DS1972 EPROM仿真模式，用于保護(hù)數(shù)據(jù)不被意外擦除

DS1972 EPROM仿真模式，用于保護(hù)數(shù)據(jù)不被意外擦除

DS1972是一款1024位的1-Wire? EEPROM芯片，存儲(chǔ)器分為四個(gè)頁(yè)面，每頁(yè)256位，采用堅(jiān)固的iButton?封裝。數(shù)據(jù)先被寫(xiě)入一個(gè)8字節(jié)暫存器，經(jīng)校驗(yàn)后復(fù)制到EEPROM存儲(chǔ)器。該器件的特點(diǎn)是四個(gè)存儲(chǔ)頁(yè)面相互獨(dú)立，可以單獨(dú)進(jìn)行寫(xiě)保護(hù)或進(jìn)入EPROM仿真模式，在該模式下，所有位的狀態(tài)只能從1變成0。DS1972通過(guò)一條1-Wire總線(xiàn)進(jìn)行通信，采用標(biāo)準(zhǔn)的1-Wire協(xié)議。每個(gè)器件都有不能更改的、唯一的64位ROM序列號(hào)，由工廠光刻寫(xiě)入芯片。在一個(gè)多節(jié)點(diǎn)1-Wire網(wǎng)絡(luò)環(huán)境下，該序列號(hào)可以用作器件地址。

關(guān)鍵特性

• 1024位EEPROM存儲(chǔ)器，分成四個(gè)頁(yè)面，每頁(yè)256位
• 獨(dú)立的存儲(chǔ)頁(yè)面，可以被永久寫(xiě)保護(hù)或進(jìn)入EPROM仿真模式(“改寫(xiě)為0”)
• 切換點(diǎn)滯回與濾波可以?xún)?yōu)化噪聲指標(biāo)
• IEC 1000-4-2 4級(jí) ESD保護(hù)(±8kV接觸放電、±15kV氣隙放電模式)
• -40°C至+85°C溫度范圍內(nèi)，可在2.8V至5.25V工作電壓下進(jìn)行讀、寫(xiě)操作
• 按照1-Wire協(xié)議，以15.4kbps或125kbps速率通過(guò)一條數(shù)字信號(hào)線(xiàn)與主機(jī)通信

  應(yīng)用/使用

  門(mén)禁控制/停車(chē)計(jì)費(fèi)表
  庫(kù)存控制
  保持/監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
  工具管理
  工作流程跟蹤