突破摩爾定律 原子級芯片取得革命性突破

據(jù)報道，麻省理工學院的研究團隊最近成功開發(fā)出了一種基于二硫化鉬的原子級薄晶體管，這個突破將對芯片技術(shù)的發(fā)展產(chǎn)生重大影響。傳統(tǒng)的半導體芯片是由塊狀材料制成，呈方形的3D結(jié)構(gòu)，將多層晶體管堆疊起來實現(xiàn)更密集的集成非常困難。而這種原子級的薄晶體管則由超薄的二維材料制成，每個晶體管只有3個原子厚，可以堆疊起來制造更強大的芯片。

這項技術(shù)的突破將有望推動芯片技術(shù)的發(fā)展進入一個新的階段，突破摩爾定律的天花板，為高性能計算、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等領域帶來重大影響。此外，這種技術(shù)還可以為柔性電子設備、可穿戴技術(shù)和智能紡織品等領域提供強大的支持，將半導體集成到衣服或筆記本等日常用品上。

A股公司中，德爾未來（002631）控股子公司烯成石墨烯有二硫化鉬制備設備的技術(shù)儲備，主要用于制備二硫化鉬二維半導體材料。金鉬股份（601958）是亞洲最大的鉬業(yè)公司，二硫化鉬等項目已完成環(huán)保驗收，成功打通二硫化鉬新線，有效支撐二硫化鉬可持續(xù)發(fā)展。