西安紫光國(guó)芯新一代多層陣列SeDRAM技術(shù)
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本年度 VLSI 會(huì)議共收到全球投稿 632 篇，在最終錄取的212 篇中，僅有2篇來(lái)自中國(guó)內(nèi)地企業(yè)，其中1篇便是來(lái)自西安紫光國(guó)芯的嵌入式多層陣列DRAM論文。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/202308/449513.htm
論文第一作者西安紫光國(guó)芯副總裁王嵩代表公司作論文報(bào)告
本次VLSI 2023上，西安紫光國(guó)芯發(fā)布的新一代多層陣列SeDRAM，相較于上一代單層陣列結(jié)構(gòu)，新一代技術(shù)平臺(tái)主要采用了低溫混合鍵合技術(shù)（Hybrid Bonding，HB）和mini-TSV堆積技術(shù)。該技術(shù)平臺(tái)每Gbit由2048個(gè)數(shù)據(jù)接口組成，每個(gè)接口數(shù)據(jù)速度達(dá)541Mbps，最終實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的135GBps/Gbit 帶寬和0.66 pJ/bit 能效，為疊加更多層 DRAM 陣列結(jié)構(gòu)提供先進(jìn)有效的解決方案。
嵌入式多層陣列SeDRAM示意圖
論文通訊作者西安紫光國(guó)芯總經(jīng)理江喜平表示，“2020年IEDM我們發(fā)布了第一代SeDRAM技術(shù)，之后我們實(shí)現(xiàn)了多款產(chǎn)品的大規(guī)模量產(chǎn)。這次發(fā)布的新一代多層陣列SeDRAM技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了更小的電容電阻、更大的帶寬和容量，可廣泛應(yīng)用于近存計(jì)算、大數(shù)據(jù)處理和高性能計(jì)算等領(lǐng)域?！?/p>
西安紫光國(guó)芯異質(zhì)集成嵌入式DRAM（SeDRAM）基于混合鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)了邏輯單元和 DRAM陣列三維集成，多項(xiàng)研發(fā)成果已先后在IEDM 2020、CICC 2021、ISSCC 2022等多個(gè)期刊和會(huì)議上公開發(fā)表和作專題報(bào)告。
評(píng)論