雙極性器件還是CMOS器件比較

設(shè)計低功耗混合信號設(shè)備的另一個重要組件是高可靠性、小型、低功耗非易失性存儲器。鐵電存儲器(FRAM)可提供獨特的性能，是眾多應(yīng)用中極具吸引力的非易失性存儲器選擇，其與眾不同的特性包括類似RAM的快速寫入速度、低電壓低功耗寫入工作、超長使用壽命以及高靈活度的架構(gòu)等。該存儲器已經(jīng)集成至上文所述的低功耗數(shù)字工藝技術(shù)中。

　　FRAM的工作電壓為1.5V，與浮柵器件不同，它不需要充電泵。與所有非易失性存儲器一樣，其可靠性問題主要涉及寫入/讀取周期持久性、數(shù)據(jù)保持以及高溫使用壽命。即便在多次工作之后，F(xiàn)RAM也可保持優(yōu)異的非周期和周期位性能。

　　封裝技術(shù)

　　當需要在同一IC中實現(xiàn)不同性能指標時，可高效使用封裝技術(shù)。例如，一些應(yīng)用需要同時具有低噪聲、低功耗數(shù)字性能，可通過將兩種不同工藝的硅裸片布置在同一封裝中來實現(xiàn)?？蓪⒐杪闫M行堆棧，節(jié)省電路板空間。隨著封裝技術(shù)的不斷發(fā)展，還可將電感器與電容器等無源元件集成在封裝內(nèi)。板上裸片貼裝(Chip on Board)技術(shù)能夠?qū)⒄麄€IC完全嵌入到印刷電路板中，為密集型應(yīng)用節(jié)省寶貴的空間。