提高LED封裝的散熱性

　　提高LED封裝的散熱性

　　提高LED基片向散熱器導(dǎo)熱的效率而對LED的散熱方式進行了改進。其共同點在于基片采用了鋁合金板與布線圖案之間夾有絕緣層的金屬底板。為有利于LED芯片向底板安裝部位導(dǎo)熱而采取的措施沒有太大差異。

　　今后，為了實現(xiàn)亮度相當于100W白熾燈泡的LED燈泡，還需要與此不同的提高散熱的對策。新型LED封裝就是對策之一。

　　日本鎢（Nippon Tungsten）開發(fā)出了由鍍銀的銅引線框架與陶瓷外殼組合而成的LED封裝（圖15）。該封裝將作為未安裝LED芯片的芯片底板供應(yīng)廠商。

圖15：日本鎢提供的LED封裝銅板鍍銀的引線框架固定在價格較低的陶瓷外殼上。熱量主要通過引線框架向散熱器傳導(dǎo)。

　　過去曾經(jīng)有過采用高導(dǎo)熱性氮化鋁材料作為LED封裝外殼的產(chǎn)品。LED的熱量可以借助外殼傳導(dǎo)至封裝底板。雖然該外殼能夠憑借導(dǎo)熱性和耐熱性優(yōu)于樹脂外殼的特點實現(xiàn)高功率LED封裝，但成本昂貴。

　　與之相比，日本鎢的芯片封裝底板采用銅引線框架作為導(dǎo)熱路徑，而非LED封裝外殼。外殼采用了導(dǎo)熱性差，但耐熱性優(yōu)秀的廉價陶瓷。從而使成本降低到了原有陶瓷LED封裝的一半。

　　這種封裝的結(jié)構(gòu)雖然非常簡單，但銅的熔點低，難以與陶瓷組合。為此，該公司自行開發(fā)出了能夠以低于銅熔點的溫度燒制、與銅結(jié)合性強的陶瓷。通過改進燒制時的溫度控制和固定方法，成功開發(fā)出了電極（引線框架頂端之間）間隔小于70μm的高精度芯片底板（圖16）。現(xiàn)已開始樣品供應(yīng)。

圖16：日本鎢的LED封裝試制品與導(dǎo)熱分析的結(jié)果該公司開發(fā)出了能夠以低于銅熔點的溫度燒制，且與銅接合能力較高的陶瓷。試制品可以安裝10個LED芯片，導(dǎo)熱性能良好，LED芯片與引線框架的溫度差約為2℃。在導(dǎo)熱分析中，越接近紅色表示溫度越高。

　　電氣化學(xué)工業(yè)的“電氣化AGSP底板”也是提高LED封裝散熱性的手段之一。該公司利用大和工業(yè)（總部：長野縣岡谷市）開發(fā)的技術(shù)，制造出了任意形狀的銅柱貫穿于任意位置的底板。如果把該底板作為LED封裝外殼的一部分使用，就可以借助銅柱與LED芯片的接觸，向散熱器傳導(dǎo)熱量。雖然在成本方面仍有需要解決的課題，但新型封裝的采用在今后完全有望擴大。