Vishay推出采用改良設計的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊,降低導通和開關損耗
日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出五款采用改良設計的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。這些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技術制造,為設計人員提供兩種業(yè)內先進的技術選件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低運輸、能源及工業(yè)應用大電流逆變級導通或開關損耗。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202402/455815.htm日前發(fā)布的半橋器件使用節(jié)能效果優(yōu)于市場上其他器件的Trench IGBT,與具有超軟反向恢復特性的第四代FRED Pt?反并聯(lián)二極管封裝在一起。模塊小型INT-A-PAK封裝采用新型柵極引腳布局,與34 mm工業(yè)標準封裝100%兼容,可采用機械插接方式更換。
這款工業(yè)級器件可用于各種應用的電源逆變器,包括鐵路設備;發(fā)電、配電和儲電系統(tǒng);焊接設備;電機驅動器和機器人。為降低TIG焊機輸出級導通損耗,VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 °C,額定電流下,集電極至發(fā)射極電壓僅為 ≤ 1.07 V,達到業(yè)內先進水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N適用于高頻電源應用,開關損耗極低,+125 °C,額定電流下,Eoff僅為1.0 mJ。
模塊符合RoHS標準,集電極至發(fā)射極電壓為650 V,集電極連續(xù)電流為100 A至200 A,結到外殼的熱阻極低。器件通過UL E78996認證,可直接安裝散熱片,EMI小,減少了對吸收電路的要求。
器件規(guī)格表:
產品編號 | VCES | IC | VCE(ON) | Eoff | 速度 | 封裝 |
@ IC和 +125 °C | ||||||
VS-GT100TS065S | 650 V | 100 A | 1.02 V | 6.5 mJ | DC~1 kHz | |
VS-GT150TS065S | 650 V | 150 A | 1.05 V | 10.3 mJ | DC~1 kHz | INT-A-PAK |
VS-GT200TS065S | 650 V | 200 A | 1.07 V | 13.7 mJ | DC~1 kHz | INT-A-PAK |
VS-GT100TS065N | 650 V | 100 A | 2.12 V | 1.0 mJ | 8 kHz~30 kHz | INT-A-PAK |
VS-GT200TS065N | 650 V | 200 A | 2.13 V | 3.86 mJ | 8 kHz~30 kHz | INT-A-PAK |
新型IGBT功率模塊現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產,供貨周期為15周。
評論