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過(guò)壓保護(hù)的電路器件分析

作者: 時(shí)間:2012-01-29 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
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  圖4. 典型的限壓電路提供輸出電容放電通道

  MAX6495–MAX6499/MAX6397/MAX6398通過(guò)內(nèi)部100mA的電流源(見(jiàn)圖4)連接到GAte輸出,以對(duì)柵極電容和輸出電容放電。電流源先對(duì)GATE放電(電流I1,綠色箭頭),直到GATE的電壓等于OUTFB電壓,然后斷開(kāi)FET,電流源繼續(xù)降低GATE電壓,最后,直到內(nèi)部的箝位二極管變?yōu)檎蚱?,?duì)輸出電容放電(電流I2,紅色箭頭)。

  

帶有輸出電容儲(chǔ)能功能的過(guò)壓限制電路

  圖5. 帶有輸出電容儲(chǔ)能功能的過(guò)壓限制電路

  如果OUTFB沒(méi)有連接,則斷開(kāi)了通過(guò)箝位二極管放電的通路,不再對(duì)輸出電容放電。然而,MOSFET的柵極就不再有保護(hù)箝位二極管,VGS_MAX有可能超出額定值。

  在MOSFET源極和柵極之間增加一個(gè)外部箝位二極管(圖5中的D1)可重新建立輸出端與100mA恒流源之間的通路。在柵極和GATE引腳之間增加一個(gè)串聯(lián)電阻(圖5中的R3),將會(huì)限制輸出電容的放電電流,降低電流。限制放電電流的同時(shí)會(huì)增加電路的斷開(kāi)時(shí)間,也降低了電路對(duì)瞬態(tài)過(guò)壓的響應(yīng)速度。在串聯(lián)電阻兩端并聯(lián)一個(gè)電容(圖5中的C4)可以減輕對(duì)響應(yīng)時(shí)間的影響,還可以選擇使用電阻R4,避免OUTFB浮空。

  如果將SET外部的分壓電阻連接到輸出端,而不是輸入端(參考上述電路圖),使MAX6495–MAX6499/MAX6397/MAX6398工作在限幅模式,發(fā)生過(guò)壓時(shí),電路會(huì)定期地對(duì)輸出電容進(jìn)行充電。電容電壓跌落到過(guò)壓門限的滯回電壓以下時(shí),MOSFET導(dǎo)通,對(duì)電容充電;當(dāng)電容電壓達(dá)到過(guò)壓門限時(shí),MOSFET斷開(kāi)。

  圖6給出了MAX6495–MAX6499/MAX6397/MAX6398工作在過(guò)壓監(jiān)控模式的電路。輸入電壓經(jīng)過(guò)電阻分壓后連接到SET引腳,當(dāng)輸入過(guò)壓時(shí),斷開(kāi)MOSFET,并將一直維持?jǐn)嚅_(kāi)狀態(tài),直到解除輸入過(guò)壓故障。

  

過(guò)壓監(jiān)測(cè)模式下的過(guò)壓比較配置

  圖6. 過(guò)壓監(jiān)測(cè)模式下的過(guò)壓比較配置


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