爭奪光子半導(dǎo)體主導(dǎo)地位的競爭
一場爭奪光子半導(dǎo)體領(lǐng)先地位的無聲戰(zhàn)爭正在展開,光子半導(dǎo)體將成為未來人工智能 (AI)、6G 和自動駕駛等尖端技術(shù)的基礎(chǔ)。業(yè)界預(yù)測,如果英偉達主導(dǎo)光子半導(dǎo)體市場,它將能夠超越其主導(dǎo) AI 半導(dǎo)體市場所享有的影響力和地位。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202408/461911.htm日本、韓國加快光子半導(dǎo)體基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)
日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省最近在九州、東北、北海道三個地區(qū)大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),旨在重振日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。日本還將光子半導(dǎo)體視為這一半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重頭戲。
根據(jù)日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省的《半導(dǎo)體戰(zhàn)略》,日本目前正在推行三階段的半導(dǎo)體重建計劃。第一階段是確保國內(nèi)產(chǎn)能,第二階段是確立下一代半導(dǎo)體技術(shù),最后階段是確立全球未來技術(shù)基礎(chǔ)。第三階段,日本計劃重奪半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位,重點是光電子半導(dǎo)體技術(shù)。
隨著日本政府大規(guī)模投資,民間企業(yè)也對發(fā)展光子半導(dǎo)體表現(xiàn)出積極態(tài)度。
日本最大的通信公司 NTT 正在與國內(nèi)企業(yè)以及韓國和美國企業(yè)合作開發(fā)下一代通信平臺「IOWN」的核心技術(shù)——光半導(dǎo)體。IOWN 有望用于預(yù)計在 2030 年左右普及的 6G。這需要光子半導(dǎo)體以光代替電子處理并降低功耗。
此次合作的公司包括半導(dǎo)體基板制造商 Shinko Electric Industries 和半導(dǎo)體存儲器制造商 Kioxia 等日本公司、計算半導(dǎo)體領(lǐng)域的美國公司英特爾以及在存儲器半導(dǎo)體方面實力雄厚的韓國公司 SK Hynix。
韓國也正在繼續(xù)努力開發(fā)和商業(yè)化光子半導(dǎo)體。
2022 年,韓國電子通信研究院(ETRI)開發(fā)出一種硅光子光子半導(dǎo)體芯片,每秒可傳輸 100 千兆位(100Gbps)數(shù)據(jù)。這是現(xiàn)有電子半導(dǎo)體芯片傳輸速度的兩倍。研究團隊利用核心光子半導(dǎo)體技術(shù)與 Oisolution 共同開發(fā)了可在數(shù)據(jù)中心進行 2 公里傳輸?shù)?100Gbps 光收發(fā)器模塊,還開發(fā)了鏈接四個通道以實現(xiàn) 400Gbps 性能的光互連模塊,驗證了其可用性。
2023 年,韓國科學(xué)技術(shù)研究院電氣電子工程系金相植教授領(lǐng)導(dǎo)的研究小組發(fā)現(xiàn)了一種新的光耦合機制,可以將光子半導(dǎo)體器件的集成度提高 100 倍以上。半導(dǎo)體的集成度越高,可以進行的計算就越多,工藝成本就越低。但是,由于光的波動性,相鄰元件之間的光子之間會發(fā)生串?dāng)_,因此很難提高光子半導(dǎo)體的集成度。研究團隊發(fā)現(xiàn)了一種新的光耦合機制,并開發(fā)出了一種即使在以前被認(rèn)為不可能的偏振條件下也能提高集成度的方法。金相植教授表示:「這項研究的有趣之處在于,它利用了以前被認(rèn)為會增加光混亂的漏波(具有向側(cè)面擴散性質(zhì)的光),反而消除了混亂。」他補充說:「如果我們應(yīng)用這項研究發(fā)現(xiàn)的利用漏波的光耦合方法,我們將能夠開發(fā)出更小、噪音更小的各種光半導(dǎo)體設(shè)備。」
韓國工業(yè)技術(shù)研究院西南商業(yè)化總部納米技術(shù)指導(dǎo)中心最近成功完成了基于微機械系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的高附加值光半導(dǎo)體商業(yè)化基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)項目,并開始全面運營。該項目于 2020 年 6 月至去年 9 月期間共投入 98 億韓元,其中國家資金 69 億韓元,市政資金 29 億韓元,旨在建設(shè)基于 MEMS 的光學(xué)半導(dǎo)體的開發(fā)、驗證、測試和評估基礎(chǔ)設(shè)施,以推動光學(xué)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。通過新安裝等離子增強化學(xué)氣相沉積(PE-CVD)、高速蝕刻設(shè)備(Deep RIE)和曝光設(shè)備(Stepper)等 8 英寸對應(yīng)設(shè)備作為核心設(shè)備,完成了集成工藝線。通過此舉,預(yù)計將大大提高該地區(qū)與 MEMS 傳感器和第五代(5G)對應(yīng)設(shè)備等光學(xué)半導(dǎo)體相關(guān)的中小型公司的技術(shù)水平。
中國光子芯片企業(yè)落戶天津
中國第一家光子半導(dǎo)體代工廠中科鑫通在 2023 年年底宣布將在天津建設(shè)中國第一家光子半導(dǎo)體代工廠。中科鑫通光子芯片代工產(chǎn)線預(yù)計于 2025 年建成并投產(chǎn),屆時將為光通信、數(shù)據(jù)中心、人工智能、微波光子、無人駕駛、生物傳感以及量子信息等領(lǐng)域客戶提供包括薄膜鈮酸鋰、氮化硅等材料的光子晶圓代工服務(wù),可為光子芯片產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控打下堅實基礎(chǔ)。
清華大學(xué)的研究團隊宣布,開發(fā)了一種利用光子技術(shù)以更低的功耗提高性能的 ACCEL 芯片。研究團隊研發(fā)的 ACCEL 芯片由中國半導(dǎo)體代工廠中芯國際采用已有 20 年歷史的傳統(tǒng)晶體管制造工藝制造,在實驗室環(huán)境下記錄了 4.6 千萬億次浮點運算(PFlops)的計算速度。1 千萬億次浮點運算(PF)相當(dāng)于每秒進行 1000 萬億次計算,比 Nvidia 的 A100 圖形處理單元(GPU)快 3000 倍。通過使用極少的電能,能源效率得到提高。研究人員解釋稱,ACCEL 僅用現(xiàn)有半導(dǎo)體一小時的用電量就能運行 500 年以上。隨著用電量減少,熱量散發(fā)也隨之減少。發(fā)熱量減輕后,小型化就更容易了。據(jù)評估,該芯片很難立即實現(xiàn)商業(yè)化,但預(yù)計通過技術(shù)改進,可以應(yīng)用于可穿戴設(shè)備、電動汽車、智能工廠等尖端技術(shù)。
光子半導(dǎo)體的量產(chǎn)也在進行研究。據(jù)悉,中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所的研究團隊開發(fā)出了一種能夠量產(chǎn)的光子半導(dǎo)體量產(chǎn)技術(shù)?,F(xiàn)有的光子芯片由鈮酸鋰制成,但制造難度大,進展困難。因此,中國科學(xué)院研究團隊采用了鉭酸鋰,這是一種單晶薄膜,具有與鈮酸鋰類似的電光轉(zhuǎn)換特性,且易于制造。鉭酸鋰是一種用于光學(xué)和電子器件的晶體材料,用于超聲波發(fā)生器、光開關(guān)和激光器等領(lǐng)域。
在此基礎(chǔ)上,研究團隊?wèi)?yīng)用異質(zhì)集成技術(shù)制造出高質(zhì)量的硅基鉭酸鋰薄膜晶片。此外,還開發(fā)了超低損耗鉭酸鋰光子器件納米加工方法,并以此成功制造出鉭酸鋰光子芯片。
代工巨頭全力推進光子半導(dǎo)體商業(yè)化
臺積電正與英偉達、Broadcom 等大型無晶圓廠公司合作,共同開發(fā)硅光子和封裝技術(shù),據(jù)悉,已組建了 200 多人的研發(fā)團隊,開發(fā)相關(guān)技術(shù)。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,預(yù)計最早在今年或明年就開始量產(chǎn)。
英特爾 2016 年正式推出了基于硅光子的光收發(fā)器,可通過光纖電纜以 100 千兆位/秒(Gb)的速度傳輸數(shù)據(jù)。英特爾計劃通過與以色列半導(dǎo)體公司 Tower Semiconductor 的積極合作,確保光子半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。Tower Semiconductor 是一家專門開發(fā) CMOS 傳感器和 PMIC(電源管理半導(dǎo)體)等模擬半導(dǎo)體的代工廠,同時也擁有自己的硅光子開發(fā)平臺。
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