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2.電源傳導(dǎo)、輻射整改實(shí)例

作者: 時間:2012-07-16 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
; MARGIN: 20px 0px 0px; WORD-SPACING: 0px; FONT: 14px/25px 宋體, arial; TEXT-TRANSFORM: none; COLOR: rgb(0,0,0); TEXT-INDENT: 0px; PADDING-TOP: 0px; WHITE-SPACE: normal; LETTER-SPACING: normal; BACKGROUND-COLOR: rgb(255,255,255); orphans: 2; widows: 2; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">  于是用頻譜分別對 MOS 管的G、D、S 三個腳接觸看一下是哪個腳是輻射源,發(fā)現(xiàn)D 極的輻射源最大。

  于是我在D 極上串了一個通用的插件磁珠。(¢3.5*8)再看MOS 管的頻譜曲線如下:

  

2.電源傳導(dǎo)、輻射整改實(shí)例

  大家可以看到此時 MOS 管的輻射明顯減小而且更平穩(wěn)了一些.于是第二次做了測試.結(jié)果如下:

  

2.電源傳導(dǎo)、輻射整改實(shí)例

  從上圖可以看到此時的已經(jīng)非常的好,余量最小的為8.6dB.

  

2.電源傳導(dǎo)、輻射整改實(shí)例
上圖為 V 方向空間輻射曲線最小余量為8.3dB.

  

2.電源傳導(dǎo)、輻射整改實(shí)例

  上圖為H 方向的曲線余量更大。

  經(jīng)過兩次的修改該產(chǎn)品順利的符合了客戶要求的標(biāo)準(zhǔn)測試。最終的整改方案為:

  1. 將 MOS 管,雙向二極管的散熱片面接入的熱地。

  2. 將 X 電容改為0.22uF。



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