電壓基準芯片的性能分析及應用介紹

　　圖3. ICN2520電壓基準芯片的噪聲特性曲線

　　10Hz到10kHz頻率范圍以及高于這個頻率范圍的噪聲主要是熱噪聲，在有效帶寬內(nèi)頻率特性基本上是平坦的，通過給出的噪聲有效值（rms）可以很容易估算出某一頻率范圍內(nèi)的熱噪聲。增大電流可以有效降低噪聲，因此優(yōu)良的噪聲特性往往是以犧牲功耗為代價的。用戶可以在電壓基準輸出端添加濾波電容或其他濾波電路限制噪聲帶寬，以改善噪聲特性，從而達到設(shè)計要求。

　　ICN25XX系列電壓基準芯片采用特殊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，達到了CMOS工藝通常很難實現(xiàn)的低噪聲水平：0.1Hz到10Hz為13ppm（P-P）；10Hz到10kHz為32ppm（rms）；而且還保持了CMOS工藝的功耗優(yōu)勢，靜態(tài)電流僅為75A。

　　某些應用對電壓基準芯片的瞬態(tài)特性會有要求。瞬態(tài)特性包括三個方面：上電建立時間、小信號輸出阻抗（高頻）、大信號恢復時間（動態(tài)負載）。不同廠商推出的電壓基準芯片的瞬態(tài)特性可能區(qū)別很大，良好的瞬態(tài)特性往往也是以犧牲功耗為代價的。ICN25XX系列電壓基準內(nèi)部集成緩沖放大器，采用特殊結(jié)構(gòu)，能夠提供良好的瞬態(tài)特性、線性調(diào)整率及負載調(diào)整率，并能夠保證很大輸出濾波電容范圍內(nèi)的穩(wěn)定性。