Diodes推出符合汽車規(guī)格的碳化硅MOSFET產(chǎn)品，可提升車用子系統(tǒng)效率

【2023 年 7 月 19 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出 DMWSH120H90SM4Q 和 DMWSH120H28SM4Q 兩款符合汽車規(guī)格的碳化硅 (SiC) MOSFET，進(jìn)一步強(qiáng)化寬能隙 (Wide-Bandgap) 產(chǎn)品陣容。此系列 N 信道 MOSFET 產(chǎn)品可滿足市場對 SiC 解決方案不斷增長的需求，提升電動與混合動力汽車 (EV/HEV) 車用子系統(tǒng)的效率及功率密度，例如電池充電器、車載充電器 (OBC)、高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、馬達(dá)驅(qū)動器及牽引變流器。

DMWSH120H90SM4Q 可在最高 1200V_DS 范圍內(nèi)安全可靠地運(yùn)作，其閘極-源極 (Gate-Source) 電壓 (V_gs) 為 +15/-4V，且在 15V_gs 時具有 75m? (典型值) 的 R_DS(ON)規(guī)格。此裝置適用于 OBC、汽車馬達(dá)驅(qū)動器、EV/HEV 中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電池充電系統(tǒng)。

DMWSH120H28SM4Q 可在最高 1200V_DS、+15/-4V_gs 的條件下運(yùn)作，且在 15V_gs 時具有較低的 20mΩ (典型值) R_DS(ON)。此 MOSFET 適用于其他 EV/HEV 子系統(tǒng)中的馬達(dá)驅(qū)動器、EV 牽引變流器及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。憑借低 R_DS(ON) 的特性，在需要高功率密度的產(chǎn)品應(yīng)用中，此系列 MOSFET 能以較低的溫度運(yùn)作。

這兩款產(chǎn)品均有低導(dǎo)熱率 (R_θJC=0.6°C/W)，DMWSH120H90SM4Q 的汲極 (Drain) 電流高至 40A，DMWSH120H28SM4Q 的汲極電流高至 100A。此系列也內(nèi)建快速且穩(wěn)健的本體二極管 (Body Diodes)，具有低反向復(fù)原電荷 (Q_rr)，在 DMWSH120H90SM4Q 中為 108.52nC，在 DMWSH120H28SM4Q 中為 317.93nC，因此能夠執(zhí)行快速切換，同時降低功率損耗。

Diodes 采用平面制造技術(shù)開發(fā)出全新 MOSFET，能在汽車產(chǎn)品應(yīng)用中提供強(qiáng)大與可靠的效能，提高汲極電流、崩潰 (Breakdown) 電壓、接面溫度及功率環(huán)形電路，表現(xiàn)優(yōu)于先前發(fā)布的版本。此系列裝置采用 TO247-4 (WH 型) 封裝，提供額外的凱氏感測 (Kelvin-sensing) 接腳?？蛇B接至源極以優(yōu)化切換效能，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。

DMWSH120H90SM4Q 與 DMWSH120 H28SM4Q 均符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，由 IATF 16949 認(rèn)證的設(shè)施制造，并支持 PPAP 文件。