高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)
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電路剛啟動(dòng)時(shí)，使Mp7和Mp8飽和，保證MN8柵極有足夠高的開(kāi)啟電壓，當(dāng)MN8導(dǎo)通時(shí)，一個(gè)小的導(dǎo)通電流流過(guò)運(yùn)放，啟動(dòng)帶隙電路。電路開(kāi)啟后，虛框b部分電流鏡像電路將輸出電流進(jìn)行鏡像，給啟動(dòng)電路提供偏置，偏置電流使Mp6導(dǎo)通，從而MN7的柵極電壓升高，MN7導(dǎo)通，由于MN8的電阻很大，導(dǎo)致MN7漏極電壓很低，從而關(guān)斷MN8，使啟動(dòng)電路(虛框c)兩端電壓降低而停止工作
3 仿真結(jié)果與分析
圖3說(shuō)明了該基準(zhǔn)源對(duì)電壓的抑制效果。根據(jù)仿真數(shù)據(jù)，在所取5～10 V的輸出電壓范圍經(jīng)計(jì)算基準(zhǔn)電壓電源抑制比為82 dB。圖4為Cade-nce下的溫度仿真曲線，根據(jù)所要求取的溫度范圍在-25～+120℃，計(jì)算得溫度系數(shù)為：TCF=7.427 ppm/℃。圖5為整體電路的版圖設(shè)計(jì)，面積近似為0.022 mm2。
4 結(jié)語(yǔ)
本文通過(guò)對(duì)傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)源的基本原理分析，設(shè)計(jì)的基準(zhǔn)電路工作電壓為5～10 V，通過(guò)飽和狀態(tài)MOS等效電阻對(duì)PTAT電流反饋補(bǔ)償，得到了82 dB的電源電壓抑制比和低于7.427 ppm/℃的溫度系數(shù)，版圖面積0.022 mm2。該電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)源電壓基本滿(mǎn)足普通應(yīng)用要求。
評(píng)論