NandFlash系列之二：S3C2410讀寫Nand Flash分析

　　三、寫操作過(guò)程

　　寫操作的過(guò)程為: 1、發(fā)送寫開始指令；2、發(fā)送第1個(gè)cycle地址；3、發(fā)送第2個(gè)cycle地址；4、發(fā)送第3個(gè)cycle地址；5、發(fā)送第4個(gè)cycle地址；6、寫入數(shù)據(jù)至頁(yè)末；7、發(fā)送寫結(jié)束指令

　　下面通過(guò)分析寫入頁(yè)的代碼，闡述讀寫過(guò)程。

　　static void WritePage(U32 addr, U8 *buf) //addr表示flash中的第幾頁(yè)，即‘flash地址>>9’

　　{

　　U32 i;

　　NFChipEn(); //使能NandFlash

　　WrNFCmd(PROGCMD0); //發(fā)送寫開始指令’0x80’

　　WrNFAddr(0); //寫地址的第1個(gè)cycle

　　WrNFAddr(addr); //寫地址的第2個(gè)cycle

　　WrNFAddr(addr>>8); //寫地址的第3個(gè)cycle

　　WrNFAddr(addr>>16); 寫地址的第4個(gè)cycle

　　WaitNFBusy(); //等待系統(tǒng)不忙

　　for(i=0; i512; i++)

　　WrNFDat(buf[i]); //循環(huán)寫入1頁(yè)數(shù)據(jù)

　　WrNFCmd(PROGCMD1); //發(fā)送寫結(jié)束指令’0x10’

　　NFChipDs(); //釋放NandFlash

　　}

　　四、總結(jié)

　　本文以S3C2410處理器和k9f1208系統(tǒng)為例講述了nand flash的讀寫過(guò)程。在讀寫過(guò)程中沒(méi)有考慮到壞塊問(wèn)題，有關(guān)ecc及壞塊處理問(wèn)題將在下個(gè)專題中講述。