采用綜合學(xué)科研究法有效封裝MEMS加速儀（一） 作者： 時(shí)間：2013-11-19 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò) 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對(duì)面交流海量資料庫(kù)查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 分析方法。我們采用了兩種方法來(lái)評(píng)估組裝和暴露給外部環(huán)境期間的芯片應(yīng)力和斷裂風(fēng)險(xiǎn)。一種方法是常規(guī)應(yīng)力分析，另一種是基于斷裂力學(xué)的分析。需要分析的階段包括外罩晶圓與感應(yīng)單元基片晶圓的粘合、感應(yīng)單元與引線架的連接、引線粘結(jié)、超模壓、回流焊接和熱循環(huán)。圖2 感應(yīng)單元基片上的裂紋的SEM圖 上一頁(yè) 1 2 下一頁(yè)
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