- MAX7000S/AE， MAX3000A：5v/3.3vEEPOM工藝PLD，是ALTERA公司銷量最大的產(chǎn)品，已生產(chǎn)5000萬片，從從32個(gè)到1024個(gè)宏單元。 MAX3000A是Altera公司99年推出的3.3v 低價(jià)格EEPOM工藝PLD,從32個(gè)到512個(gè)宏單元,結(jié)構(gòu)與MAX7000基本一樣。
| 5v | 3.3v | 3.3v | 2.5v | 宏單元 | 備注 |
| EPM7032S | EPM7032AE | EPM3032A | EPM7032B | 32 | |
| EPM7064S | EPM7064AE | EPM3064A | EPM7064B | 64 |
| EPM7128S | EPM7128AE | EPM3128A | EPM7128B | 128 |
| EPM7256S | EPM7256AE | EPM3256A | EPM7256B | 256 |
- FLEX10KE/ACEX1KFLEX10KE是98推出的2.5vSRAM工藝 PLD(FPGA),從3萬門到25萬門，主要有10K30E,10K50E,10K100E,帶嵌入式存儲塊(EAB)較早期的型號還有FLEX10K(5V),FLEX10KA(3.3v),5v的10K和3.3v的10KA已基本不推廣。ACEX1K是2000年推出的2.5v低價(jià)格SRAM工藝PLD(FPGA),結(jié)構(gòu)與10KE類似,帶嵌入式存儲塊(EAB),部分型號帶PLL，主要有1K10, 1K30, 1K50,1K100。
| 2.5v | 2.5v | 邏輯單元（LE）數(shù)量 | 嵌入式RAM塊 | 備注 |
| | EP1K10 | 576 | 3 | 每個(gè)RAM塊容量為4Kbit |
| EPF10K30E | EP1K30 | 1728 | 6 |
| EPF10K50E | EP1K50 | 2880 | 10 |
| EPF10K100E | EP1K100 | 4992 | 12 |
- FLEX60005v/3.3vSRAM工藝,較低價(jià)格的CPLD(FPGA),結(jié)構(gòu)與10K類似，但不帶嵌入式存儲塊
| 5v | 3.3v | 邏輯單元（LE）數(shù)量 | 備注 |
| | EPF6010A | 880 | |
| EPF6016 | EPF6016A | 1320 |
| EPF6024 | EPF6024A | 1960 |
- APEX20K99年推出的大規(guī)模2.5v/1.8v SRAM工藝CPLD(FPGA）,帶PLL,CAM,EAB,LVDS,從3萬門到150萬門
| 2.5v | 1.8v | 邏輯單元（LE）數(shù)量 | 嵌入式RAM塊 | 備注 |
| | EP20K60E | 2560 | 16 | 每個(gè)RAM塊容量為4Kbit |
| EP20K100 | EP20K100E | 4160 | 26 |
| EP20K200 | EP20K200E | 8320 | 52 |
| | EP20K300E | 11520 | 72 |
| EP20K400 | EP20K400E | 16640 | 104 |
| | EP20K600E | 24320 | 152 |
| | EP20K100E | 38400 | 160 |
| | EP20K1500E | 51840 | 216 |
- APEXIIAPEX的下一代高密度SRAM工藝的FPGA,規(guī)模超過APEX，支持LVDS,PLL,CAM,用于超高密度設(shè)計(jì)
| 1.5v | 邏輯單元（LE）數(shù)量 | 嵌入式RAM塊數(shù)量 | 備注 |
| EP2A15 | 16640 | 104 | 每個(gè)RAM塊容量為4Kbit |
| EP2A25 | 24320 | 623 |
| EP2A40 | 38400 | 655 |
| EP2A70 | 67200 | 1147 |
| EP2A90 | 89280 | 1524 |
- Excalibur片內(nèi)集成CPU的最新PLD/FPGA產(chǎn)品
- Mercury新一代高性能SRAM工藝FPGA，8層全銅布線，I/O性能及系統(tǒng)速度有很大提高，I/O支持CDR(時(shí)鐘-數(shù)據(jù)自動恢復(fù)）,支持DDR SDRAM接口，內(nèi)部支持四端口存儲器，LVDS接口最高支持到1.25G，用于高性能高速系統(tǒng)設(shè)計(jì),適合做高速系統(tǒng)的接口。
| 1.5v | 邏輯單元（LE）數(shù)量 | CDR通道數(shù) | 嵌入式RAM塊數(shù)量 | 備注 |
| EP1M120 | 4800 | 8 | 12 | 每個(gè)RAM塊容量為4Kbit |
| EP1M350 | 14400 | 18 | 28 |
| | | |
| | | | |
| | | | |
配置EEPROM用于配置SRAM工藝FPGA的EEPROM
| 型號 | 容量 | 適用型號(詳細(xì)內(nèi)容請參閱數(shù)據(jù)手冊） | 電壓 | 常用封裝 |
| EPC1441 （不可擦寫) | 441 Kbits | 6K,10K10-10K30，1K10 | 3.3/5v 自動選擇（可在軟件中設(shè)定） | 8 腳 DIP |
| EPC1 （不可擦寫) | 1M bits | 10K30E/1K30，10K/1K50,更大芯片要多片級連 | 3.3/5v 自動選擇（可在軟件中設(shè)定） | 8 腳 DIP |
| EPC2 （可重復(fù)擦寫） | 2M bits | 10K/1K/20K100以下，更大芯片要多片級連 | 3.3/5v 管腳控制（請查閱數(shù)據(jù)手冊） | 20 腳 PLCC |
| EPC8 （可重復(fù)擦寫） | 8M bits | | | TQFP |
| EPC16（可重復(fù)擦寫） | 16M bits | | | 88 腳 BGA |
加入技術(shù)交流群
評論