SL11R單片機(jī)外部存儲器擴(kuò)展

2.3 動態(tài)存儲器的擴(kuò)展

SL11R擴(kuò)展動態(tài)存儲器非常簡單。因為它已經(jīng)內(nèi)置了動態(tài)存儲器控制電路，與EDO DRAM直接連接就可以，不需要另加電路，而且自動刷新，用戶使用動態(tài)存儲器負(fù)使用SRAM一樣方便。SL11R擴(kuò)展DRAM的電路見圖4。

擴(kuò)展DRAM時要選擇3.3V的EDO DRAM，盡量使用1M×16位的內(nèi)存芯片如GM71V18163CJ、IS41LV16100、HY51V18164等，這樣電路設(shè)計較簡單。筆者在使用過程中發(fā)現(xiàn)，某些DRAM與SL11R存在兼容性問題，有時工作不穩(wěn)定，但換另一批次的芯片后又正常工作，所以設(shè)計者在使用時應(yīng)注意篩選。

SL11R對DRAM的尋址空間為0x8000～0x9FFF和0xA000～0xBFFFF。這個地址值控制尋址的低位地址（A0～A12），另外有2個對應(yīng)的頁面寄存器控制尋址的高位地址，每個頁面都能完成對1M×16位空間的尋址。這兩個16位的頁面寄存器是0xC018和0xC01A，以頁面1寄存器0xC018具體說明如下：

如果A21=1，則對0x8000～0x9FFF空間的讀寫操作是針對DRAM，由DRAMOE和DRAMWT引腳選通DRAM，參見圖4。

如果A21=0，則對0x8000～0x9FFF空間的讀寫操作是針其它外設(shè)，由nXMEMSEL引腳選通。這種方式使SL11R另外增加了1M×16位的尋址空間，但這個空間DMA方式不能直接尋址。

A13～A20則是頁面1的高位地址，加上08000～0x9FFF的低位（A0～A12）實現(xiàn)頁面1的尋址。

頁面2的尋址與頁面1的尋址完全一樣，只是由0xC01A和對0xA000～0xBFFF的尋址實現(xiàn)。

頁面1和頁面2的尋址空間是重疊的，一般可以使用一個頁面對DRAM尋址，另一個頁面對其它外設(shè)尋址。

3 存儲器速度的影響

SL11R的工作頻率較高，必須要考慮存儲器的速度，否則可能工作不正常。

3.1 靜態(tài)存儲器速度

讀取外部靜態(tài)存儲器的時序見圖5，具體參數(shù)見表2。表2中的參數(shù)是SL11R的內(nèi)部工作時鐘PCLK工作36MHz，等待周期設(shè)定為0時的數(shù)據(jù)。