安森美半導體用于白家電各功能模塊的高能效方案

　　圖3為基于安森美半導體NCP1129設計的25 W高壓市電供電電源，它提供12 V恒壓輸出，采用峰值電流模式控制，帶可調(diào)節(jié)斜坡補償，確保在連續(xù)導電模式(CCM)的穩(wěn)定性;優(yōu)化短路保護及實際過載檢測;輕載條件下頻率反走至26kHz。

　　同時安森美半導體還為客戶提供高集成度功率因數(shù)控制器、DC-DC控制器、分立MOSFET、功率整流器、二極管及晶體管等完整系列的電源半導體產(chǎn)品。

　　電機驅(qū)動功能

　　安森美半導體為白家電變頻驅(qū)動提供分立及模塊式設計：

　　分立設計器件：安森美半導體用于MOSFET/IGBT門極驅(qū)動器NCP5104、NCP5106、NCP5111、NCP5181能工作在高達600V的輸入電壓，具有每納秒50V的dv/dt抗擾度，并兼容于3.3V和5V輸入邏輯，這些器件使用啟動電路(bootstrap)技術來確保驅(qū)動高邊功率開關，并提供強固的設計。

　　安森美半導體用于功率因數(shù)控制器的IGBT產(chǎn)品有 NGTB05N60、NGTB10N60、NGTB15N60、NGTB20N60L2、NGTB30N60，帶續(xù)流二極管;用于電機驅(qū)動被動功率因數(shù)校正的IGBT產(chǎn)品有NGTG12N60、NGTG15N60S1、NGTG20N60L2、NGTG30N60F、NGTG50N60F，不帶續(xù)流二極管。

　　安森美半導體用于電機控制的MOSFET產(chǎn)品具有低導通阻抗、低電容、低門極電荷等特性，能將器件導通損耗、開關損耗以及驅(qū)動器損耗降至最低，提供高抗雪崩能力及大電流通過能力。

　　模塊式設計：安森美半導體采用IMST(絕緣金屬基板技術)技術使分立無源器件(電阻、電容)、分立有源器件(二極管、晶體管)及集成電路(門驅(qū)動器、DSP、邏輯)等封裝到同一智能功率模塊(IPM)中。

　　智能功率模塊(IPM)內(nèi)含門極驅(qū)動、欠壓保護(UVLO)、過溫檢測及電流檢測等功能，通過內(nèi)部優(yōu)化布線來改善EMI及散熱性能，可集成PFC。

　　安森美半導體用于白家電電機運動控制的步進電機驅(qū)動器提供高精度微步進，提供平順、安靜的運行。AMIS-30622集成無傳感器停轉(zhuǎn)檢測，能動態(tài)控制速度、轉(zhuǎn)矩及位置，維持連續(xù)運行;LB1948MC及LV8548MC能提供雙極及BiDCMOS選擇，支持單通道步進電機/雙通道直流電機，勵磁模式支持滿步、半步，具有低飽和電壓、低導通阻抗等特性;LV8712T采用單通道PWM恒流控制，勵磁模式包括滿步、半步、1/4步、1/8步，集成過熱關閉、低壓檢測以及有源反激等保護。

　　安森美半導體提供應用于無刷直流電機(BLDC)驅(qū)動的單相及三相電機驅(qū)動器，LB11685AV采用無傳感器設計，脈沖幅度調(diào)制(PAM)控制，軟啟動有利于提升啟動時的穩(wěn)定性，軟開關則有助于提供靜音驅(qū)動，內(nèi)置限流器、過熱關閉及抖動鎖定(beat lock)保護;LV8136V是一款三相BLDC電機用PWM系統(tǒng)預驅(qū)動IC，提供高能效、150°PWM靜音驅(qū)動。