用單片機控制DDS實現(xiàn)短波跳頻系統(tǒng)的調(diào)制
本系統(tǒng)的調(diào)制電路是用51系列的單片機89C51 控制DDS芯片AD7008 來完成的。如圖2所示,通過D0~D7數(shù)據(jù)總線在WR、CS的控制下,將數(shù)據(jù)控制字首先寫入AD7008的并行寄存器,然后在LOAD和TC0~TC3的控制下按表2所示將并行寄存器數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)載到功能寄存器。
表2 AD7008外部控制邏輯(并行方式)
TC3 | TC2 | TC1 | TC0 | LOAD | 源寄存器 | 目的寄存器 |
X | X | X | X | 0 | -- | -- |
0 | 0 | X | X | 1 | 并行寄存器 | 命令寄存器 |
1 | 0 | 0 | 0 | 1 | 并行寄存器 | 頻率寄存器0 |
1 | 0 | 0 | 1 | 1 | 并行寄存器 | 頻率寄存器1 |
1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 并行寄存器 | 相位寄存器 |
1 | 0 | 1 | 1 | 1 | 并行寄存器 | IQ寄存器 |
使用AD7008內(nèi)部參考電壓(VREF=1.27V),RSET≈390Ω時為滿刻度電流輸出。在管腳IOUT與地之間接入50Ω電阻,輸出信號峰-峰值為1V的跳頻信號。P1.0,P1.1分別控制芯片復(fù)位和頻率寄存器的選擇。根據(jù)電路,RAM6116地址為0000H~07FFH,并行寄存器地址為4000H,命令寄存器地址為8000H,頻率寄存器0地址為0A000H,頻率寄存器1地址為0A800H,相位寄存器地址為0B000H,IQ寄存器地址為0B800H。相位寄存器的值為差分相位,0、π/4、π/2、3π/4、π、5π/4、3π/2、7π/4分別對應(yīng)寄存器的值(低12位)為:000H、200H、400H、600H、800H、0A00H、0C00H、0E00H。跳頻信號的跳頻定時由定時器0中斷來實現(xiàn):跳頻速率2560跳/秒,定時時間為390.625μs。
3 程序?qū)崿F(xiàn)
該調(diào)制系統(tǒng)的軟件流程圖如圖3所示。
跳頻信號的調(diào)制關(guān)鍵是跳頻碼的發(fā)生和DDS的控制。短波FH/DQPSK系統(tǒng)要求有良好特性的跳頻序列,混沌理論的發(fā)展為跳頻序列的產(chǎn)生提供了一種新的方法。利用混沌非線性來產(chǎn)生跳頻序列,其跳頻圖案的性能比較好。文獻[4]介紹了用單片機實現(xiàn)Logistic混沌FH序列的發(fā)生。目前,混沌序列的研究主要是硬件實現(xiàn)的有限字長問題。我們用單片機實現(xiàn)基于Lempel-Greenberger模型(簡稱L-G模型)[5]的m序列,選取周期為63,并可以為用戶提供不同的m序列。它可以用于通信開始時采用短碼引導(dǎo)長碼[6]的混沌初值傳遞的跳頻同步捕獲系統(tǒng)(必須對m序列進行寬間隔處理以適合短波跳頻系統(tǒng))。圖4是示波器顯示的基帶跳頻信號波形。
以上討論了以單片機控制DDS技術(shù)為核心實現(xiàn)跳頻信號的調(diào)制設(shè)計方法,編寫了部分實驗程序。在系統(tǒng)的調(diào)試中發(fā)現(xiàn),示波器顯示波形出現(xiàn)相位沒有正確調(diào)制在某一跳頻點上,信號先在新跳頻頻率上以正弦波(選同相輸出)形式出現(xiàn)一定時間,當(dāng)新的相位移至DDS的相位寄存器后才使信號有新的相位。經(jīng)分析得知,這是由于AD7008芯片從并口寄存器的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移至頻率與相位寄存器沒有同時進行的緣故。這可以更換其它DDS芯片來解決,如AD9850 [7],其頻率和相位數(shù)據(jù)可以同時輸入(頻率字為32bit,相位字為5bit,休眠、廠家測試控制字為3bit,共40bit),來控制實現(xiàn)高速DDS技術(shù)。另外,實現(xiàn)的僅為數(shù)字信號的基帶跳頻信號調(diào)制,還必須進行二次調(diào)制成短波單邊帶(SSB)信號才能發(fā)射出去。如果采用更高輸出最高頻率的DDS芯片,即可實現(xiàn)短波跳頻信號的一次性調(diào)制。隨著制造工藝的提高,這是能夠?qū)崿F(xiàn)的。目前DDS芯片已做到1GHz以上。更好的辦法是采用DDS與鎖相環(huán)(PLL)技術(shù)相結(jié)合來實現(xiàn),它具有較高的頻率穩(wěn)定度、準(zhǔn)確度和分辨力,并具有體積小、功耗低、操作方便等特點。
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