詳解基于MEMS的LED芯片封裝光學(xué)特性

圖6(a)和(b)分別給出了反射腔的深度h和開(kāi)口L與LED光強(qiáng)的關(guān)系，從圖中可得，反射腔的深度越深，光強(qiáng)越大；開(kāi)12t越小，光強(qiáng)越火。但是在反射角確定的情況一F，深度和開(kāi)r_l的寬度是相互制約的。當(dāng)深度一定的時(shí)候，開(kāi)口越小，則槽的底部會(huì)越小、，而槽的底部受芯片尺寸的約束。因此開(kāi)口有一個(gè)極限最小值。隅理，當(dāng)開(kāi)幾一定的時(shí)候，深度越深，底部幾寸越小，罔此深度有一個(gè)檄大值，所以在設(shè)計(jì)槽的K寸的時(shí)候應(yīng)該結(jié)合芯片的尺寸進(jìn)行綜合考慮。本文中所采用的芯片尺寸為0 4x0 4 x 0 15mm。

2 工藝流程設(shè)計(jì)

基于MEMS的LED芯片封裝主要包括兩個(gè)大的部分，第一個(gè)部分是加工帶有反射腔的硅基體；第二部分是LED芯片的貼片、引線等通用工藝。由于該封裝結(jié)構(gòu)的第二個(gè)部分和標(biāo)準(zhǔn)的LED封裝工藝相同，因此本文卡要詳細(xì)的介紹第一部分的主要工藝流程(如圖7)。

首先準(zhǔn)備一片具有(100)晶向的硅片(a)；通過(guò)熱氧化在硅的表面形成層二氧化硅；光刻二氧化硅，形成需要的開(kāi)口尺寸和形狀(b)；用KOH腐蝕硅基體形成需要的凹槽，通過(guò)腐蝕液的濃度和腐蝕時(shí)間控制槽的深度(c)：除占表面殘余的二氧化硅；對(duì)硅基進(jìn)行背碰腐蝕，生成通孔(d)；利用電鍍的方法在通孔內(nèi)沉積金屬導(dǎo)電材料(e)；在硅的表面濺射會(huì)屬層作為反射面，光刻金屬表面和引線區(qū)，形成封裝電極(f)。接下來(lái)就可以進(jìn)行LED的貼片等后續(xù)工藝。

3 結(jié)論

本文提出了一種基于MEMS工藝的LED芯片封裝技術(shù)，利用Tracepro軟件仿真分析了反射腔的結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)LED光強(qiáng)的影響，通過(guò)分析指出。利用各向異性腐蝕硅形成的角度作為反射腔的反射角，可以改善LED芯片的反光性能和發(fā)光效率。仿真結(jié)果顯示反射腔的深度越大，則反射效率越高，腔的開(kāi)口越小，反射效率越高。文章最后給出該封裝結(jié)構(gòu)的工藝流程設(shè)汁。通過(guò)分析表明，基于MEMS工藝LED封裝技術(shù)可以降低器件的封裴尺寸，提高發(fā)光效率。