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電容式接近感應(yīng)技術(shù)在智能手機(jī)中的新型應(yīng)用(一)

作者: 時(shí)間:2013-11-19 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
: 14px/25px 宋體, arial; WHITE-SPACE: normal; ORPHANS: 2; LETTER-SPACING: normal; COLOR: rgb(0,0,0); WORD-SPACING: 0px; PADDING-TOP: 0px; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">  在PCB或者FPC布局時(shí),調(diào)制電容和去耦電容需要盡量貼近芯片管腳。在走線(xiàn)時(shí),主要注意避免電極引線(xiàn)和I2C信號(hào)線(xiàn)、電源線(xiàn)平行,如果無(wú)法避免,應(yīng)該在走線(xiàn)中間加入地線(xiàn)作為隔離。

三 控制器內(nèi)部邏輯

  本文的方案是電容檢測(cè)技術(shù)在賽普拉斯PSoC(Programmable System on Chip)平臺(tái)上的新型應(yīng)用。PSoC技術(shù)是在一個(gè)MCU內(nèi)核周?chē)闪丝膳渲玫哪M和數(shù)字外圍器件陣列,利用芯片內(nèi)部的可編程互聯(lián)陣列,有效地配置芯片上的模擬和數(shù)字塊資源,達(dá)到可編程片上系統(tǒng)的目的。一個(gè)PSoC器件最多可集成上百種外設(shè)功能,從而幫助客戶(hù)節(jié)約設(shè)計(jì)時(shí)間和板上面積,降低了功耗和系統(tǒng)成本。

  整個(gè)系統(tǒng)的工作過(guò)程如圖4所示。程序控制CSD模塊對(duì)電容信號(hào)進(jìn)行采樣和ADC轉(zhuǎn)換,然后通過(guò)數(shù)字濾波器對(duì)轉(zhuǎn)換后的數(shù)字信號(hào)進(jìn)行過(guò)濾和處理,同時(shí)由內(nèi)部狀態(tài)機(jī)判斷輸出的狀態(tài),由中斷信號(hào)或者I2C/SPI接口通知手機(jī)處理器。下面來(lái)介紹一下整個(gè)系統(tǒng)主要模塊的功能。

  電容式接近感應(yīng)技術(shù)在智能手機(jī)中的新型應(yīng)用

  CSD模塊

  CSD是指CapSense Sigma-Delta調(diào)制電容感應(yīng)。圖5顯示了CSD的原理框圖。

  電容式接近感應(yīng)技術(shù)在智能手機(jī)中的新型應(yīng)用

  開(kāi)關(guān)電容在Ph1和Ph2相位的時(shí)候分別接到Vdd和VA,所以我們可以把它看作一個(gè)等效電阻,等效電阻Req通過(guò)Vdd對(duì)調(diào)制電容Cmod進(jìn)行充電。當(dāng)Cmod的電壓達(dá)到比較器的參考電壓Vref時(shí),比較器觸發(fā)放電電阻Rb對(duì)調(diào)制電容放電。當(dāng)調(diào)制電容上的電壓下降到Vref以下時(shí),放電電阻Rb被斷開(kāi),此時(shí)繼續(xù)對(duì)調(diào)制電容進(jìn)行充電。如此循環(huán)充放電使得調(diào)制電容上的電壓抑制在比較器參考電壓Vref附近上下浮動(dòng)。同時(shí)比較器會(huì)輸出一組比特流,這組比特流與PWM相與之后便可得到傳感電容的大小,如圖6所示。

  電容式接近感應(yīng)技術(shù)在智能手機(jī)中的新型應(yīng)用

  傳感電容的增加會(huì)使得等效電阻降低,充電電流增加,這樣就會(huì)使充電時(shí)間縮短。充電時(shí)間的縮短會(huì)使占空比提升,如圖7所示。

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