BluGlass通過RPCVD技術(shù)減少GaN膜生長雜質(zhì)

　　知名且獨立的材料特性公司Evans Analytical Group采用了二次離子光譜學(xué)予以證明，BluGlass的技術(shù)可以將碳、氫和氧雜質(zhì)的水平控制在每立方厘米為1*1017個原子以下。

　　現(xiàn)在BluGlass計劃對p-GaN層進行優(yōu)化，并將RPCVD的優(yōu)點介紹給顧客，包括該技術(shù)跟傳統(tǒng)的MOCVD 相比所獲得的LED設(shè)備效率的提高。

　　BluGlass的CEO Giles Bourne說：“這一成果對于我們公司來說是一個突破，也是給業(yè)界和未來顧客證明我們技術(shù)實力的關(guān)鍵一步。眾所周知，碳和氧抑制了RPCVD技術(shù)的障礙，所以這兩種雜質(zhì)的降低將是一個重要的發(fā)現(xiàn)。