單片機(jī)一些基礎(chǔ)問(wèn)題

中斷允許控制寄存器寄存器地址A8H，位尋址AFH～A8H。

中斷的允許或禁止是由片內(nèi)可進(jìn)行位(什么是位，大家可別到現(xiàn)在還說(shuō)不知道哦)尋址的 8位中斷允許寄存器 IE 來(lái)控制的，單片機(jī)中斷系統(tǒng)中有兩種不同類型的中斷：一種稱為非屏蔽中斷;另一種稱為屏蔽中斷。對(duì)于非屏蔽中斷，用戶不能用軟件方法加以禁止，一旦有中斷申請(qǐng)，CPU 將根據(jù)自然優(yōu)先級(jí)予以響應(yīng)。這里主要講屏蔽中斷，對(duì)于屏蔽中斷，我們可以通過(guò)軟件的方法來(lái)予以控制(允許中斷我們把它稱為中斷開(kāi)放，不允許中斷我們把它稱之為中斷屏蔽)，如何操作，說(shuō)穿了其實(shí)很簡(jiǎn)單，就是通過(guò)對(duì) IE 的相應(yīng)位的置“1”或請(qǐng)“0”來(lái)允許或禁止某個(gè)中斷，請(qǐng)看下面的表格：

EA × × ES ET1 EX1 ET0 EX0

(1)EA：總中斷允許開(kāi)關(guān)。它是個(gè)總開(kāi)關(guān)，凡是要設(shè)置中端都得先通過(guò)它。EA=1，開(kāi)放所有的中斷;EA=0，則所有中斷都被禁止。

(2)ES：串行口中斷控制位。ES=1，允許中斷;ES=0，禁止中斷。

(3)ET1：定時(shí)/計(jì)數(shù)器 1 中斷控制位。ET1=1，允許中斷;ET1=0，禁止中斷。

(4)EX1：外中斷 1 中斷控制位。EX1=1，允許中斷;EX1=0，禁止中斷。

(5)ET0：定時(shí)器 0 中斷控制位。ET0=1，允許中斷;ET0=0，禁止中斷。

(6)EX0：外中斷 0 中斷控制位。EX0=1，允許中斷;EX0=0，禁止中斷。

SETB

SETB是匯編指令，意思是把其后面的那個(gè)寄存器的位置1。

DJNZ ,

功能：減1，若非0則跳轉(zhuǎn)

說(shuō)明：DJNE指令首先將第1個(gè)操作數(shù)所代表的變量減1，如果結(jié)果不為0，則轉(zhuǎn)移到第2個(gè)操作數(shù)所指定的地址去執(zhí)行。如果第1個(gè)操作數(shù)的值為00H，則減1后變?yōu)?FFH。該指令不影響標(biāo)志位。跳轉(zhuǎn)目標(biāo)地址的計(jì)算：首先將PC值加2(即指向下一條指令的首字節(jié))，然后將第2操作數(shù)表示的有符號(hào)的相對(duì)偏移量加到PC上去即可。byte所代表的操作數(shù)可采用寄存器尋址或直接尋址。

為什么要通過(guò)了74HC14把持ULN2003 驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)蜂鳴器

74HC14是六反相施密特觸發(fā)器集成電路，其基礎(chǔ)作用就是反相器，一般用于信號(hào)輸入電路，用施密特觸發(fā)器對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行波形整形，對(duì)干擾信號(hào)有必定的克制作用，其輸出為標(biāo)準(zhǔn)的TTL電平。ULN2003 的每一對(duì)達(dá)林頓都串聯(lián)一個(gè)2.7K 的基極電阻,在5V 的工作電壓下它能與TTL 和CMOS 電路直接相連，可以直接處理本來(lái)需要標(biāo)準(zhǔn)邏輯緩沖器來(lái)處理的數(shù)據(jù)。所以，ULN2003 是通過(guò)74HC14把持的，而74HC14是反相器，不加是不行的。。。

ULN2003 是高耐壓、大電流復(fù)合晶體管陣列，由七個(gè)硅NPN 復(fù)合晶體管組成。ULN2003 工作電壓高，工作電流大，灌電流可達(dá)500mA，并且能夠在關(guān)態(tài)時(shí)承受50V 的電壓，可以在高負(fù)載電流并行運(yùn)行。 74HC14實(shí)現(xiàn)了6路施密特觸發(fā)反相器。 蜂鳴器和繼電器是電流型驅(qū)動(dòng)的器件，直接用單片機(jī)的引腳驅(qū)動(dòng)的話電流不夠，所以用ULN2003 進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，74HC14是反向器，也就是把輸入的1變?yōu)?

2003是反向的三極管輸出陣列(有7路)，但是，其集電極是開(kāi)路輸出的。輸入高就輸出低;輸入低時(shí)，其輸出三極管截止，電平懸浮，高電平靠外部負(fù)載上的電源V+實(shí)現(xiàn)。

2003的第8腳，通常接地;第9腳COM接電源V+，可以為負(fù)載電流在斷流時(shí)提供續(xù)流通路.

2003的電流驅(qū)動(dòng)能力就相當(dāng)于是多個(gè)普通的分離的三極管，總電流可達(dá)五百毫安。加74HC14主要是確保上電后2003無(wú)輸出，否則上電后蜂鳴器會(huì)先叫一聲。

繼電器的引腳怎么接

2和6是常開(kāi)，1和6是常閉，3和4是線圈，5和6是連著的，用哪個(gè)都行。

其實(shí)不用看引腳圖，用萬(wàn)能表一測(cè)便知。

把萬(wàn)能表跳到電阻X1K檔，有一定值的是線圈，等于0的是常閉，無(wú)窮大的是常開(kāi)，一試就知道了

74HC與74LS的區(qū)別

LS的驅(qū)動(dòng)能力要比HC的強(qiáng)一些,所以如果后級(jí)的負(fù)載比較重的話,要選LS的.同時(shí),LS的功耗也比HC的大一些.HC采用高速CMOS工藝制作，自身功耗低，輸出高低電平范圍寬。 LS采用早期的雙極型工藝，驅(qū)動(dòng)能力相對(duì)較大些。

74系列集成電路大致可分為6大類：l 74××(標(biāo)準(zhǔn)型);l 74LS××(低功耗肖特基);l 74S××(肖特基);l 74ALS××(先進(jìn)低功耗肖特基);l 74AS××(先進(jìn)肖特基);l 74F××(高速)。近年來(lái)還出現(xiàn)了高速CMOS電路的74系列，該系列可分為3大類：l HC為COMS工作電平;l HCT為TTL工作電平，可與74LS系列互換使用;l HCU適用于無(wú)緩沖級(jí)的CMOS電路。這9種74系列產(chǎn)品，只要后邊的標(biāo)號(hào)相同，其邏輯功能和管腳排列就相同。根據(jù)不同的條件和要求可選擇不同類型的74系列產(chǎn)品，比如電路的供電電壓為3V就應(yīng)選擇74HC系列的產(chǎn)品。

TTL和CMOS有什么區(qū)別

1，TTL電平：

輸出高電平>2.4V,輸出低電平0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平=0.8V，噪聲容限是0.4V。

2，CMOS電平：

邏輯電平電壓接近于電源電壓，0邏輯電平接近于0V。而且具有很寬的噪聲容限。

3，電平轉(zhuǎn)換電路：

因?yàn)門TL和COMS的高低電平的值不一樣(ttl 5v==>cmos 3.3v)，所以互相連接時(shí)需要電平的轉(zhuǎn)換：就是用兩個(gè)電阻對(duì)電平分壓，沒(méi)有什么高深的東西。

4， OC門，即集電極開(kāi)路門電路，OD門，即漏極開(kāi)路門電路，必須外界上拉電阻和電源才能將開(kāi)關(guān)電平作為高低電平用。否則它一般只作為開(kāi)關(guān)大電壓和大電流負(fù)載，所以又叫做驅(qū)動(dòng)門電路。

5，TTL和COMS電路比較：

1)TTL電路是電流控制器件，而coms電路是電壓控制器件。

2)TTL電路的速度快，傳輸延遲時(shí)間短(5-10ns)，但是功耗大。

COMS電路的速度慢，傳輸延遲時(shí)間長(zhǎng)(25-50ns),但功耗低。

COMS電路本身的功耗與輸入信號(hào)的脈沖頻率有關(guān)，頻率越高，芯片集越熱，這是正?，F(xiàn)象。

3)CMOS是場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，TTL為雙極晶體管構(gòu)成

4)COMS的邏輯電平范圍比較大(5～15V)，TTL只能在5V下工作

5)CMOS的高低電平之間相差比較大、抗干擾性強(qiáng)，TTL則相差小，抗干擾能力差

數(shù)碼管的8位二進(jìn)制是高位在前底位在后