GaN基不同電極形狀的LED性能比較

　　目前LED 的出光效率普遍較低，這是由于晶格對光的吸收、襯底對光的吸收以及光在出射過程中反射、全內(nèi)反射造成的損失等多方面的原因導致的。近年來，對提高LED 出光效率方面的研究也較多，其中改進LED 電極形狀是一個新起的分支[1 - 2]。優(yōu)化LED 的電極形狀需要注意3 個方面:①使用n 電極環(huán)繞p 電極的方法，這樣能夠讓電流在盡可能大的面積上由p 電極進入n 電極，增加有效發(fā)光長度; ②n 與p 電極之間的距離應相等，使電流盡可能均勻的分布; ③n 電極要分布在外側，這與①的理由相同。提高了LED 的出光效率就在一定程度上提高了LED 的電光轉換效率，對于LED 的節(jié)能優(yōu)勢有著重要的影響。但J. S. Yun 等人[2]只對常用的電極做簡單優(yōu)化，本文前期工作設計了復雜的優(yōu)化電極，并通過軟件模擬結果優(yōu)化電極，提高了出光效率的結果。

　　為對軟件模擬的情況進行實驗驗證，本次實驗對前期模擬的6 種優(yōu)化電極的藍光芯片進行試制，并對理論結果與實驗結果在光學、電學和可靠性等方面做詳細的比較分析，用測試結果驗證優(yōu)化電極在各方面的優(yōu)勢，并對各種電極的壽命做出預測。