教你詳細了解白光LED

　　為了獲得充分的白光LED光束，曾經開發(fā)大尺寸LED芯片，試圖以此方式達成預期目標。實際上在白光LED上施加的電功率持續(xù)超過1W以上時光束反而會下降，發(fā)光效率則相對降低20%~30%，提高白光LED的輸入功率和發(fā)光效率必須克服的問題有：抑制溫升；確保使用壽命；改善發(fā)光效率；發(fā)光特性均等化。

　　增加功率會使用白光LED封裝的熱阻抗下降至10K/W以下，因此國外曾經開發(fā)耐高溫白光LED，試圖以此改善溫升問題。因大功率白光LED的發(fā)熱量比小功率白光LED高數(shù)十倍以上，即使白光LED的封裝允許高熱量，但白光LED芯片的允許溫度是一定的。抑制溫升的具體方法是降低封裝的熱阻抗。

　　提高白光LED使用壽命的具體方法是改善芯片外形，采用小型芯片。因白光LED的發(fā)光頻譜中含有波長低于450nm的短波長光線，傳統(tǒng)環(huán)氧樹脂密封材料極易被短波長光線破壞，高功率白光LED的大光量更加速了密封材料的劣化。改用硅質密封材料與陶瓷封裝材料，能使白光LED的使用壽命提高一位數(shù)。

　　改善白光LED的發(fā)光效率的具體方法是改善芯片結構與封裝結構，達到與低功率白光LED相同的水準，主要原因是電流密度提高2倍以上時，不但不容易從大型芯片取出光線，結果反而會造成發(fā)光效率不如低功率白光LED，如果改善芯片的電極構造，理論上就可以解決上述取光問題。

　　實現(xiàn)發(fā)光特性均勻化的具體方法是改善白光LED的封裝方法，一般認為只要改善白光LED的熒光體材料濃度均勻性與熒光體的制作技術就可以克服上述困擾。

　　減少熱阻抗、改善散熱問題的具體內容分別是：

　　① 降低芯片到封裝的熱阻抗。

　?、?抑制封裝至印制電路基板的熱阻抗。

　?、?提高芯片的散熱順暢性。

　　為了降低熱阻抗，國外許多LED廠商將LED芯片設在銅與陶瓷材料制成的散熱鰭片表面，如圖1所示，用焊接方式將印制電路板上散熱用導線連接到利用冷卻風扇強制空冷的散熱鰭片上。德國OSRAM Opto Semiconductors Gmb 實驗結果證實，上述結構的LED芯片到焊接點的熱阻抗可以降低9K/W，大約是傳統(tǒng)LED的1/6左右。封裝后的LED施加2W的電功率時，LED芯片的溫度比焊接點高18℃，即使印制電路板的溫度上升到500℃，LED芯片的溫度也只有700℃左右。熱阻抗一旦降低，LED芯片的溫度就會受到印制電路板溫度的影響，為此必須降低LED芯片到焊接點的熱阻抗。反過來說，即使白光LED具備抑制熱阻抗的結構，如果熱量無法從LED封裝傳導到印制電路板的話，LED溫度的上升將使其發(fā)光效率下降，因此松下公司開發(fā)出了印制電路板與封裝一體化技術，該公司將邊長為1mm的正方形藍光LED以覆芯片化方式封裝在陶瓷基板上，接著再將陶瓷基板粘貼在銅質印制電路板表面，包含印制電路板在內模塊整體的熱阻抗大約是15K/W.

　?。╝） OSRAM LED的封裝方式

　　（b） CITIZEN LED的封裝方式

　　圖1 LED散熱結構

　　針對白光LED的長壽化問題，目前LED廠商采取的對策是變更密封材料，同時將熒光材料分散在密封材料內，可以更有效地抑制材質劣化與光線穿透率降低的速度。

　　由于環(huán)氧樹脂吸收波長為400~450nm 的光線的百分比高達45%，硅質密封材料則低于1%，環(huán)氧樹脂亮度減半的時間不到1萬小時，硅質密封材料可以延長到4萬小時左右（如圖2所示），幾乎與照明設備的設計壽命相同，這意味著照明設備在使用期間不需更換白光LED.不過硅質密封材料屬于高彈性柔軟材料，加工上必須使用不會刮傷硅質密封材料表面的制作技術，此外制程上硅質密封材料極易附著粉屑，因此未來必須開發(fā)可以改善表面特性的技術。

　　圖2 硅質密封材料與環(huán)氧樹脂對LED光學特性的影響

　　雖然硅質密封材料可以確保白光LED有4萬小時的使用壽命，然而照明設備業(yè)界有不同的看法，主要爭論是傳統(tǒng)白熾燈與熒光燈的使用壽命被定義成“亮度降至30%以下”，亮度減半時間為4萬小時的白光LED，若換算成亮度降至30%以下的話，大約只剩2萬小時。目前有兩種延長組件使用壽命的對策，分別是：

　?、?抑制白光LED整體的溫升。

　?、?停止使用樹脂封裝方式。

　　以上兩項對策可以達成亮度降至30%時使用壽命達4萬小時的要求。抑制白光LED溫升可以采用冷卻白光LED封裝印制電路板的方法，主要原因是封裝樹脂在高溫狀態(tài)下，加上強光照射會快速劣化，依照阿雷紐斯法則，溫度降低100℃時壽命會延長2倍。

　　停止使用樹脂封裝可以徹底消滅劣化因素，因為白光LED產生的光線在封裝樹脂內反射，如果使用可以改變芯片側面光線行進方向的樹脂材質反射板，由于反射板會吸收光線，所以光線的取出量會銳減，這也是采用陶瓷系與金屬系封裝材料的主要原因。LED封裝基板無樹脂化結構如圖3所示。

　　圖3 LED封裝基板無樹脂化結構

　　有兩種方法可以改善白光LED芯片的發(fā)光效率：一種是使用面積比小型芯片（1mm2左右）大10倍的大型LED芯片；另外一種是利用多個小型高發(fā)光效率LED芯片組合成一個單體模塊。雖然大型LED芯片可以獲得大光束，不過加大芯片面積會有負面影響，例如芯片內發(fā)光層不均勻、發(fā)光部位受到局限、芯片內部產生的光線放射到外部時會嚴重衰減等。針對以上問題，通過對白光LED的電極結構的改良，采用覆芯片化封裝方式，同時整合芯片表面加上技術，目前已經達成50lm/W的發(fā)光效率。大型白光LED的封裝方式如圖4所示。有關芯片整體的發(fā)光層均等性，自從出現(xiàn)梳子狀與網格狀P型電極這后，使電極也朝最佳化方向發(fā)展。

　　圖4 大型LED的封裝方式

　　有關覆芯片化封裝方式，由于發(fā)光層貼近封裝端極易排放熱量，加上發(fā)光層的光線發(fā)射到外部時無電極遮蔽的困擾，所以美國Lumileds公司與日本豐田合作已經正式采用覆芯片化封裝方式，芯片表面加工可以防止光線從芯片內部朝芯片外部發(fā)射時在界面處發(fā)生反射，若在光線取出部位的藍寶石基板上設置凹凸狀結構，芯片外部的取光率可以提高30%左右。經過改良的大型LED芯片封裝實體可以使芯片側面射出的光線朝封裝上方的反射板行進，高效率取出芯片內部光線的封裝大小是7mm×7mm左右。大型LED的最后封裝方式如圖5所示。

　　圖5 大型LED的最后封裝方式

　　小型LED芯片的發(fā)光效率的提升似乎比大型LED芯片模塊更有效。例如日本CITIZEN公司組合8個小型LED芯片，達到60lm/W的高發(fā)光效率。若使用日亞公司制作的0.3mm×0.3mm 小型LED芯片，一個封裝模塊最多使用12個這樣的芯片，各LED芯片采用傳統(tǒng)金線粘合封裝方式，施加功率是2W左右。

　　對于白光LED輝度與色溫不均勻問題，在使用上必須篩選光學特性類似的白光LED.事實上減少白光LED發(fā)光特性的不均勻性、使LED芯片發(fā)光特性一致化以及實施熒光體材料濃度分布均勻化管理是非常重要的。

　　有關LED芯片的發(fā)光特性，各廠商都在非常積極地進行芯片篩選、發(fā)光特性的均等化處理等以減少LED發(fā)光特性不均勻問題，如松下電器公司已通過芯片的篩選達成特性一致化的目標。該公司利用覆芯片化方式，將64個LED芯片封裝在一片基板上，最后再分別覆蓋熒光體。在加工時LED芯片先封裝在次基板測試發(fā)光特性，接著將發(fā)光特性一致的芯片移植封裝在主基板上。8個LED芯片封裝在一片基板上，即