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nandflash 文章 進(jìn)入nandflash技術(shù)社區(qū)
西部數(shù)據(jù)將拆分NANDFlash部門與鎧俠合并
- 根據(jù)彭博社報(bào)導(dǎo),在經(jīng)過幾個(gè)月的談判后,西部數(shù)據(jù)(Western Digital)和鎧俠(Kioxia)即將達(dá)成協(xié)議。該協(xié)議的內(nèi)容主要是分拆西部數(shù)據(jù)的NAND Flash快閃存儲(chǔ)器部門,然后進(jìn)一步與鎧俠合并。之后,西部數(shù)據(jù)的股東將控制合并后新公司約略超過一半的股權(quán)。不過,當(dāng)前相關(guān)訊息仍在保密中。報(bào)導(dǎo)指出,兩家公司在談判時(shí),有建議是將由鎧俠的團(tuán)隊(duì)來主導(dǎo)合并后新公司的經(jīng)營(yíng),不過西部數(shù)據(jù)高管也將發(fā)揮相對(duì)的重要輔助作用。而就目前情況來看,盡管雙方談判進(jìn)展順利,但距離最終協(xié)議敲定可能還需要一段時(shí)間。而且,期間
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中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸,因素在于美國(guó)管制與韓國(guó)壟斷
- 根據(jù)韓國(guó)媒體《BusinessKorea》的報(bào)導(dǎo)指出,中國(guó)一直企望發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),但在近期受到韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠三星與SK海力士在市場(chǎng)壟斷與持續(xù)技術(shù)精進(jìn)下,加上美國(guó)對(duì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的嚴(yán)密保護(hù),其目的將難以達(dá)成?! ?bào)導(dǎo)指出,2018年10月份,在中國(guó)NANDFlash快閃存儲(chǔ)器技術(shù)上領(lǐng)先的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后,當(dāng)時(shí)就宣布將在2020年時(shí)跳過64層及96層堆疊的產(chǎn)品,直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國(guó)的存儲(chǔ)器龍頭廠三星,早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快
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淺析Nandflash燒錄技巧與方法
- Nandflash芯片以其高性價(jià)比,大存儲(chǔ)容量在電子產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用。但是,在此量大質(zhì)優(yōu)的應(yīng)用領(lǐng)域,很多客戶卻痛苦于批量質(zhì)量問題:專用工具無法滿足量產(chǎn),量產(chǎn)工具卻可能出現(xiàn)極大的不良品率,那么究竟要如何解決呢? 其實(shí)根本原因在于目前大部分用戶并不是很了解Nandflash燒錄的復(fù)雜性,他們常采用很直接的方法,即使用一顆能正常運(yùn)行的NandFlash芯片作為母片,在連接編程器之后,點(diǎn)擊燒錄軟件上的“讀取”按鈕,把數(shù)據(jù)從芯片里面完整讀取出來,然后再找?guī)最w空芯片,把數(shù)據(jù)重復(fù)寫進(jìn)去。本以為可達(dá)到量產(chǎn)的目的,但實(shí)
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NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)開發(fā)
- NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)開發(fā),0 引 言
隨著嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展,其應(yīng)用環(huán)境的廣泛性,復(fù)雜性對(duì)構(gòu)建于系統(tǒng)上的Nor和Nand閃存設(shè)備提出更高要求,需要閃存設(shè)備傳輸速度更快,體積更小,容量更大,穩(wěn)定性更好。該文在基于Samsung公司的S3C2410 - 關(guān)鍵字: NandFLASH NorFLASH 接口設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng)開發(fā)
TrendForce:2018年NAND Flash價(jià)格有望縮減10%-20%
- TrendForce研究指出,明年上半年步入淡季,NANDFlash價(jià)格有機(jī)會(huì)走跌,下半年需求回升,可能再次供不應(yīng)求,預(yù)估2018年NANDFlashASP(平均銷售單價(jià))將較2017年縮減10%-20%。 相對(duì)而言,TrendForce預(yù)計(jì),2018年DRAM產(chǎn)能擴(kuò)增效益有限,價(jià)格趨勢(shì)與供給狀況持續(xù)看漲、看緊。 TrendForce表示,就移動(dòng)存儲(chǔ)來看,智能手機(jī)應(yīng)用的存儲(chǔ)零組件價(jià)格從2016年第三季開始不斷攀升,以主流規(guī)格而言,到今年第四季價(jià)格平均上升40%,不僅影響各大品牌在智能手機(jī)的
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東芝產(chǎn)能出現(xiàn)大幅損失純屬謠言,對(duì)第四季供貨影響有限
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,針對(duì)近期市場(chǎng)傳出東芝產(chǎn)能出現(xiàn)問題,并致使產(chǎn)出晶圓損失高達(dá)10萬片一事,經(jīng)調(diào)查與確認(rèn)后,東芝產(chǎn)線確實(shí)遭遇到一些問題,并致使整體產(chǎn)出量較原先預(yù)期少,但影響程度絕對(duì)遠(yuǎn)低于外界所謠傳接近10萬片的規(guī)模,且工廠產(chǎn)線亦未出現(xiàn)停擺。對(duì)于東芝客戶而言,在第四季議價(jià)時(shí)所承諾的交貨數(shù)量也沒有受到直接沖擊。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出,此一事件后,不論對(duì)于第四季或是明年第一季的供需市況皆不會(huì)產(chǎn)生任何劇烈影響。對(duì)于現(xiàn)貨市場(chǎng)而言,在此消息傳出后并
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2017年上半年全球半導(dǎo)體銷售金額同比增長(zhǎng)20.8%
- 近期以來,或許大家經(jīng)常會(huì)聽到的就是因?yàn)榘雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)跨入一個(gè)成長(zhǎng)的波段,導(dǎo)致所有產(chǎn)品的價(jià)格上揚(yáng),使得諸如臺(tái)積電、韓國(guó)三星的全球性的大型半導(dǎo)體公司獲利豐碩,營(yíng)收屢創(chuàng)新高。至于,所謂的半導(dǎo)體當(dāng)前熱潮,有哪些基本的數(shù)據(jù)可以來代表,下面這些數(shù)據(jù)或許可以來進(jìn)一步說明。 在當(dāng)前半導(dǎo)體的熱季中,大家感受最強(qiáng)烈的莫過于存儲(chǔ)器的價(jià)格。也由于存儲(chǔ)器市場(chǎng)的供不應(yīng)求,使得價(jià)格節(jié)節(jié)攀高,也讓韓國(guó)三星、SK海力士,日本東芝等國(guó)際大廠獲利滿滿。有市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì),在快閃存儲(chǔ)器(NANDFlash)的價(jià)格部分,自2016年下半年起
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基于FPGA的水聲信號(hào)高速采集存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 介紹了一種基于FPGA的水聲信號(hào)數(shù)據(jù)采集與存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),給出了系統(tǒng)的總體方案,并對(duì)各部分硬件和軟件的設(shè)計(jì)進(jìn)行了詳細(xì)描述。系統(tǒng)以FPGA作為數(shù)據(jù)的控制處理核心,以存儲(chǔ)容量達(dá)2GB的大容量NAND型Flash作為存儲(chǔ)介質(zhì)。該系統(tǒng)主要由數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊和RS~232串行通信模塊組成,具有穩(wěn)定可靠、體積小、功耗低、存儲(chǔ)容量大等特點(diǎn),實(shí)驗(yàn)證明該系統(tǒng)滿足設(shè)計(jì)要求。
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基于NAND Flash的轉(zhuǎn)譯層的設(shè)計(jì)
- 基于NAND Flash的嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)以其輕巧便攜、讀寫速度快等特點(diǎn)成為當(dāng)前嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)的主流配置。但由于固有壞塊以及在擦、寫過程中隨機(jī)產(chǎn)生的壞塊影響了NAND Flash的實(shí)際應(yīng)用,所設(shè)計(jì)的NAND Flash的驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)譯層具有壞塊管理機(jī)制并實(shí)現(xiàn)上層文件系統(tǒng)的連續(xù)讀寫功能。
- 關(guān)鍵字: NANDFlash 壞塊管理 存儲(chǔ)系統(tǒng) 轉(zhuǎn)譯層
2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐
- 2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐。據(jù)IHSMarkit所搜集的數(shù)據(jù)顯示,2016年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的營(yíng)收成長(zhǎng)2%,而前十大半導(dǎo)體業(yè)者的營(yíng)收則成長(zhǎng)2.3%,優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。以個(gè)別產(chǎn)品類型來看,DRAM與NANDFlash是2016年?duì)I收成長(zhǎng)動(dòng)能最強(qiáng)的產(chǎn)品,成長(zhǎng)幅度超過30%;車用半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模也比2015年成長(zhǎng)9.7%。 IHS預(yù)期,由于市場(chǎng)需求強(qiáng)勁,2017年內(nèi)存市場(chǎng)的營(yíng)收規(guī)??赏賱?chuàng)新高,車用半導(dǎo)體市場(chǎng)的規(guī)模則有機(jī)會(huì)成長(zhǎng)超過10%。整體來說,2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的表現(xiàn)將出現(xiàn)穩(wěn)健成長(zhǎng)。
- 關(guān)鍵字: DRAM NANDFlash
ARM開發(fā)步步深入之NandFlash 4KB突圍
- 實(shí)驗(yàn)?zāi)康模和黄?KB的Steppingstone存儲(chǔ)空間限制,讀取NandFlash中4KB后的代碼實(shí)現(xiàn)“點(diǎn)燈大法”,借此掌握NandFlash的操作?! ?shí)驗(yàn)環(huán)境及說明:恒頤S3C2410開發(fā)板H2410。H2410核心板的NandFlash選用的是三星片上(SOP)K9F1208U0M,該NandFlash容量為64MB?! ?shí)驗(yàn)思路:開發(fā)板上電啟動(dòng)后,自動(dòng)將NandFlash開始的4K數(shù)據(jù)復(fù)制到SRAM中,然后跳轉(zhuǎn)到0地址開始執(zhí)行。然后初始化存儲(chǔ)控制器SDRAM,調(diào)用NandFlash讀函數(shù)操作
- 關(guān)鍵字: ARM NandFlash
nandflash介紹
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在:
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
應(yīng)用程序?qū)OR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對(duì)大容量NOR閃存的管理,通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊,有時(shí)候塊內(nèi)還分成扇區(qū)。讀寫時(shí)需要同時(shí)指定邏輯塊號(hào)和塊內(nèi)偏移。應(yīng)用程序?qū) AN D芯片操作是以“塊”為基本單位。NAND閃存的塊比較小,一般是8KB,然后每塊又分成頁(yè),頁(yè) [ 查看詳細(xì) ]
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