CMOS集成電路設(shè)計(jì)(二):接口電路詳解
6.CMOS-工業(yè)控制電路的接口
工業(yè)控制電路是工業(yè)控制系統(tǒng)中常用的電路,多采用24V工作電壓。圖6示出了CMOS電路與工業(yè)控制電路的連接方法。圖中R1是晶體三極管VT的基極偏流電阻,VT的作用是把CMOS電路較低的邏輯高電平拉到24V,使兩者構(gòu)成良好的連接。
7.CMOS-晶體三極管VT的接口
圖7a是CMOS集成電路驅(qū)動(dòng)晶體三極管的接口。晶體三極管VT采用共發(fā)射極形式連接R1是VT的負(fù)載電阻,R1是VT的基極偏流電阻,R1的大小由公式R1=(VOH-VBH)β/IL決定。式中IL為負(fù)載電流。使用時(shí)應(yīng)先根據(jù)VL和IL來(lái)選定VC,然后估算IB(IB=IL/β)是否在CMOS集成電路的驅(qū)動(dòng)能力之內(nèi)。如超出,可換用β值更高的晶體三極管或達(dá)林頓管,如圖7b所示。晶體三極管VT按IL選定,IB=IL/(β1*β2),電阻R1的取值為:R1=(VOH -1.4)/(IB + 1.4/R2),式中R2是為改善電路的開(kāi)關(guān)特性而引入的,其值一般取為4?10KΩ。
8.CMOS-發(fā)光二極管LED的接口
發(fā)光二極管(LED)具有高可靠性、低功耗、長(zhǎng)壽命等多項(xiàng)重要特性。是與CMOS集成電路配合使用的最佳終端顯示器件之一。發(fā)光效率較高的LED可由CMOS集成電路直接驅(qū)動(dòng),特別當(dāng)VDD=10~18V時(shí),絕大多數(shù)的LED能夠有足夠的亮度。應(yīng)當(dāng)說(shuō)明,用CMOS集成電路驅(qū)動(dòng)LED應(yīng)串入限流電阻,因?yàn)楫?dāng)VDD=10V時(shí),其輸出短路電流可達(dá)20mA左右,若不加適當(dāng)?shù)南蘖鞅Wo(hù),極易導(dǎo)致LED或CMOS集成電路損壞。圖8a是CMOS集成電路輸出低電平點(diǎn)亮LED的電路,電阻R可通過(guò)公式:R=(VDD-VOL-VLED)/ILED求出。圖8b是CMOS集成電路輸出高電平點(diǎn)亮LED的電路,電阻R的數(shù)值通過(guò)公式:R=(VOH-VLED)/ILED求出。式中VLED和分別是LED的工作電壓和工作電流。
如果在低電源電壓下工作的CMOS集成電路要驅(qū)動(dòng)LED,或者使用負(fù)載能力較差的COOO系列CMOS集成電路驅(qū)動(dòng)LED,均可能難以使LED發(fā)出足夠明亮的光。解決辦法是加一級(jí)晶體管驅(qū)動(dòng)電路,以獲得足夠的驅(qū)動(dòng)能力。
9.CMOS-可控硅VS的接口
一般中、小功率可控硅的觸發(fā)電流約在10mA以下,故多數(shù)CMOS集成電路能夠直接驅(qū)動(dòng)可控硅。具體電路如圖9所示。若需要更大的驅(qū)動(dòng)電流,可改為CMOS緩沖器(例如CC4041)或緩沖/驅(qū)動(dòng)器(例如CC40107),也可加一級(jí)晶體三極管電路。
評(píng)論