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功率半導(dǎo)體的革命：SiC與GaN的共舞（二）

作者： 時(shí)間：2013-10-14 來源：網(wǎng)絡(luò) 收藏
0px 20px; WORD-SPACING: 0px; FONT: 14px/25px 宋體, arial; TEXT-TRANSFORM: none; COLOR: rgb(0,0,0); TEXT-INDENT: 0px; PADDING-TOP: 0px; WHITE-SPACE: normal; LETTER-SPACING: normal; webkit-text-size-adjust: auto; orphans: 2; widows: 2; webkit-text-stroke-width: 0px">　　注2）此次試制的晶體管進(jìn)行外延層生長時(shí)采用了MBE法。

　　首先從制造MOSFET開始

　　Ga2O3中隱藏著巨大的潛力，但研發(fā)的全面目前才剛剛開始。試制出的晶體管不僅耐壓、輸出電流及電流的導(dǎo)通/截止比都還達(dá)不到要求，漏電流也較大，而且還存在常閉工作等課題注3）。但“與采用GaN的功率元件的開發(fā)初期相比，估計(jì)解決課題所花費(fèi)的時(shí)間會較短。目前已找到形成保護(hù)膜等解決問題的頭緒”（NICT的東脅）。

　　注3）此外，還存在難以制成p型晶體管的課題，但功率元件使用的是n型，所以問題不大。

　　據(jù)NICT介紹，當(dāng)前的目標(biāo)是在2015年之前利用Ga2O3制造出口徑為4英寸的基板和MOSFET，2020年的目標(biāo)是開始作為功率元件進(jìn)行小規(guī)模量產(chǎn)。
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關(guān)鍵詞： 功率 半導(dǎo)體 SiC GaN

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