IR推出新一代150V及200V功率MOSFET器件通態(tài)電阻降低高達(dá)56%

若在典型的150W正激轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，以IR新一代SO-8 IRF7492或IRF7494取代業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SO-8器件，效率可提升0.5%，這將導(dǎo)致器件結(jié)溫降低15°C至20°C。

新MOSFET是專為正激或推挽式功率轉(zhuǎn)換器拓樸中的原邊開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，適用于電信及網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中的板上型功率模塊。

IR中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富表示：“MOSFET的主要參數(shù)包括器件通態(tài)電阻和柵電荷。這些參數(shù)對(duì)電路整體性能具有一階效應(yīng)。全新IRF7492和IRF7494器件以IR最新溝槽技術(shù)制成，有助減低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，提升整體效率?！?/P>

IRF7492及IRF7494具有低通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和柵電荷，最適用于高達(dá)500kHz的直流-直流轉(zhuǎn)換器開關(guān)應(yīng)用系統(tǒng)，柵電壓最高達(dá)20V。新MOSFET還具有低柵阻抗，能將開關(guān)損耗降至前所未有的水平。

全新IRF7492及IRF7494 HEXFET MOSFET已有供應(yīng)。數(shù)據(jù)冊(cè)詳載于IR網(wǎng)頁www.irf.com，基本規(guī)格如下：

產(chǎn)品型號(hào) 封裝 VDSS VGS=10V下RDS(on)最大值 典型Qg值 典型Qgd值
IRF7494 SO-8 150V 44mOhm 36nC 13nC
IRF7492 SO-8 200V 75mOhm 38nC 16nC