教你詳細了解白光LED

　　圖6 利用多個小型LED芯片的組合提高發(fā)光波長均勻性

　　白光LED通常是用內(nèi)含熒光體材料的密封樹脂直接包覆LED芯片，此時密封樹脂中熒光體材料的濃度可能出現(xiàn)偏差，最后造成白光LED的色溫分布不均勻。因此，可將含熒光體材料的樹脂薄片與LED芯片結(jié)合，由于薄片厚度與熒光體材料的濃度經(jīng)過嚴格的管理，所以白光LED的色溫分布不均程度比傳統(tǒng)方式減少了4/5.業(yè)界認為使用熒光體薄片方式，配合LED芯片的發(fā)光特性，改變熒光體的濃度與薄片的厚度，就可以使白光LED的色溫變化控制在預(yù)期范圍內(nèi)。

　　雖然說隨著白光LED發(fā)光效率的逐步提高，將白光LED應(yīng)用在照明領(lǐng)域的可能性也越來越大，但是很明顯地，單只白光LED的光通量均偏低，因此以目前的封裝形式是不太可能以單只白光LED來達到照明所需要的流明數(shù)。針對這人問題，目前主要的解決方法大致上可分為兩類：一類是較傳統(tǒng)地將多只LED組成光源模塊來使用，而其中每只白光LED所需要的驅(qū)動電源與一般使用的相同（為20~30mA）；另一類方法是使用較大面積的芯片，此時不再使用傳統(tǒng)的0.3mm2大小的芯片，而采用0.6~1mm2大小的芯片，并使用高驅(qū)動電流來驅(qū)動這樣的發(fā)光組件（一般為150~350mA，目前最高達到500mA以上）。但無論是使用何種方法，都會因為必須在極小的LED封裝中處理極高的熱量，若組件無法散去這些熱量，除了各種封裝材料會由于彼此間膨脹系數(shù)的不同而有產(chǎn)品可靠性的問題，芯片的發(fā)光效率更會隨著溫度的上升而有明顯地下降，并造成使用壽命明顯地縮短。因此，如何散去組件中的熱量，成為目前白光LED封裝技術(shù)的重要課題。

　　對于白光LED而言，最重要的是輸出的光通量及光色，所以白光LED的一端必定不能遮光，而需使用高透明效果的環(huán)氧樹脂材料包覆。然而目前的環(huán)氧樹脂幾乎都是不導(dǎo)熱材料，因此對于目前的白光LED封裝技術(shù)而言，主要是利用其白光LED芯片下方的金屬腳座散去組件所發(fā)出的熱量。就目前的趨勢看來，金屬腳座材料主要是以高熱傳導(dǎo)系數(shù)的材料為主而組成的，如鋁、銅甚至陶瓷材料等，但這些材料與芯片間的熱膨脹系數(shù)差異甚大，若將其直接接觸，很可能因為在溫度升高時材料間產(chǎn)生應(yīng)力而造成可靠性問題，所以一般都會在材料間加上具有適當傳導(dǎo)系數(shù)及膨脹系數(shù)的中間材料作為間隔。松下電器將公司多只白光LED制成在金屬材料與金屬系復(fù)合材料所制成的多層基板模塊上以形成光源模塊，利用光源基板的高導(dǎo)熱效果，使光源的輸出在長時間使用時仍能維持穩(wěn)定。Lumileds生產(chǎn)的白光LED基板所使用的材料為具有高傳導(dǎo)系數(shù)的銅材，再將其連接至特制的金屬電路板，就可以兼顧電路導(dǎo)通及增加熱傳導(dǎo)效果。

　　大功率白光LED產(chǎn)品的芯片制造技術(shù)、封裝技術(shù)似乎已經(jīng)成為高亮度白光LED的主流技術(shù)，然而與大芯片相關(guān)的制造技術(shù)及封裝技術(shù)不只是將芯片面積做大，若希望將白光LED應(yīng)用于高亮度照明領(lǐng)域，相關(guān)技術(shù)仍有待進一步研究。

　　白光LED應(yīng)用于一般照明領(lǐng)域還有諸多問題需要解決，首先是白光LED的效率提升，例如GaInN系的綠光、藍光以及近紫外光LED的效率仍有很大的開發(fā)裕度。此外，綜合能源效率的內(nèi)部量子效率的提升是最重要的項目，內(nèi)部量子效率由活性層的非發(fā)光再結(jié)合百分比與發(fā)光再結(jié)合百分比所決定，因此可以把焦點鎖定在非發(fā)光再結(jié)合這部分，并設(shè)法降低結(jié)晶缺陷。而減少紫外光LED的轉(zhuǎn)位密度確實可以明顯提高內(nèi)部量子效率，未來必須針對紫外光LED進一步降低它的轉(zhuǎn)位密度。不過這項對策對綠光、藍光LED并沒有明顯的影響。

　　綠光與藍光LED在低電流密度（約1A/cm2）時具有最大的量子效率，在高電流密度時量子效率反而會下降，如圖7所示。從成本觀點考慮時則希望LED能夠以高電流密度來驅(qū)動，同時盡可能增加組件的輸出功率，因此早日解開綠光與藍光LED高電流密度時量子效率下降的機理與原因，不單是材料物理特性探索上的需要，這項研究對于未來應(yīng)用也是具有關(guān)鍵性的角色。目前的研究顯示紫光LED（波長為382nm）即使施加高電流密度（50A/cm2），量子效率也不會下降。

　　圖7 GaInN 系 LED的量子效率與電流密度的關(guān)系

　　傳統(tǒng)的白光LED都是將邊長為200~350μm的正方形芯片封裝成圓頭柱外形，之后為了獲得照明所需要的光束，再將已封裝的多個白光LED組件排列成矩陣狀。單純以高輸出功率為目的而特別開發(fā)出的面積比以往芯片大6~10倍，外形尺寸高達500μm~1mm的白光LED，雖然封裝后可獲得數(shù)百毫瓦（數(shù)十流明）的輸出功率，但是加大芯片的外形尺寸，反而使白光LED內(nèi)部的光吸收比率增加、外部取光率降低。就以AlGaInP LED為例，芯片的外形尺寸從0.22mm×0.22mm加大為0.50mm×0.50mm后，外部取光率反而降低20%左右。如果改用TIP結(jié)構(gòu)，內(nèi)部多重反射的結(jié)果使得內(nèi)部光吸收率降低，外部取光率則明顯提高。GaInN LED 也有相同的效果。如何提高LED芯片的外部取光率是LED應(yīng)用于一般照明領(lǐng)域的關(guān)鍵。此外，高的熱阻抗（150~200K/W）對高亮度輸出相當不利。LED內(nèi)部量子效率對活性層溫度的依存度極大，因此除了低熱阻抗封裝技術(shù)之外，利用散熱片排除活性層的熱流成為今后研發(fā)的熱點。