得多。另外從人們的體驗(yàn)來說,如果芯片只做制程工藝提升,不做任何優(yōu)化,性能體驗(yàn)提升并不會(huì)出現(xiàn)質(zhì)的飛躍。
其實(shí)早在2015年,摩爾定律50周年之際,退居幕后做慈善的戈登·摩爾接受紐約時(shí)報(bào)專欄作家托馬斯·弗里德曼采訪時(shí)直言:“摩爾定律”不會(huì)永遠(yuǎn)持續(xù)下去。
OpenAI公司首席執(zhí)行官、“ChatGPT之父”山姆·阿爾特曼也曾表示,新版摩爾定律很快要來了。我們已經(jīng)看到了摩爾定律的極限,盡管還沒有觸碰到,AI時(shí)代的摩爾定律或許正在孕育中,這可能是對(duì)戈登·摩爾最好的致敬。
摩爾定律的極限在哪里?
摩爾定律實(shí)現(xiàn)的維度主要分為制造、設(shè)計(jì)、封裝三方面。摩爾定律在制造端的提升已經(jīng)逼近極限,開始逐步將重心轉(zhuǎn)向封裝端和設(shè)計(jì)端。
隨著人工智能、新的非硅半導(dǎo)體材料、光電量子等新技術(shù)的加速,以及半導(dǎo)體工藝和體系結(jié)構(gòu)的改進(jìn),近年來,大家逐漸對(duì)于“摩爾定律”是否延緩或失效話題產(chǎn)生一定分歧,從而誕生出了多種技術(shù)演進(jìn)方案。
同時(shí),為了提升集成電路PPA:更高的性能,更低的功耗,更小的面積(成本),即使實(shí)現(xiàn)了晶體管堆積數(shù)量的增加,性能的提升,但是成本的飆升、高昂的價(jià)格讓越來越多的企業(yè)停下對(duì)先進(jìn)制程的追逐,思考摩爾定律本身的合理性。
摩爾定律是依據(jù)芯片工藝節(jié)點(diǎn)提出來的,工藝節(jié)點(diǎn)(nodes)是指芯片中MOS晶體管(一種金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種可變電流開關(guān))柵極的最小長度,其尺寸和晶體管大小成正比。它是我們接觸最多的芯片參數(shù),比如:10nm、7nm等。
當(dāng)節(jié)點(diǎn)是前一代的0.7倍(ITRS規(guī)劃的最合適倍數(shù))時(shí),芯片面積將降低一半(0.7X0.7=0.49),換言之,就是單位面積上晶體管的數(shù)量翻了一番,這便是摩爾定律提出的基礎(chǔ)。一般而言,每隔18-24個(gè)月,工藝節(jié)點(diǎn)就會(huì)發(fā)展一代。
毫無疑問的是,摩爾的預(yù)測(cè)能力在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的中早期(2000年之前)至少持續(xù)了20年,推動(dòng)了整個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。2000年之前,每一代芯片的性能提升來自兩個(gè)方面:一是按照Denard(登納德)微縮效應(yīng),每代芯片的頻率提升帶來了40%的改進(jìn);二是每代芯片晶體管密度提升帶來的體系結(jié)構(gòu)的改進(jìn)符合波拉克法則,即平方根級(jí)別的提升,達(dá)41%。將這兩方面的性能提升疊加,最終得到1.97倍,于是每代會(huì)有差不多一倍的提升,而且,芯片晶體管密度的“摩爾定律”可換算成性能的“摩爾定律”。
從行業(yè)角度來看,業(yè)界一直遵循這一定律,隨著年份推移而指數(shù)型尺寸微縮,從而誕生出90nm、65nm、45nm、32nm、28nm —— 每一代制程節(jié)點(diǎn)都能在給定面積上,容納比前一代多一倍的晶體管。
但是當(dāng)柵極縮小到20nm后,漏電率很高,平面型晶體管走到了盡頭;隨后三維鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)出爐,使芯片擴(kuò)展到5nm,延續(xù)了摩爾定律。不過4nm后,鰭式結(jié)構(gòu)也面臨著漏電問題,摩爾定律又面臨難題。
值得注意的是,立體晶體管還帶來一個(gè)改變,原來用數(shù)字代表工藝的提升,那個(gè)數(shù)字是可以量出來的,有具體意義的物理量。而如今更傾向于營銷概念,而它卻不是節(jié)點(diǎn)的長度,而是等效長度,這早已脫離當(dāng)初的摩爾定律了。
數(shù)字越小晶體管越密,7nm代表工藝比14nm更先進(jìn)比5nm落后,不代表晶體管上的任何尺寸 —— 3nm不是晶體管寬度3nm,拿尺子量,找不到任何一個(gè)3nm的尺寸。
并且隨著材料極限的接近,摩爾定律終將失效。因?yàn)樾酒羞B接晶體管的線寬如果只有1nm(幾個(gè)原子大?。?,其材料性質(zhì)會(huì)發(fā)生變化,導(dǎo)致無法正常工作。
從摩爾定律的這段歷史和時(shí)間表可以明顯看出三個(gè)獨(dú)立的階段。
? 第一階段:當(dāng)晶體管密度由登納德定標(biāo)控制時(shí),從1965年的公式延伸到大約2005年。
? 第二階段:是半導(dǎo)體管芯的尺寸水平擴(kuò)展(“更大的芯片”),通常是通過增加核心數(shù)量(核心是一個(gè)小的CPU或內(nèi)置在更大的CPU中的處理器),從2005年左右延伸到2020年,屆時(shí)管芯尺寸達(dá)到實(shí)際極限。
? 第三階段:始于半導(dǎo)體管芯首先垂直縮放,然后通過新的步驟擴(kuò)展以保持摩爾定律的有效性。復(fù)雜的3D結(jié)構(gòu),以及更多的材料、架構(gòu)、連接選項(xiàng)和封裝進(jìn)步(小芯片等),所有行業(yè)都必須從設(shè)計(jì)到制造再到過程控制和測(cè)試,才能實(shí)現(xiàn)第三階段的變化。
實(shí)際上,芯片性能的提升主要涉及半導(dǎo)體工藝和體系結(jié)構(gòu)的改進(jìn),性能提升的同時(shí),能耗也在提升。但如今,Denard微縮效應(yīng)遇到了元件物理的瓶頸,早已失效,單核性能的提升沒法純粹依靠主頻的提升。
于是,行業(yè)內(nèi)出現(xiàn)了多核處理器、AI 芯片、專用集成電路(ASIC)或FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列)芯片等,以提升芯片吞吐量性能,而非單個(gè)核心的計(jì)算性能。開始進(jìn)入“后摩爾時(shí)代”。
后摩爾時(shí)代的發(fā)展趨勢(shì)主要有:面向邏輯與存儲(chǔ)的先進(jìn)數(shù)字半導(dǎo)體產(chǎn)品的三維異構(gòu)集成化;極多功能泛模擬產(chǎn)品的復(fù)雜異質(zhì)集成化;利用云端數(shù)據(jù)中心、終端綜合識(shí)別傳感應(yīng)用,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與產(chǎn)品的持續(xù)多樣化。
目前業(yè)內(nèi)對(duì)于所謂“后摩爾時(shí)代”有三大業(yè)務(wù)方向:More Moore(深度摩爾)、More than Moore(超越摩爾)、Beyond CMOS(新器件),主要在學(xué)術(shù)、產(chǎn)業(yè)兩方面進(jìn)行探索。
其中在學(xué)術(shù)方面,近年來,學(xué)術(shù)界在晶體管方面做出諸多探索,從而繞道解決“摩爾定律”延緩問題;相對(duì)于學(xué)術(shù)界的不計(jì)成本,產(chǎn)業(yè)行業(yè)人士則認(rèn)為,企業(yè)端、產(chǎn)業(yè)端擁有很強(qiáng)的市場(chǎng)需求,對(duì)于“后摩爾時(shí)代”的落地應(yīng)用則更為實(shí)際,擁有更多的價(jià)值。
但比如Chiplet是半導(dǎo)體封裝技術(shù),而量子,光電以及類腦等能不能在性能,通用性,以及經(jīng)濟(jì)效益上取代摩爾定律,還未有定論。
盡管當(dāng)下“摩爾定律”還沒死去,但人們已經(jīng)在尋求“摩爾定律”放緩下新的技術(shù)創(chuàng)新了。短期內(nèi)“摩爾定律”還會(huì)繼續(xù)發(fā)展,當(dāng)然不排除有一個(gè)革命性的技術(shù)來推翻定律??赡?年、10年之后就會(huì)有突破性革命技術(shù)誕生,比如量子、光電、新的化合物等,完全推翻了我們以前用硅做芯片。但現(xiàn)在這個(gè)階段,硅芯片下的摩爾定律還是會(huì)往前走的,因?yàn)檫@是我們一個(gè)重要的技術(shù)迭代的媒介與平臺(tái)。
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