利用C2000 MCU實(shí)施并網(wǎng)微型太陽(yáng)能逆變器（一）
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2.3.3 有源鉗位反激的開(kāi)環(huán)仿真
圖11為這種有源鉗位反激的開(kāi)環(huán)仿真模型。下列值用于該仿真：輸入電壓Vin=36V，主MOSFET開(kāi)關(guān)頻率fs=65kHz，諧振電感Lr=0.5μH，諧振電容Cr=1nF，鉗位電容Cc=10μF，主開(kāi)關(guān)MOSFET的最大占空因數(shù)D=0.6，而負(fù)載Rload=100 Ω。
圖 11 有源鉗位反激的開(kāi)環(huán)仿真模型
（紅色波形為VGS，綠色波形為VDS）
圖 12 Q1的VDS和VGS仿真波形
圖12顯示了漏極到源極電壓降至零以后門驅(qū)動(dòng)的電壓上升，因此Q1實(shí)現(xiàn)ZVS得到了證實(shí)。另外，VDS的電壓尖峰被箝至Vin+NVout，其意味著一次側(cè)實(shí)現(xiàn)了有源鉗位。
圖 13 仿真輸出電壓波形
2.4 隔離式MOSFET橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
為了實(shí)現(xiàn)一次側(cè)到二次側(cè)的完全隔離，除輔助電源隔離以外，還要求使用A/D采樣和驅(qū)動(dòng)電路隔離。
由于MCU放置于二次側(cè)中，而主開(kāi)關(guān)MOSFET位于一次側(cè)，因此我們必須把二次側(cè)控制信號(hào)傳輸至一次側(cè)，以對(duì)MOSFET進(jìn)行控制。
為了把控制信號(hào)從二次側(cè)傳輸至一次側(cè)，可選擇高速數(shù)字隔離器加高低端驅(qū)動(dòng)器芯片。圖14顯示了這種隔離式MOSFET高低端驅(qū)動(dòng)器的原理圖。
圖 14 隔離式高低端驅(qū)動(dòng)器的原理圖
在本應(yīng)用中，隔離式MOSFET擁有許多特點(diǎn)，其包括：
·結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)
·+600V全工作范圍
評(píng)論