pn結(jié)的特性,PN結(jié)的擊穿特性,PN結(jié)的電容特性
當反向電壓增大到一定值時,PN結(jié)的反向電流將隨反向電壓的增加而急劇增 加,這種現(xiàn)象稱為PN結(jié)的擊穿,反向電流急劇增加時所對應的電壓稱為反向擊穿電壓,如上圖所示, PN結(jié)的反向擊穿有雪崩擊穿和齊納擊穿兩種。
1、雪崩擊穿:阻擋層中的載流子漂移速度隨內(nèi)部電場的增強而相應加快到一定程度時,其動能足以把束縛在共價鍵中的價電子碰撞出來,產(chǎn)生自由電 子—空穴對新產(chǎn)生的載流子在強電場作用下,再去碰撞其它中性原子,又產(chǎn)生新的自由電子—空穴對,如此連鎖反應,使阻擋層中的載流子數(shù)量急
劇增加,象雪崩一樣。雪崩擊穿發(fā)生在摻雜濃度較低的PN結(jié)中,阻擋層寬,碰撞電離的機會較多,雪崩擊穿的擊穿電壓高。
2、齊納擊穿:當PN結(jié)兩邊摻雜濃度很高時,阻擋層很薄,不易產(chǎn)生碰撞電離,但當加不大的反向電壓時,阻擋層中的電場很強,足以把中性原子中的價電子直接從共價鍵中拉出來,產(chǎn)生新的自由電子—空穴對,這個過程 稱為場致激發(fā)。
一般擊穿電壓在6V以下是齊納擊穿,在6V以上是雪崩擊穿。
3、擊穿電壓的溫度特性:溫度升高后,晶格振動加劇,致使載流子運動的平 均自由路程縮短,碰撞前動能減小,必須加大反向電壓才能發(fā)生雪崩擊穿具有正的溫度系數(shù),但溫度升高,共價鍵中的價電子能量狀態(tài)高,從而齊納擊穿電壓隨溫度升高而降低,具有負的溫度系數(shù)。6V左右兩種擊穿將會同時發(fā)生,擊穿
電壓的溫度系數(shù)趨于零。
4、穩(wěn)壓二極管:PN結(jié)一旦擊穿后,盡管反向電流急劇變化,但其端電壓幾 乎不變(近似為V(BR),只要限制它的反向電流,PN結(jié)就不會燒壞,利用這一特性可制成穩(wěn)壓二極管,其電路符號及伏
安特性如上圖所示:其主要參數(shù)有: VZ 、 Izmin 、 Iz 、 Izmax
電壓才能發(fā)生雪崩擊穿具有正的溫度系數(shù),但溫度升高,共價鍵中的價電子能量狀態(tài)高,從而齊納擊穿電壓隨溫度升高而降低,具有負的溫度系數(shù)。6V左右兩種擊穿將會同時發(fā)生,擊穿電壓的溫度系數(shù)趨于零。
PN結(jié)的電容特性:
PN結(jié)除具有非線性電阻特性外,還具有非線性電容特性,主要有勢壘電容和擴散電容。
1、勢壘電容:勢壘區(qū)類似平板電容器,其交界兩側(cè)存儲著數(shù)值相等極性相反的離子電荷,電荷量隨外加電壓而變化,稱為勢壘電容,用CT表示。
CT = - dQ/dV
PN結(jié)有突變結(jié)和緩變結(jié),現(xiàn)考慮突變結(jié)情況(緩變結(jié)參見《晶體管原 理》),PN結(jié)相當于平板電容器,雖然外加電場會使勢壘區(qū)變寬或變窄 但這個變化比較小可以忽略,
則CT=εS/L,已知動態(tài)平衡下阻擋層的寬度L0,代入上式可得:
CT不是恒值,而是隨V而變化,利用該特性可制作變?nèi)荻O管。
2、 擴散電容:多子在擴散過程中越過PN結(jié)成為另一方的少子, 當PN結(jié)處于 平衡狀態(tài)(無外加電壓)時的少子稱為平衡少子 可以認為阻擋層以外的區(qū)域內(nèi)平衡少子濃度各處是一樣的,當PN結(jié)處于正向偏置時,N區(qū)的多子自由電子擴散到P區(qū)成為 P區(qū)的非平衡少子,由于濃度差異還會向P 區(qū)深處擴散,距交界面越遠,非平衡少子濃度越低,其分布曲線見[PN 結(jié)的伏 安特性]。當外加正向電壓增大時,濃度分布曲線上移,兩邊 非平 衡少子濃度增加即電荷量增加,為了維持電中性,中性區(qū)內(nèi)的非平衡多子濃度也相應增加,這就是說,當外加電壓增加時,P區(qū)和N區(qū)各自存儲的空穴和自由電子電荷量也增加,這種效應相當于在PN結(jié)上并聯(lián)一個電容,由于它是載流子擴散引起的,故稱之為擴散電容CD,由半導體物理推導得 CD=( I + Is)τp/VT推導過程參見《晶體管原理》。
當外加反向電壓時 I = Is , CD趨于零。
3、 PN結(jié)電容: PN結(jié)的總電容Cj為CT和CD兩者之和Cj = CT+CD ,外加正向電 壓CD很大, Cj以擴散電容為主(幾十pF到幾千pF) ,外加反向電壓CD趨于零,Cj以勢壘電容為主(幾pF到幾十pF到)。
4、變?nèi)荻O管:PN結(jié)反偏時,反向電流很小,近似開路,因此是一個主要由勢壘電容構(gòu)成的較理想的電容器件,且其增量電容值隨外加電壓而變化 利用該特性可制作變?nèi)荻O管,變?nèi)荻O管在非線性電路中應用較廣泛, 如壓控振蕩器、頻率調(diào)制等。
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