GaN Systems推出第四代氮化鎵平臺

全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標(biāo)竿，更提供顯著的性能表現(xiàn)優(yōu)化及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子 (figures of merit)。以GaN Systems 在 2022 年發(fā)表的 3.2kW 人工智能(AI) 服務(wù)器電源供應(yīng)器來看，改采用最新第四代平臺，不僅效率超過鈦金級能效標(biāo)準(zhǔn)，功率密度更從 100W/in3提升至 120W/in3。 

GaN Systems第四代平臺將為消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、光伏、工業(yè)及汽車等應(yīng)用場域帶來突破性的革新。相較硅、碳化硅 (SiC)、甚至其他氮化鎵產(chǎn)品，該第四代平臺能進(jìn)一步降低的物料清單 (Bill-of-Material) 成本，提供卓越成本效益。GaN Systems作為氮化鎵功率器件首選供貨商，致力于協(xié)助客戶創(chuàng)造市場差異化，鞏固競爭優(yōu)勢。 

「我們的主要客戶已認(rèn)可第四代氮化鎵平臺的優(yōu)勢。該平臺充分體現(xiàn) GaN Systems 致力于突破產(chǎn)品性能，實(shí)現(xiàn)下世代能效水平的承諾，」GaN Systems 全球執(zhí)行官 Jim Witham表示，「面對市場的瞬息萬變，GaN Systems 透過深化與像臺積電這樣的產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)公司間的策略合作關(guān)系，持續(xù)投資研發(fā)，提供能滿足客戶需求的解決方案?！笹aN Systems 正引領(lǐng)全球電源產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型，在產(chǎn)品組合完整度、封裝技術(shù)創(chuàng)新、功能豐富度、及性能表現(xiàn)上皆擁有領(lǐng)先優(yōu)勢。 

功率電子技術(shù)的大躍進(jìn) 

GaN Systems 第四代氮化鎵平臺提供以下優(yōu)勢： 

●   輸入/輸出質(zhì)量因子提升超過 20%，實(shí)現(xiàn)更低的損耗、效率優(yōu)化及卓越成本效益。 

●   提供包括 PDFN、TOLL、TOLT 及嵌入式 (Embedded) 等不同封裝選項(xiàng)，針對不同應(yīng)用搭配最適當(dāng)?shù)?nbsp;Rds 阻抗和封裝組合，實(shí)現(xiàn)卓越電氣和熱性能表現(xiàn)。 

●   700V 氮化鎵E-mode晶體管提供當(dāng)前業(yè)界最高的瞬態(tài)電壓額定值，達(dá)850V，大幅提升整體系統(tǒng)可靠性及穩(wěn)健性，此額定值使半導(dǎo)體組件能夠承受用戶環(huán)境中的異常情況，如電壓突波，確保不間斷且可靠的性能。 

●   提供適用于 20W 到 25,000W 電源系統(tǒng)的導(dǎo)通電阻。