Cortex M3的SRAM單元故障軟件的自檢測(cè)研究

目前，對(duì)于存儲(chǔ)單元SRAM的研究都是基于硬件電路來(lái)完成，而且這些方法都是運(yùn)用在生產(chǎn)過(guò)程中，但是生產(chǎn)過(guò)程并不能完全杜絕SRAM的硬件故障。在其使用過(guò)程中，如果SRAM硬件出錯(cuò)，將導(dǎo)致程序出錯(cuò)而且很難被發(fā)現(xiàn)。因此在運(yùn)用的階段，為防止存儲(chǔ)單元損壞而導(dǎo)致系統(tǒng)出錯(cuò)，通過(guò)軟件的方式對(duì)SRAM進(jìn)行檢測(cè)是必要的。

　　1 SRAM運(yùn)行狀態(tài)分析

　　SRAM是存儲(chǔ)非CONSTANT變量(如RW)，它具有掉電即失的特點(diǎn)。由Cortex—M3的啟動(dòng)步驟可知，系統(tǒng)上電后，首先執(zhí)行復(fù)位的5個(gè)步驟：

　　①NVIC復(fù)位，控制內(nèi)核;

　?、贜VIC從復(fù)位中釋放內(nèi)核;

　?、蹆?nèi)核配置堆棧;

　?、軆?nèi)核設(shè)置PC和LR;

　?、葸\(yùn)行復(fù)位程序。

　　可以看出，不能在調(diào)入C環(huán)境之后檢測(cè)SRAM，必須在Cortex—M3復(fù)位之前和啟動(dòng)之后進(jìn)行檢測(cè)。

　　在執(zhí)行系統(tǒng)復(fù)位的最后一個(gè)步驟之前，系統(tǒng)都沒(méi)有對(duì)SRAM執(zhí)行任何相關(guān)的數(shù)據(jù)傳送動(dòng)作。第⑤步運(yùn)行復(fù)位程序，在ST公司Cortex-M3處理器內(nèi)核的STM32系列微控制器的啟動(dòng)代碼中有一段復(fù)位子程序：

　　在這個(gè)子程序里導(dǎo)入了__main，__main是C庫(kù)文件的入口地址。它執(zhí)行下面3個(gè)步驟：

　?、?gòu)?fù)制非root(RW、RO)從Flash到SRAM;

　?、诜峙鋃I區(qū)，并且初始化為0;

　　③跳轉(zhuǎn)到堆棧初始化子程序接口__rt_entry。

　　由_ _main的第一步可以得出，在跳入_ _main之后，系統(tǒng)對(duì)SRAM進(jìn)行了相關(guān)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移的操作。因此，檢測(cè)SRAM必須在此步驟之前，否則將會(huì)覆蓋SRAM從Flash中轉(zhuǎn)移過(guò)來(lái)的數(shù)據(jù)。

　　2 SRAM檢測(cè)方案設(shè)計(jì)

　　在復(fù)位子程序跳入_ _main之前，設(shè)計(jì)另一個(gè)程序入口SRAM_Check，使PC指針指向該SRAM進(jìn)行硬件單元檢