如何在沒(méi)有軟啟動(dòng)方程的情況下測(cè)量和確定軟啟動(dòng)時(shí)序?
問(wèn)題
如果DC-DC器件具有兩個(gè)輸出,但用作單路兩相輸出,這會(huì)如何影響軟啟動(dòng)時(shí)序?
回答
如果器件有兩個(gè)獨(dú)立的軟啟動(dòng)引腳,每個(gè)引腳都有各自的電流源,現(xiàn)在將二者并聯(lián)連接,形成單路輸出設(shè)計(jì),此時(shí)電流源值會(huì)加倍,相同的輸出電容將表現(xiàn)出原來(lái)一半的時(shí)序。為了實(shí)現(xiàn)相同的軟啟動(dòng)時(shí)序,軟啟動(dòng)電容值也需要加倍。
摘要
此外,本文還為IC不包含軟啟動(dòng)功能但設(shè)計(jì)需要該功能的情況提供了解決辦法。
軟啟動(dòng)和預(yù)偏置軟啟動(dòng)
首次將電源應(yīng)用于非隔離式DC-DC IC的輸入端時(shí),輸出電容通常未充電,因而電壓電平為0V。從電路角度來(lái)看,從輸入到輸出的路徑表現(xiàn)出低阻抗,導(dǎo)致開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器IC的反饋環(huán)路在試圖快速對(duì)輸出電容充電時(shí)發(fā)生飽和。這可能產(chǎn)生峰值開(kāi)關(guān)電流,其中IC提供的電流等于其電流限值。如果沒(méi)有軟啟動(dòng),該啟動(dòng)浪涌電流可能會(huì)導(dǎo)致功率開(kāi)關(guān)故障、電感飽和或IC因限流故障而完全無(wú)法啟動(dòng)。有些開(kāi)關(guān)DC-DC產(chǎn)品可能會(huì)涉及預(yù)偏置軟啟動(dòng)功能,DC-DC電源上電之前,負(fù)載上存在電壓會(huì)導(dǎo)致輸出電容上存在電壓,此時(shí)該功能便會(huì)發(fā)揮作用。預(yù)偏置情況可能出現(xiàn)在多重電源設(shè)計(jì)或冗余電源設(shè)計(jì)中,其中電壓會(huì)流經(jīng)邏輯IC(如FPGA/ASIC)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)或鉗位二極管。如果該電壓超過(guò)軟啟動(dòng)電壓,并且IC缺少預(yù)偏置預(yù)防電路,則IC將認(rèn)為輸出電壓過(guò)高,進(jìn)而便會(huì)激活低端FET以釋放輸出電壓,這反過(guò)來(lái)又會(huì)產(chǎn)生較高的電感灌電流。如今,大多數(shù)IC都包含預(yù)偏置電路,用于在軟啟動(dòng)和反饋引腳上的電壓相等前,防止IC切換其FET。而當(dāng)二者電壓相等時(shí),軟啟動(dòng)過(guò)程開(kāi)始。
啟動(dòng)時(shí)輸出電容中的電流由下式確定:
該公式表明,電容或啟動(dòng)時(shí)施加的電壓越大,或者持續(xù)時(shí)間越短,啟動(dòng)電流就越大。軟啟動(dòng)引入了更高阻抗路徑,使得輸出電容能以受控方式充電,常用的相關(guān)實(shí)現(xiàn)方法包括逐漸增加基準(zhǔn)電壓或控制功率開(kāi)關(guān)電流的斜坡。
軟啟動(dòng)實(shí)現(xiàn)
軟啟動(dòng)有兩種實(shí)現(xiàn)方式:電壓軟啟動(dòng)和電流軟啟動(dòng)。電壓軟啟動(dòng)在降壓穩(wěn)壓器中非常常見(jiàn)。第一代Silent Switcher?降壓轉(zhuǎn)換器LT8640中便有應(yīng)用,其VIN(最大值)為42 V,能夠提供5 A的負(fù)載電流。圖1為負(fù)責(zé)其電壓軟啟動(dòng)的框圖部分。
在軟啟動(dòng)周期tSS期間,連接到軟啟動(dòng)引腳的電流源對(duì)軟啟動(dòng)電容充電,使得軟啟動(dòng)引腳處的電壓從零逐漸增加到基準(zhǔn)(REF)電壓。在電壓軟啟動(dòng)方案中,外電壓調(diào)節(jié)環(huán)路使用軟啟動(dòng)引腳處的電壓作為基準(zhǔn)來(lái)調(diào)節(jié)輸出電壓(VOUT),直至反饋(FB)電壓達(dá)到REF電壓。此時(shí),環(huán)路切換為使用內(nèi)部REF電壓來(lái)調(diào)節(jié)VOUT。在VOUT從零上升至目標(biāo)電壓期間,器件通過(guò)強(qiáng)制FB電壓等于軟啟動(dòng)電壓VSS,從而使外環(huán)基準(zhǔn)電壓逐漸增加。對(duì)軟啟動(dòng)電容CSS充電的電流源ISS是恒定電流源,因此可以得出如下軟啟動(dòng)方程:
由于軟啟動(dòng)電容CSS充電的目標(biāo)電壓為基準(zhǔn)電壓,該方程可以寫成:
對(duì)于LT8640,ISS=1.9 μA,VREF=0.97 V
圖1 電壓軟啟動(dòng)常見(jiàn)于降壓穩(wěn)壓器中,LT8640框圖示例
圖2為負(fù)責(zé)LT8362電流軟啟動(dòng)功能的框圖部分,這是一款集成60 V/2 A功率FET的升壓穩(wěn)壓器,也可用于SEPIC或反相設(shè)計(jì)??驁D顯示,外電壓調(diào)節(jié)環(huán)路誤差放大器的REF直接連接到固定基準(zhǔn)電壓。在軟啟動(dòng)期間,以軟啟動(dòng)引腳電壓作為峰值限流值的基準(zhǔn),峰值限流比較器的輸入逐漸提高,此斜坡上升過(guò)程持續(xù)至達(dá)到最大峰值限流值為止。軟啟動(dòng)功能通過(guò)Q1控制VC的斜坡,從而控制功率開(kāi)關(guān)電流的斜坡。本質(zhì)上,這會(huì)逐周期提升可用電流來(lái)對(duì)輸出進(jìn)行充電。在電壓軟啟動(dòng)中,軟啟動(dòng)電容(CSS)會(huì)控制REF以及相應(yīng)VFB、VOUT的上升速率;而在電流軟啟動(dòng)中,CSS負(fù)責(zé)在軟啟動(dòng)期間控制峰值電流在特定時(shí)間上升。換句話說(shuō),CSS電容和電流源之間不再存在簡(jiǎn)單的線性關(guān)系。輸出電壓從零上升至其調(diào)節(jié)設(shè)定點(diǎn)所需的時(shí)間取決于多種因素,包括VOUT、COUT和負(fù)載電流。
圖2 電流軟啟動(dòng),LT8362框圖
如何預(yù)測(cè)軟啟動(dòng)時(shí)間tSS?
在使用電壓軟啟動(dòng)的系統(tǒng)中,這個(gè)問(wèn)題相對(duì)簡(jiǎn)單,因?yàn)檐泦?dòng)時(shí)間(tSS)方程通常是線性的,數(shù)據(jù)手冊(cè)中也有提供。這意味著,如果軟啟動(dòng)電容(CSS)的某個(gè)值對(duì)應(yīng)特定的軟啟動(dòng)時(shí)間,則將CSS的值加倍會(huì)導(dǎo)致軟啟動(dòng)時(shí)間加倍。例如,如果CSS=1nF時(shí),軟啟動(dòng)時(shí)間為1 ms;那么CSS為2 nF時(shí),tSS將為2 ms。LT8640演示板對(duì)此進(jìn)行了演示,其中,軟啟動(dòng)電容C8可從0.1 μF變至1 μF。電容值的變化將相應(yīng)地改變軟啟動(dòng)時(shí)間,從而延長(zhǎng)軟啟動(dòng)周期。
圖3 LT8640演示板原理圖。C8為軟啟動(dòng)電容
每次改變C8,負(fù)載電流都會(huì)改變。在0 A和隨后的4 A負(fù)載電流下觀察到軟啟動(dòng)。由于1 μF比0.1 μF大10倍,軟啟動(dòng)時(shí)間預(yù)計(jì)也會(huì)延長(zhǎng)10倍。
圖4(C8 = 0.1 μF)和圖5(C8 = 1 μF)顯示了0 A負(fù)載對(duì)應(yīng)的黃色跡線和4 A負(fù)載電流對(duì)應(yīng)的棕色跡線。這兩個(gè)負(fù)載電流的啟動(dòng)時(shí)間相同,因此軟啟動(dòng)時(shí)間也相同。正如預(yù)期的那樣,1 μF電路的啟動(dòng)時(shí)間延長(zhǎng)10倍,從約50 ms (0.1 μF)變?yōu)榧s500 ms (1 μF)。負(fù)載電流的變化對(duì)啟動(dòng)時(shí)序沒(méi)有影響。
圖4 LT8640。C8=0.1 μF,0 A(黃色)和4 A(棕色)負(fù)載電流的啟動(dòng)時(shí)間約為50ms
圖5 LT8640。C8=1 μF,啟動(dòng)時(shí)間約為500ms,負(fù)載電流不影響啟動(dòng)時(shí)間
LT8362的數(shù)據(jù)手冊(cè)中未提供軟啟動(dòng)方程。利用演示板(圖6),通過(guò)改變軟啟動(dòng)電容C6的值并試驗(yàn)如下三個(gè)不同的負(fù)載電流值可以測(cè)試出軟啟動(dòng)時(shí)序:0 A(無(wú)負(fù)載)、0.19 A和0.38 A。
圖6 LT8362演示板原理圖。軟啟動(dòng)電容C6和負(fù)載電流會(huì)改變
圖7中,C6 = 0.22 μF,負(fù)載電流為0.19 A(黃色)和0.38 A(棕色)。當(dāng)負(fù)載提高時(shí),軟啟動(dòng)時(shí)間會(huì)增加。啟動(dòng)時(shí)間從45 ms變?yōu)榧s55 ms,差異約為10 ms。注意初始行為表現(xiàn)出的波紋,這種效應(yīng)是使用數(shù)字負(fù)載進(jìn)行測(cè)試的結(jié)果,數(shù)字負(fù)載力求在輸出發(fā)生快速變化時(shí)保持電阻值恒定。數(shù)字負(fù)載設(shè)置為CR(恒定電阻)。如果將負(fù)載改為純阻性負(fù)載,則會(huì)觀察到更穩(wěn)定和單調(diào)的啟動(dòng)行為,如圖8所示。數(shù)字負(fù)載和電阻負(fù)載的時(shí)序結(jié)果幾乎相同,因此可以繼續(xù)使用數(shù)字負(fù)載進(jìn)行啟動(dòng)差異測(cè)試。
圖7 C6=0.22 μF。將負(fù)載電流從0.19A增大到0.38A會(huì)改變軟啟動(dòng)時(shí)間
圖8 CSS=0.22 μF,數(shù)字負(fù)載CR(棕色)與阻性負(fù)載(黃色)對(duì)比,0.19A
圖9中,C6增大到2.2 μF,與圖8相比,0.19 A(黃色)負(fù)載下的啟動(dòng)時(shí)間從約45 ms變?yōu)榧s500 ms,0.38 A(橙色)負(fù)載下的啟動(dòng)時(shí)間從約55 ms變?yōu)榧s580 ms,差異接近10倍,類似軟啟動(dòng)電容比。與使用電壓軟啟動(dòng)的LT8640不同,負(fù)載電流會(huì)影響軟啟動(dòng)時(shí)序。結(jié)果表明,圖7所示的波浪效應(yīng)有所減弱,但啟動(dòng)波形上存在一些紋波。圖10對(duì)比了數(shù)字負(fù)載波形(棕色)與純阻性負(fù)載(黃色)結(jié)果,突然的變化使得數(shù)字負(fù)載跳躍到不正確的值,但隨后會(huì)進(jìn)行補(bǔ)償并回到其平均值。數(shù)字負(fù)載的啟動(dòng)時(shí)間和平均值最終與純阻性負(fù)載的啟動(dòng)時(shí)間和平均值一致。這些觀察結(jié)果表明,雖然在這種情況下負(fù)載電流確實(shí)會(huì)影響軟啟動(dòng)時(shí)序,但數(shù)字負(fù)載仍然能夠予以補(bǔ)償并實(shí)現(xiàn)與純阻性負(fù)載類似的結(jié)果。
圖9 C6=2.2 μF,負(fù)載電流從0.19 A變?yōu)?.38 A時(shí)的啟動(dòng)時(shí)間變化
圖10 C=2.2 μF,更長(zhǎng)的啟動(dòng)時(shí)間使數(shù)字負(fù)載更容易設(shè)置正確的CR
有時(shí),為射頻放大器供電時(shí),往往先接通電源,再連接負(fù)載。這種方法可確保電源在負(fù)載電流非常低或沒(méi)有負(fù)載電流時(shí)接通,從而有助于降低沖擊電流。圖11展現(xiàn)了這種情況,結(jié)果是啟動(dòng)時(shí)間縮短至約12 ms。即使在CC(恒定電流)模式下使用數(shù)字負(fù)載,負(fù)載設(shè)置為特定值(如0.19 A或0.38 A),仍然可以觀察到啟動(dòng)時(shí)間約為12 ms,這與無(wú)負(fù)載連接時(shí)相似。CC可能意味著DC-DC轉(zhuǎn)換器具有高阻抗,因此必須小心謹(jǐn)慎,在所有可能的情況下準(zhǔn)確測(cè)量軟啟動(dòng)時(shí)間。
圖11 C6為0.22 μF,無(wú)負(fù)載電流
數(shù)據(jù)手冊(cè)未提供軟啟動(dòng)方程時(shí),LTspice?可以有效預(yù)測(cè)電路行為。圖12對(duì)圖10的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行了LTspice仿真,其中啟動(dòng)時(shí)間約為500 ms。使用0.22 μF的軟啟動(dòng)電容時(shí),無(wú)負(fù)載和0.19 A電流的仿真也顯示了正確的結(jié)果,分別為約12 ms和約50 ms,與圖11和圖8相似。即使數(shù)據(jù)手冊(cè)沒(méi)有明確提供軟啟動(dòng)方程,LTspice仿真也可以預(yù)測(cè)電路的行為并估計(jì)軟啟動(dòng)時(shí)序。這是用于理解和優(yōu)化電路性能的寶貴工具。
圖12 LT8362啟動(dòng)波形的LTspice仿真,與圖10一致
圖13 LT8362的LTspice仿真顯示了正確的結(jié)果,與圖11和圖8一致
為沒(méi)有軟啟動(dòng)的電路添加軟啟動(dòng)功能
當(dāng)IC沒(méi)有軟啟動(dòng)功能時(shí),IC試圖提供給輸出電容(如果其未充電)的電流將是最大電流或限流電流。為增加軟啟動(dòng)功能,需要額外的分立元件,例如用于提供時(shí)間延遲的RC組合,并可選用二極管或FET來(lái)提供保護(hù)。LT3990是一款降壓穩(wěn)壓器,具有62 V/0.35 A FET、寬頻率的工作范圍,而且IQ(靜態(tài)電流)及輸出電壓紋波非常低,已通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證。但是,這款器件不包含軟啟動(dòng)功能。數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定其典型開(kāi)關(guān)限流值為0.7 A。實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)功能需要添加分立元件,為評(píng)估添加元件前后的LT3990行為,可以使用內(nèi)置LTspice電路示例(如圖14所示)。該電路將10 V轉(zhuǎn)換為5 V/0.35 A。通過(guò)電路仿真觀察到,在沒(méi)有軟啟動(dòng)功能的情況下,電感電流在啟動(dòng)時(shí)便達(dá)到典型限流值(圖15)。
圖14 LT3990的LTspice內(nèi)置演示電路
圖15 LT3990電感電流在啟動(dòng)時(shí)達(dá)到限流值
在FB引腳上添加一個(gè)簡(jiǎn)單的RC組合和一個(gè)保護(hù)二極管,便可使FB電壓逐漸增加,從而延緩啟動(dòng)電壓并降低沖擊電流(圖16)。圖17為電路仿真的初始電流浪涌情況,盡管持續(xù)時(shí)間較短。這種方法可以控制電流和輸出電壓的上升,以經(jīng)濟(jì)高效的方式提供軟啟動(dòng)功能。然而,必須注意該解決方案可能會(huì)對(duì)電源良好(PG)引腳產(chǎn)生影響。軟啟動(dòng)電路會(huì)導(dǎo)致PG引腳緩慢上升,因此該解決方案可能不適合某些依賴快速電源良好信號(hào)的設(shè)計(jì)。
圖16 添加C4、R6和D1來(lái)偏置LT3990 FB引腳并延緩啟動(dòng)行為
圖17 仿真結(jié)果仍然顯示峰值電流,但上升較慢
為完全消除啟動(dòng)期間的浪涌電流,另一種方法是添加一個(gè)由FET旁路的串聯(lián)電阻。FET電壓達(dá)到Vgs(th)額定值并開(kāi)始導(dǎo)通所需的時(shí)間由RC常數(shù)和輸入電源決定。圖18為采用該方法的電路示例,圖19為仿真結(jié)果。這種配置可以有效消除啟動(dòng)期間的浪涌電流。由電阻和電容值確定的RC常數(shù)以及輸入電源特性,共同決定了FET達(dá)到其閾值電壓并開(kāi)始導(dǎo)通所需的時(shí)間。這樣就可以讓輸出電壓和電流以受控方式逐漸增加,從而消除通常與啟動(dòng)相關(guān)的浪涌電流。
此方法是實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)功能的可靠方式,可確保啟動(dòng)平穩(wěn)可控且沒(méi)有任何浪涌電流。然而,為實(shí)現(xiàn)所需的軟啟動(dòng)行為,必須仔細(xì)選擇電阻、電容和FET的值,同時(shí)考慮電路的電源和負(fù)載要求。
圖18 添加M1和RC將旁路R5限流電阻
圖19 電流先受R5限制,無(wú)電流浪涌;達(dá)到Vgs(th)時(shí),電流逐漸上升
該仿真的PG引腳同樣可能與普通開(kāi)漏引腳不同,因此并非適合所有設(shè)計(jì)。
結(jié)論
軟啟動(dòng)有電壓和電流兩種實(shí)現(xiàn)方式。對(duì)于電壓模式軟啟動(dòng),軟啟動(dòng)時(shí)間tSS與CSS之間的關(guān)系通常是線性的。然而,對(duì)于電流模式軟啟動(dòng),軟啟動(dòng)方程與負(fù)載電流、輸出電壓和輸出電容緊密相關(guān),因此更加復(fù)雜。數(shù)據(jù)手冊(cè)可能未闡明電流模式軟啟動(dòng)的方程,為了解軟啟動(dòng)時(shí)間的最小值和最大值,可能需要測(cè)試不同的負(fù)載電流情況。要預(yù)測(cè)器件采用電流軟啟動(dòng)時(shí)tSS,一個(gè)好辦法是使用LTspice進(jìn)行仿真。對(duì)于不包含內(nèi)置軟啟動(dòng)功能的IC,需要額外的元件來(lái)使輸出電壓逐漸增加。如果沒(méi)有這些元件,IC在啟動(dòng)時(shí)將提供最大電流,而某些應(yīng)用可能不希望出現(xiàn)這一幕。綜上所述,在實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)時(shí),重要的是要了解具體實(shí)現(xiàn)方式,即要確定電壓模式還是電流模式,并測(cè)試不同的負(fù)載情況以確定軟啟動(dòng)時(shí)序。
作者簡(jiǎn)介
Rani Feldman于2017年加入ADI公司,擔(dān)任高級(jí)現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師。此前,他曾在凌力爾特(現(xiàn)為ADI公司的一部分)工作了三年。Rani擁有以色列阿夫卡學(xué)院電子工程學(xué)士學(xué)位和以色列霍隆理工學(xué)院工商管理碩士學(xué)位。
評(píng)論