2025年存儲器市場的五大展望

存儲器市場，包括DRAM和NAND，預(yù)計在2025年將實現(xiàn)顯著增長，這主要得益于人工智能（AI）及相關(guān)技術(shù)的加速采用。在探索這些市場的復(fù)雜性時，出現(xiàn)了幾個關(guān)鍵趨勢，預(yù)計這些趨勢將塑造市場格局。以下是未來一年內(nèi)存市場的五大展望，以及一個可能打亂一切的潛在不利因素。

• AI持續(xù)推動對高帶寬內(nèi)存（HBM）的關(guān)注

隨著AI的興起，特別是在機器學(xué)習(xí)和深度學(xué)習(xí)等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用中，對高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求空前高漲。預(yù)計HBM出貨量將同比增長70%，因為數(shù)據(jù)中心和AI處理器越來越多地依賴這種類型的存儲器來處理低延遲的大量數(shù)據(jù)。HBM需求的激增預(yù)計將重塑DRAM市場，制造商將優(yōu)先生產(chǎn)HBM，而不是傳統(tǒng)的DRAM產(chǎn)品。

• AI推動對大容量SSD和QLC NAND技術(shù)的需求

隨著AI繼續(xù)滲透各行各業(yè)，對大容量固態(tài)硬盤（SSD）的需求也在上升。這對于需要大量數(shù)據(jù)存儲和快速檢索時間的AI工作負(fù)載尤其如此。因此，預(yù)計QLC NAND技術(shù)的采用率將增加，該技術(shù)以較低的成本提供更高的密度。盡管QLC SSD的寫入速度比其他NAND類型慢，但由于其成本效益和適合AI驅(qū)動的數(shù)據(jù)存儲需求，它們將獲得更多青睞。預(yù)計數(shù)據(jù)中心NAND bit 需求增長繼2024年約70%的爆炸性增長之后，將在2025年超過30%。

• 資本支出（Capex）投資大幅轉(zhuǎn)向DRAM和HBM

受AI應(yīng)用激增的推動，內(nèi)存市場的資本支出（capex）越來越多地流向DRAM，特別是HBM。隨著制造商擴大產(chǎn)能以滿足日益增長的需求，DRAM資本支出預(yù)計將同比增長近20%。然而，這一轉(zhuǎn)變導(dǎo)致對NAND生產(chǎn)的投資極少，可能在市場上造成潛在的供應(yīng)瓶頸。NAND領(lǐng)域的盈利能力持續(xù)改善，這可能會在 2026 年重新點燃該領(lǐng)域的投資熱情。

• 邊緣AI開始嶄露頭角，但要到2026年才會產(chǎn)生顯著影響

邊緣AI將AI處理功能更接近智能手機和PC等設(shè)備的數(shù)據(jù)源，預(yù)計將在2025年進入市場。然而，該技術(shù)的全面影響要到2026年才會顯現(xiàn)。具有真正設(shè)備端AI功能的設(shè)備預(yù)計將在2025年底推出，但銷量可能不足以立即影響存儲器市場。真正的轉(zhuǎn)變應(yīng)該發(fā)生在2026年，隨著邊緣AI變得更加普及，將推動對適合這些新功能的內(nèi)存解決方案的需求。

• 數(shù)據(jù)中心AI重點延遲了傳統(tǒng)服務(wù)器更換周期

對AI驅(qū)動的數(shù)據(jù)中心的關(guān)注導(dǎo)致傳統(tǒng)服務(wù)器基礎(chǔ)設(shè)施的更換周期延遲。許多企業(yè)正在將資源轉(zhuǎn)移到升級其AI能力上，導(dǎo)致傳統(tǒng)服務(wù)器需要更新。雖然這種延遲在短期內(nèi)可能是可控的，但在某個時候，這些服務(wù)器將需要更新，這可能會推動DRAM和NAND需求的突然激增。這種延遲的更換周期一旦發(fā)生時，可能會推動存儲器需求顯著增加。