ASML最先進的光刻機,花落誰家?
4月上旬,全球光刻機龍頭企業(yè)ASML發(fā)布了其最新一代極紫外線(EUV)光刻設(shè)備Twinscan NXE:3800E,該工具投影透鏡擁有0.33的數(shù)值孔徑,旨在滿足未來幾年對于尖端技術(shù)芯片的制造需求,包括3nm、2nm等小尺寸節(jié)點。ASML還計劃進一步推出另一代低數(shù)值孔徑(EUV)掃描儀Twinscan NXE:4000F,預(yù)計將于2026年左右發(fā)布。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202405/458658.htm近日,據(jù)外媒消息,ASML截至2025上半年的高數(shù)值孔徑EUV(High-NA EUV)設(shè)備訂單由英特爾全部包攬,據(jù)悉,英特爾在宣布重新進入芯片代工業(yè)務(wù)時搶先購買了這些設(shè)備。由于ASML的高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備產(chǎn)能每年約為五至六臺,三星等其他大廠或需要2025下半年后才能獲得設(shè)備。ASML方面則計劃未來幾年要改善產(chǎn)能,年產(chǎn)能增加至20臺。
據(jù)悉,ASML的高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備是芯片制造商制造2nm工藝節(jié)點芯片的必備設(shè)備,每臺設(shè)備的成本超過5000億韓元(當(dāng)前約26.47億元人民幣)。NA代表數(shù)值孔徑,表示光學(xué)系統(tǒng)收集和聚焦光線的能力。數(shù)值越高,聚光能力越好,行業(yè)消息顯示,ASML最先進的高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備的數(shù)值孔徑將從0.33提高到0.55,這意味著設(shè)備可以繪制更精細的電路圖案。
自2017年ASML的第一臺量產(chǎn)的EUV光刻機正式推出以來,三星的7nm、5nm、3nm工藝,臺積電的第二代7nm、5nm、3nm工藝的量產(chǎn)都是依賴于0.33數(shù)值孔徑的EUV光刻機來進行生產(chǎn)。隨著三星、臺積電、英特爾3nm制程芯片的相繼量產(chǎn),目前這三大先進制程制造廠商都在積極投資2nm制程的研發(fā),以滿足未來高性能計算(HPC)等先進芯片需求,并在晶圓代工市場的競爭當(dāng)中取得優(yōu)勢。
英特爾方面,自2021年起就提出了IDM2.0戰(zhàn)略。目前其還處于高資本支出投入期,各地投資擴產(chǎn)計劃相繼開出,并且先進制程研發(fā)投入加速推進。目前晶圓代工部門還處于虧損階段。
財報顯示,英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)去年的營業(yè)虧損較2022年擴大34.6%至70億美元,營收同比下降31.2%至189億美元。當(dāng)時英特爾預(yù)計,代工業(yè)務(wù)的營業(yè)虧損會在今年達到峰值,2027年左右實現(xiàn)盈虧平衡。今年一季度英特爾代工業(yè)務(wù)實現(xiàn)營收44億美元,同比下滑10%,營業(yè)虧損25億美元。
擴產(chǎn)方面,2023年以來,英特爾相繼公布了在美國、歐洲和以色列興建半導(dǎo)體制造工廠的計劃,在各地政府的紛紛補助下,總投資金額高達千億美元。制程推進方面,英特爾即將完成“四年五個制程節(jié)點”計劃,其中Intel 7,Intel 4和Intel 3已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。這樣來看,英特爾或許能在未來斬獲更多訂單。
三星在光刻機獲得方面亦早有計劃。今年一月,ASML韓國公司總裁Lee Woo-kyung透露,期待2027年帶來三星電子和ASML的合資企業(yè)新研發(fā)中心的高數(shù)值孔徑 (NA) 極紫外 (EUV) 設(shè)備。
據(jù)悉,這個新的半導(dǎo)體研究中心是韓國總統(tǒng)尹錫悅?cè)ツ陮商m進行國事訪問期間組建的半導(dǎo)體聯(lián)盟的成果,三星電子和荷蘭設(shè)備公司ASML共同投資1萬億韓元在韓國建立該中心。該設(shè)施將成為 ASML 和三星電子工程師使用 EUV 設(shè)備進行先進半導(dǎo)體研發(fā)合作的場所。該中心建于京畿道華城市ASML新園區(qū)前,將配備能夠?qū)嵤﹣?納米工藝的先進高數(shù)值孔徑EUV光刻設(shè)備。Lee Woo-kyung表示,已在ASML韓國華城新園區(qū)附近新獲得了一塊場地,將于明年開始建設(shè)。計劃在竣工時引進[高數(shù)值孔徑]設(shè)備,預(yù)計最晚會在2027年完成。
另外,據(jù)三星官方消息,近期,三星執(zhí)行董事長李在镕(Jay Y. Lee) 訪問位于奧伯科亨 (Oberkochen) 的全球光學(xué)和光電子技術(shù)集團總部當(dāng)時,會見了蔡司公司總裁兼總裁Karl Lamprecht以及其他公司高管,以深化與蔡司集團在下一代EUV和芯片技術(shù)方面的合作。
會上,雙方同意擴大EUV技術(shù)和尖端半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)方面的合作伙伴關(guān)系,以增強雙方的合作關(guān)系在代工和存儲芯片領(lǐng)域的業(yè)務(wù)競爭。公開資料顯示,蔡司集團是全球唯一的極紫外(EUV)光系統(tǒng)供應(yīng)商ASML Holding NV的光學(xué)系統(tǒng)唯一供應(yīng)商。
據(jù)悉,三星電子的目標(biāo)是引領(lǐng)3納米以下的微制造工藝技術(shù),今年計劃采用EUV光刻技術(shù)量產(chǎn)第六代10納米DRAM芯片。未來,三星電子積極尋求到2025年實現(xiàn)2nm芯片商業(yè)化,到2027年實現(xiàn)1.4nm芯片商業(yè)化。
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